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利用THz时域光谱技术对MgF2晶体(样品1)和MgF2:Co晶体(样品2)在0.5—2.5 THz的吸收特性进行了研究.在0.5—2.5 THz波段,样品1吸收系数α(ν)随频率ν增加而增大,最大值为24 cm-1.样品2的吸收系数比样品1大得多,Co掺杂使晶格吸收带边向低频移动,而且样品2在1.9 THz有吸收峰,吸收系数达到70 cm-1,由此求出F--Co2+离子键伸缩振动的键力常数K为3.40×10-2 N/cm.这一结果表明,THz光谱分析有可能成为研究晶体化学键的一种重要手段.利用光学常数之间的关系计算了两个样品在0.5—2.5 THz的介电函数的实部ε1(ν),得到样品1的ε1(ν)值在4.67至4.73之间,样品2的ε1(ν)值在4.62至5.01之间.
关键词:
THz辐射
光谱
2晶体')" href="#">MgF2晶体 相似文献
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在测量微安表内阻的众多方法中,替代法是最简单的方法。本文全面分析了影响测量结果不确定度的因素,求出了实验测量的最佳条件,计算了普通仪器组合下测量结果的相对不确定度。 相似文献
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利用基于全相对论框架下的多组态Dirac-Fock理论方法发展起来的程序包GRASP92和新发展的处理辐射跃迁过程的程序REOS99,计算了类镍等电子系列离子(Z=45-95)的基组态3s23p63d10 1S0以及低激发组态3s23p63d94l,3s23p53d104l和3s3p63d104 l(l=s,p,d,f)的能级及其向基态的M1,M2,E2禁戒跃迁概率.通过分析高离化类镍离子在特定的原子序数范围内由于存在能级交叉而产生的强组态相互作用,解释了高离化类镍离子禁戒跃迁概率的反常变化现象,探讨了禁戒跃迁概率受强组态相互作用影响而变化的一般规律. 相似文献
45.
多孔径扫描波面恢复技术的精度评定及影响因素 总被引:7,自引:2,他引:7
多孔径扫描波面恢复技术是一项新的高精度大孔径面形检测手段.本文从建立波面恢复精度的评价标准出发,结合实测结果进行讨论,并对影响精度的两个重要因素即拼接模式及拼接区大小进行分析. 相似文献
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场与源这一对矛盾双方如何对立与统一是经典电磁场及引力场理论中议论纷云的一个根本问题.非Abel规范场的静无源解(应该说是无外源,但以场自身为源)提供了一个不含奇异点的、场与源互相制约构成自洽稳定的有机统一体的一个值得注意的例子(孤粒子).现有的这种解都是在无外源(实际上以场的奇异点——磁荷为源)的吴杨单位磁荷解([4]的情况a)的基础上加上径向“形状因子”得到的,因此只限于总磁荷为单位值(本文取Schwinger量子化值为磁荷单位)的静同步球对称情况.为了弄清楚更一般 相似文献
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49.
用157 nm激光制作的光子晶体光纤法布里-珀罗传感器 总被引:4,自引:2,他引:4
157nm准分子激光用于微加工具有单光子能量高,峰值功率高,材料吸收系数高,分辨率高等优点。利用157nm激光微加工的方法,在光子晶体光纤上融切出微小矩形孔,从而构成腔长为45.6μm的微光纤法布里-珀罗干涉腔,得到的干涉条纹平滑,衬比度约为26dB,并从激光与石英材料的相互作用上分析了形成较好干涉条纹的原因。把这种微腔应用于应变测量,在550μm范围内,腔长增量相对于应变的灵敏度为0.32nm/μm,线形度达0.9994。实验证明该微腔对温度不敏感,800℃范围内腔长变化仅20nm。157nm准分子激光加工光纤法布里-珀罗腔方法简单,一次成型,具有较高的加工效率和精度,有望实现光纤法布里-珀罗腔的规模化批量制造,具有较好的应用前景。 相似文献
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Microstructure and Optical Properties of AgxO Prepared by Direct-Current Magnetron-Sputtering Method 下载免费PDF全文
Two series of AgxO films are prepared on glass substrates by dc magnetron-sputtering method at room temperature and 90℃ under different oxygen to argon gas ratio (OAR) conditions. The mierostrueture is investigated by XRD and SEM in order to obtain the information on the component evolution of AgO+Ag2O to Ag2O. Its optical properties are investigated by reflectance and absorption spectroscopy to extract the information on metallic and dielectric behaviour evolution of Ag2O, AgO and silver particles and the interband transition. The results indicate that the AgxO film prepared at room temperature is mainly made up of AgO and Ag2 O clusters while Ag2O is the primary component of AgxO prepared at 90℃. The AgxO film mainly consisting of the primary component shows indirect interband transition structure occurring at 2.89eV. Combination of increasing OAR and substrate temperature is an effective method to lower the threshold of thermal decomposition temperature of AgxO and to deal with the bottleneck of short-wavelength optical and magneto-optieM storage. 相似文献