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31.
在碱性条件下由氧化石墨(GO)还原获得还原石墨烯(RGO). RGO与4-二苯胺基苯甲醇(TPACH2OH)混合后发生相互作用, 得到功能化石墨烯复合物(TPACH2OH-RGO). 采用密度泛函理论(DFT)对TPACH2OH-RGO模拟计算结果表明, TPACH2OH和RGO之间主要通过氢键作用形成复合物. 利用紫外-可见光谱(UV-vis)、拉曼光谱(Raman)、荧光光谱(Fluorescence)、原子力显微镜(AFM)、透射电子显微镜(TEM)和电化学等方法研究了TPACH2OH-RGO结构和光电性质, 并研究了以TPACH2OH-RGO为催化剂在光照射下光催化分解水制氢性能. 实验结果表明: 光照下复合物中激发态TPACH2OH向RGO转移电子. 在TPACH2OH和RGO的质量比为4/3, 体系pH=6条件下, 光照6 h, TPACH2OH-RGO的产氢总量达到35.0 μmol, 比RGO的产氢总量(20.4 mmol)有明显的提高. 相似文献
32.
以TaCl5和Na2WO4为原料, 采用水热法在170 ℃制备性能良好的掺钽钨青铜(TaxWO3)纳米线。利用X射线衍射技术(XRD)、扫描电镜(SEM)、紫外可见漫反射光谱(UV-Vis)及拉曼光谱(Raman)等分析手段, 对该材料的结构、形貌及光谱性能进行表征。XRD结果表明: TaxWO3纳米材料为六方相结构氧化钨, 当TaxWO3中Ta/W摩尔比小于0.04时, 晶胞参数随着掺杂量的增大而逐渐增大, 当掺杂量达到大于0.04后保持基本不变。UV-Vis光谱表明, 随着钽掺杂量的增大, 紫外吸收峰发生红移, 即能隙逐渐减小。Raman光谱显示: 随钽掺杂量的增大, Raman峰位逐渐向低波数方向移动, 同时振动峰逐渐宽化, 进一步证明了钽掺杂对氧化钨结构的影响。光催化降解罗丹明B的实验显示, 制备的TaxWO3具有较高的光催化活性。 相似文献
33.
为了探索阴极的氧化程度对环形He-Ne激光器引燃特性的影响,利用光电减速场法研究阴极材料的选出功随阴极氧化的变化情况.在高真空条件下,用自制的卢基尔斯基球形光电测试平台和平行电极光电-放电器件,通过实验测出了铝作为放电器件的冷阴极在氧化工艺处理前后的逸出功及逸出功的值随氧化程度的变化情况.实验测得铝阴极在自然氧化后的选出功为2.60±0.2 eV,此时被测铝阴极表面氧的质量百分比为3.2%.经不同时间氧化工艺处理的铝阴极,其选出功随氧化时间的增长而降低.解释了铝阴极选出功测量值可能处于2.5~4.3 eV之间的原因.由实验结果得到在一定范围内,氧化时间越长,材料的逸出功越小,越有利于环形He-Ne激光器的点燃.但阴极氧化也会影响气体放电过程的着火点压和阴极位降,因此对最佳氧化时间的选择要综合考虑这两方面的因素. 相似文献
34.
用线圈电流控制非平衡磁场,用汤森放电击穿形成深度自触发放电,用磁阱捕获放电形成的二次电子和导致漂移电流,形成了高功率非平衡磁控溅射放电。采用偏压为-100V相对磁控靶放置的圆形平面电极收集饱和离子电流;在距离磁控靶14cm的位置由Langmuir探针测量浮置电位;示波器测量磁控靶的脉冲电压、电流、浮置电位和饱和离子电流信号。装置的放电脉冲功率达到0.9MW,脉冲频率最大值为40Hz左右,空间电荷限制条件是控制电子电流和离子电流的主要机制。 相似文献
35.
KInSe~2的中温固相合成及结构表征 总被引:1,自引:0,他引:1
采用反应性熔盐法,以n(K~2Se~3):n(In):n(Se)=1:1:5的摩尔比,在500℃下反应5d,生成淡黄色柱状晶体KInSe~2。该晶体属于单斜晶系,空间群为C2/c,晶胞参数,a=1.414(2)nm,b=1.1410(2)nm,c=1.5586(3)nm,β=100.60(3)°,Z=16,R=0.0656。KInSe~2晶体具有层状结构,每层由具有二维网状结构的[InSe~2]^-负离子和K^+组成,层与层之间按ABAB方式堆积。 相似文献
36.
37.
38.
39.
在二甲亚砜(DMSO)中,以MnCl_2·2H_2O和K_3[Cr(OX)_3]·3H_2O为原料,合成了离子型配合物[Mn(phen)_2(H_2O)_2]_2[Cr(OX)_3][HOCH_2CH_2O]·4H_2O.晶体结构测定表明,该晶体属单斜晶系,P2/c空间群.晶体学参数:a=1.0602(3),b=1.3515(3),c=2.1508(3)nm,β=102.57(2)°,V=3.008(1)nm~3,Z=2,Dc=1.49g/cm~3,F(000)=1392.最后的偏差因子R=0.067.测定了化合物的UV-Vis-NIR,IR,XPS,ESR光谱和变温磁化率,讨论了相应的性质. 相似文献