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992.
针对带变动偏序结构的集优化问题,引入了LP适定性及广义LP适定性概念,进一步给出了其LP适定性及广义LP适定性的充分条件与刻画,发展了固定偏序结构下的相关成果. 相似文献
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采用后重氮偶合法,合成了一种新型含咔唑类聚磷腈有机光折变材料。采用氢谱核磁共振法,红外光谱法,紫外-可见吸收光谱法,热重法和差示扫描量热法对该聚合物进行表征和分析,结果表明,该聚合物具有良好的热稳定性,在230 ℃开始分解,450 ℃时基本分解完全。UV-Vis表明波长在360 nm与570 nm之间的宽的吸收带是由于共轭长度的增加产生的,因此可以调整参加偶合反应的重氮盐比例,来控制偶氮生色团功能组分的接入含量。在未使用外加电场及事先极化的条件下对聚合物进行了二波耦合与四波混频实验,证明了聚合物的光折变特性。得到聚合物P-2和P-3的二波耦合增益系数分别为38 cm-1和53.6 cm-1,聚合物P-2和P-3的四波混频衍射效率分别为2.7%和8.1%。 相似文献
996.
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998.
Occurrence and elimination of in-plane misoriented crystals in AIN epUayers on sapphire via pre-treatment control 下载免费PDF全文
AlN epilayers are grown directly on sapphire (0001) substrates each of which has a low temperature AlN nucleation layer. The effects of pretreatments of sapphire snbstrates, including exposures to NH3/H2 and to H2 only ambients at different temperatures, before the growth of AlN epilayers is investigated. In-plane misoriented crystals occur in N-polar AlN epilayers each with pretreatment in a H2 only ambient, and are characterized by six 60°-apart peaks with splits in each peak in (1012) phi scan and two sets of hexagonal diffraction patterns taken along the [0001] zone axis in electron diffraction. These misoriented crystals can be eliminated in AlN epilayers by the pretreatment of sapphire substrates in the NH3/H2 ambient. AlN epilayers by the pretreatment of sapphire substrates in the NH3/H2 ambient are Al-polar. Our results show the pretreatments and the nucleation layers are responsible for the polarities of the AlN epilayers. We ascribe these results to the different strain relaxation mechanisms induced by the lattice mismatch of AlN and sapphire. 相似文献
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1000.
固体酸催化烷基化反应中微量氟化氢反应助剂的作用 Ⅰ.助剂对反应的促进效应 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了负载型杂多酸催化剂20%H3PW12O40/SiO2催化的异丁烷与丁烯的烷基化反应. 发现当在反应物料中加入0.0192%(质量分数)含强电负性元素F的反应助剂HF后,在超临界烷基化反应条件下(137 ℃和5.0 MPa),反应产物烷基化汽油中C8烷烃的含量和目的产物三甲基戊烷的收率均大幅度提高,三甲基戊烷与二甲基己烷的摩尔比值提高了一倍以上. 这是一个重要和有趣的实验现象,它说明微量HF反应助剂可大幅度提高固体酸催化剂对烷基化反应的选择性. 我们把微量反应助剂在固体酸催化烷基化反应中的这种特殊作用称为对烷基化反应的促进效应,这种促进效应已经在我们实验室中被反复证实. 相似文献