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高纯度烟草过氧化物酶(TOP I)光谱特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用交换吸附脱色及柱层析新技术,成功地从烟叶中分离和纯化了一种烟草过氧化物酶同工酶(TOP I),并对其进行了一系列光谱特性研究。基质辅助激光解吸电离飞行时间质谱(MALDI-TOF-MS)测得TOP I分子量为21888.5,等电点pI为3.5;氨基酸组成分析表明TOP I为一含血红素的酸性蛋白酶。光谱学分析揭示,在402nm处有一典型的Soret带,在498和636nm处有特征吸收峰(α,β带),酸度和变性剂对TOP I在紫外可见区的特征吸收峰均产生一定的影响,TOP I的荧光光谱测定结果说明TOP I分子中含有Trp残基和Tyr残基以及其自身的独特的光谱学特性。 相似文献
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RE1—xTxMnO3氧化物的结构,电磁特性和巨磁电阻 总被引:37,自引:0,他引:37
REMnO3(RE=La,Pr,Nd,Cd等)具有钙钛矿结构。如用二价碱土金属部分替代稀土元素,可形成掺杂锰氧化物RE1-xTxMnO3(T=Ca,Sr,Ba,Pb)。随掺杂量的增加,样品的结构和电磁性能都有很大变化。近年来在这类氧化物中还发现巨大的负磁电阻效应,其值可达106%。这类材料显示的复杂物理现象和可能的应用前景引起人们很大的兴趣。本文将概括的介绍这类氧化物的晶格结构,电子结构,电磁性能及其巨磁电阻随掺杂变化的实验结果,并对其可能的机理进行探讨。 相似文献
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We study the pumped spin current of an interacting quantum dot tunnel coupled to a single lead in the presence of electron spin resonance (ESR) field. The spin decoherence in the dot is included by the Bffttiker approach. Using the nonequilibrium Green's function technique, we show that ESR-induced spin flip can generate finite spin current with no charge transport. Both the Coulomb interaction and spin decoherence decrease the amplitude of spin current. The dependence of pumped spin current on the intensity and frequency of ESR field, and the spin decoherence is discussed. 相似文献
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Temperature Dependence of Photoluminescence from Single and Ensemble InAs/GaAs Quantum Dots 下载免费PDF全文
We investigate the temperature dependence of photoluminescence from single and ensemble InAs/GaAs quantum dots systematically. As temperature increases, the exciton emission peak for single quantum dot shows broadening and redshift. For ensemble quantum dots, however, the exciton emission peak shows narrowing and fast redshift. We use a simple steady-state rate equation model to simulate the experimental data of photoluminescence spectra. It is confirmed that carrier-phonon scattering gives the broadening of the exciton emission peak in single quantum dots while the effects of carrier thermal escape and retrapping play an important role in the narrowing and fast redshift of the exciton emission peak in ensemble quantum dots. 相似文献
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Design and Fabrication of 1.06 μm Resonant-Cavity Enhanced Reflective Modulator with GaInAs/GaAs Quantum Wells 下载免费PDF全文
A resonant-cavity enhanced reflective optical modulator is designed and fabricated, with three groups of three highly strained InGaAs/GaAs quantum wells in the cavity, for low voltage and high contrast ratio operation. The quantum wells are positioned in antinodes of the optical standing wave. The modulator is grown in a single growth step in an molecular beam epitaxy system, using GaAs/AlAs distributed Bragg reflectors as both the top and bottom mirrors. Results show that the reflection device has a modulation extinction of 3 dB at -4.5 V bias. 相似文献