经PPh3修饰的Rh/SiO2催化剂的吸附-脱附性能

 应用程序升温技术研究了氢甲酰化反应物CO,H2和C2H4在经PPh3修饰的Rh/SiO2(PPh3-Rh/SiO2)催化剂上的吸附-脱附行为. CO-TPD结果显示, Rh/SiO2催化剂在348, 398和525 K处有3个脱附峰, PPh3-Rh/SiO2催化剂仅在368 K处出现脱附峰,表明催化剂的吸附性能发生了明显变化. 采用原位红外光谱研究了PPh3-Rh/SiO2催化剂上CO的吸附态. 结果表明, 2040 cm-1处吸收峰归属于PPh3修饰的Rh粒子上线式吸附的CO. 这种吸附态既不同于Rh/SiO2多相催化剂表面Rh粒子上的CO吸附态,也不同于相应均相催化剂中的羰基配位态. TPD和FT-IR结果表明,在低压下PPh3-Rh/SiO2催化剂对氢甲酰化反应已具有相当的催化性能.     

BaVS3晶格动力学研究

采用基于密度泛函理论的平面波赝势方法,在局域密度近似下采用线性响应的密度泛函微扰理论研究了具有六角结构的BaVS3化合物的品格动力学性质,得到了整个声子谱.计算得到的г点拉曼频率和实验数据进行了比较,其中E22g模、A1g模和实验测量值符合得比较好.对于E32g模,采用线性响应计算的结果与实验值差别较大.对该模应用冻结声子方法研究后认为差异主要是由于E32g模的较强的非谐性引起的.此外V原子在平面内的振动模E12g出现了虚频.虚频的出现预示着六角相的BaVS3结构的不稳定性,从而很好地解释了该材料由六角相到正交相的结构相变.     

碳水化合物含磷配体在不对称催化中的应用*

糖类化合物价廉易得,具有天然手性结构,糖环上的多个羟基经过修饰,可以连接多种官能团。近年来手性糖类化合物的合成与应用研究引起了人们的广泛关注,尤其是在不对称合成和催化中的应用研究已成为有机化学中非常活跃的领域。碳水化合物含磷手性配体在不对称催化反应中的应用研究进展十分迅速,本文综述了近年来碳水化合物含磷手性配体与金属形成络合物作为催化剂,在不对称催化氢化、不对称烯丙位取代和不对称氢甲酰化等反应中的研究进展。     

不同掺杂量对水热合成Zn1-xNix O稀磁半导体粉体的影响

本文主要考虑不同掺杂量对水热合成Zn1-xNixO稀磁半导体粉体的影响.采用水热法,以3 mol/L NaOH作为矿化剂,在240℃下,保温24 h左右,进行Ni掺杂(x=0.05,0.1,0.2),合成Zn1-xNixO稀磁半导体晶体.XRD、FE-SEM测试表征晶体的物相组成和晶体形貌,XRD表明所制备的zn0.95Ni0.05O稀磁半导体晶体发育比较完整.通过UV-vis测试进一步说明掺杂的效果.VSM测试表明,所制备的样品在室温下有良好的磁滞回线,表现出铁磁性.     

Cauchy problem of semi-linear parabolic equations with weak data in homogeneous space and application to the Navier-Stokes equations

In this paper we study the Cauchy problem for a class of semi-linear parabolic type equations withweak data n the homogeneous spaces.We give a method which can be used to construct local mild solutionsof the abstract Cauchy problem in C(σ,s,p)and L~q([O,T);H~(s,p)by introducing the concept of both admissiblequintuptet and compatible space and establishing estblishing time-space estimates for solutions to the linear parabolic typeequations For the small data,we prove that these results can be extended globally in time. We also study the     

A Study on the Generating Mechanism of Vertical Joints in Loess

Based on field investigation, theoretical analysis and model testing, the authors believe that the horizontal tensile stress caused by gravity at the top and bottom of big voids or holes is the primary rea-. son for the generation of vertical joints in loess. This paper explains the generation mechanism of vertical joints in loess from the viewpoint of mechanics for the first time.     

空时估计方法及一类非线性抛物方程的解

在形如BC( [0 ,T) ;L^p)及L^q( 0 ,T ;L^p)中研究了非线性抛物型方程的Cauchy问题和初边值问题 .类同于波动方程及色散波方程 ,首先对线性抛物方程给出了空时估计 ,进而利用空时估计方法给出了一系列的非线性估计 .借助于Banach不动点定理及通常的迭代技术 ,当 φ(x)∈L^r 时 ,构造了非线性抛物方程在BC( [0 ,T) ;L^p)和Lq( 0 ,T ;L^p)的局部解的存在唯一性 ,这里 ( p ,q ,r)是容许三元簇 .进而 ,对临界增长情形 ,证明了当初值函数充分小时 ,解的整体存在性 .     

高阶波动方程的时空估计与低能量散射

本文研究了高阶波动方程的低能量散射理论，基本工具是高阶线性波动方程解的时空估计．与经典的二阶波动方程解的时空估计证明不同，我们采用泛函分析的方法与待定指标技巧，首次给出了高阶线性波动方程的时空估计，藉此与非线性函数在齐次Ｓｏｂｏｌｅｖ空间中的估计，获得了高阶波动方程的低能量散射结论．与此同时，也得到了具临界增长的高阶波动方程的柯西问题在低能量条件下的整体存在唯一性．     

深能级缺陷对半绝缘InP材料电学补偿的影响

对铁掺杂和高温退火非掺杂磷化铟制备的两种半绝缘材料的电学补偿和深能级缺陷进行了分析和比较.根据热激电流谱(TSC)测得的深能级缺陷结果，分析了这两种半绝缘InP材料中深能级缺陷对电学补偿的影响.在掺铁半绝缘InP材料中，由于存在高浓度的深能级缺陷参与电学补偿，降低了材料的补偿度和电学性能.相比之下，利用磷化铁气氛下高温退火非掺InP获得的半绝缘材料的深能级缺陷浓度很低，通过扩散掺入晶格的铁成为唯一的深受主补偿中心钉扎费米能级，材料表现出优异的电学性质.在此基础上给出了一个更为广泛的半绝缘InP材料的电学补偿模型.     

基于TiO2修饰层的量子点发光二极管设计及其性能

量子点发光二极管(QLEDs)具有色饱和度和色纯度高等优点,在照明与显示领域具有广泛应用前景,成为发光领域研究的热点之一.由于器件采用多层结构,表面和界面问题成为制约QLEDs发展的一个棘手问题.本文使用原子层沉积技术在氧化锌(ZnO)电子传输层和量子点(QDs)发光层之间插入不同厚度的二氧化钛(TiO2)薄层,对Zn...