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Effect of overdrive voltage on PBTI trapping behavior in GaN MIS-HEMT with LPCVD SiN_x gate dielectric 下载免费PDF全文
The effect of high overdrive voltage on the positive bias temperature instability(PBTI)trapping behavior is investigated for GaN metal–insulator–semiconductor high electron mobility transistor(MIS-HEMT)with LPCVD-SiNx gate dielectric.A higher overdrive voltage is more effective to accelerate the electrons trapping process,resulting in a unique trapping behavior,i.e.,a larger threshold voltage shift with a weaker time dependence and a weaker temperature dependence.Combining the degradation of electrical parameters with the frequency–conductance measurements,the unique trapping behavior is ascribed to the defect energy profile inside the gate dielectric changing with stress time,new interface/border traps with a broad distribution above the channel Fermi level are introduced by high overdrive voltage. 相似文献
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本文用X射线能量色散谱(EDS)、X射线衍射(XRD)谱、拉曼光谱和电化学等技术研究了直接甲酸燃料电池(DFAFC)中Vulcan XC-72炭黑载Ir(Ir/XC)和大孔炭载(Ir/MC)催化剂对氧还原的电催化性能和抗甲酸的能力。发现Ir/MC催化剂对氧还原的电催化性能要优于Ir/XC催化剂,氧起始还原电位比在Ir/XC催化剂上正移0.1V,极限电流密度比在Ir/XC催化剂上大30%左右。由于Ir/MC和Ir/XC催化剂的Ir粒子平均粒径和相对结晶度相似,因此,这只能归结于MC有大的孔径和孔率及高的石墨化程度。另外2种催化剂都有很好的抗甲酸能力。因此MC是一种比XC更好的催化剂的炭载体。 相似文献
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通过在多元金属体系中加入络合剂四氢呋喃(THF), 改变其热力学参数进而改变其动力学还原速率, 在低温下同时还原金属Pt和Ru, 制备了高分散、高合金化的Pt-Ru固溶体并均匀担载在有序介孔碳CMK-3上, 以形成二元复合金属催化剂. XRD图谱表明, f.c.c结构中Pt原子部分被h.c.p结构中Ru原子取代形成置换固溶体, 且几乎没有未合金的Ru存在. TEM, XRD和N2吸附-脱附研究显示, Pt-Ru/CMK-3催化剂中Pt-Ru合金粒子的平均粒径为3.2 nm, 且具有良好的均一度. 还研究了催化剂对甲醇的电催化氧化性能, 并与E-TEK公司同类催化剂进行了对比. 结果显示, Pt-Ru/CMK-3催化剂拥有较大的电化学活性面积, 对甲醇的电催化氧化性能和抗CO中毒能力明显优于其他同类催化剂. 相似文献
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以Na2[PbCl4]络合物溶液、Na2SeSO3溶液和TiO2纳米带为前驱物,采用水热法简单制备了无桥联PbSe修饰TiO2纳米带复合材料,并对该材料进行了罗丹明B的可见光催化降解活性测试。各种测试结果表明,立方相PbSe呈纳米粒子状态沉积在锐钛矿型TiO2纳米带表面,其沉积量可通过重复合成次数在一定程度上得到控制,但对TiO2纳米带比表面积影响很小,PbSe修饰有利于对有机物降解的光催化作用;PbSe对TiO2纳米带修饰呈现出明显可见光吸收,对TiO2起到光敏化作用;可见光催化结果证实,PbSe修饰TiO2纳米带对罗丹明B光催化降解活性远比纯TiO2纳米带高出许多。 相似文献
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Mehrotra-type predictor-corrector algorithm,as one of most efficient interior point methods,has become the backbones of most optimization packages.Salahi et al.proposed a cut strategy based algorithm for linear optimization that enjoyed polynomial complexity and maintained its efficiency in practice.We extend their algorithm to P*(κ)linear complementarity problems.The way of choosing corrector direction for our algorithm is different from theirs. The new algorithm has been proved to have an ο((1+4κ)(17+19κ) √(1+2κn)3/2log[(x0)Ts0/ε] worst case iteration complexity bound.An numerical experiment verifies the feasibility of the new algorithm. 相似文献