柯楠因诱导寡聚腺嘌呤核苷酸双螺旋结构增强赛博绿Ⅰ荧光及柯楠因的高灵敏和高选择荧光检测

柯楠因是原小檗碱类生物碱类似物.研究发现,在近生理酸度下柯楠因与寡聚腺嘌呤核苷酸(poly A16)形成双链结构,明显增强DNA嵌入染料赛博绿I(SG I)的荧光.在优化条件下,530 nm处荧光增强与60～600 nmol/L的柯楠因呈线性关系,检测限(3σ)为30 nmol/L.方法选择性好,同倍含量的小檗碱类似物不产生干扰.将所建立的方法用于柯楠因合成样的测定,回收率在92.5%～105%之间,相对标准偏差RSD小于3.1%(n=3).     

炭载Pd-Pt催化剂中Pd和Pt原子比对直接甲醇燃料电池阴极催化性能的影响

研究了不同Pd和Pt原子比的炭载Pd-Pt(Pd-Pt/C)催化剂对氧还原的电催化性能和抗甲醇性能。 发现当Pd和Pt原子比从20∶0增加至17∶3时,Pd-Pt/C催化剂对氧还原的电催化活性逐步增加,而对甲醇氧化均元电催化活性,表明有很好的抗甲醇能力。 但当Pd和Pt原子比增加至16∶4时,虽然对氧还原的电催化活性还在增加,但抗甲醇能力下降。 所以当Pd-Pt原子比为17∶3时,Pd-Pt/C有很好的对氧还原的电催化性能和抗甲醇能力,可以用作直接甲醇燃料电池(DMFC)的阴极催化剂。     

SrZn(WO_4)_2∶Tb~(3+),Ce~(3+)绿色荧光粉的制备及发光性能研究

通过化学共沉淀法制备了适合近紫外激发的SrZn1-x(WO4)2∶xTb3+∶yCe3+系列绿色荧光粉。利用X射线衍射(XRD)分析了不同掺杂比例对样品物相的影响。采用荧光光谱(PL)对样品的激发光谱和发射光谱进行了表征。分别讨论了稀土Tb3+单掺及Ce3+和Tb3+共掺对样品发光性能的影响。XRD分析表明:样品的主衍射峰与标准卡片(JCPDS 08-0490和JCPDS 15-0774)的衍射峰基本一致,说明单掺和共掺稀土离子均未改变基质晶格结构。在样品的激发光谱中,223nm为主激发峰,属于Tb3+的7F—7 D自旋允许跃迁。在223nm的紫外光激发下,样品发射光谱主发射峰位置在543nm,归属于Tb3+的5 D4→7 F5跃迁。当Ce3+和Tb3+共掺时,峰型和位置变化不大,Ce3+和Tb3+掺杂摩尔分数比为0.02∶0.06时,发光强度得到很大提高,说明Ce3+和Tb3+之间存在着能量传递。     

电解液中的乙二胺四甲叉膦酸对甲酸在炭载Pd催化剂上电氧化性能的影响

利用X射线能量色散(EDS)谱、X射线衍射(XRD)谱、透射电子显微镜(TEM)和电化学等技术研究了在电解液中添加乙二胺四甲叉膦酸(EDTMP)对甲酸在Pd/C催化剂上电氧化性能的影响. 结果表明, 当EDTMP添加的浓度为0.5 mmol/L时, Pd/C催化剂对甲酸氧化的电催化活性和稳定性最好. 这主要归结于吸附在Pd/C催化剂表面的EDTMP不但能通过基团效应降低CO的吸附量, 还能抑制Pd/C催化剂催化甲酸分解的速率, 从而减少了CO的毒化作用. 但当EDTMP的浓度大于0.5 mmol/L时, 吸附过多的EDTMP反而会占据Pd的活性位点, 降低催化作用.     

Effect of overdrive voltage on PBTI trapping behavior in GaN MIS-HEMT with LPCVD SiN_x gate dielectric

The effect of high overdrive voltage on the positive bias temperature instability(PBTI)trapping behavior is investigated for GaN metal–insulator–semiconductor high electron mobility transistor(MIS-HEMT)with LPCVD-SiNx gate dielectric.A higher overdrive voltage is more effective to accelerate the electrons trapping process,resulting in a unique trapping behavior,i.e.,a larger threshold voltage shift with a weaker time dependence and a weaker temperature dependence.Combining the degradation of electrical parameters with the frequency–conductance measurements,the unique trapping behavior is ascribed to the defect energy profile inside the gate dielectric changing with stress time,new interface/border traps with a broad distribution above the channel Fermi level are introduced by high overdrive voltage.     

双（取代环戊二烯基）二氯化钛的晶体结构分析

报道了双（１－正戊基环己基茂）二氯化钛［（η５－Ｃ５Ｈ４Ｃ（ＣＨ２）５（Ｃ５Ｈ１１－ｎ］２ＴｉＣｌ２（Ｉ）及双（１－甲基－１－（α－噻吩基）乙基环戊二烯基）二氯化钛［η￣５－Ｃ５Ｈ４Ｃ（ＣＨ３）＿２－］２ＴｉＣｌ２（Ⅱ）的晶体结构和分子结构。二者均系单斜晶系，（Ｉ）的空间群为Ｐ２／ｎ，晶胞参数ａ＝１４．１８０（２），ｂ＝６．５６２（１），ｃ＝１７．０４６（３），β＝９９．６３（１）°，Ｚ＝２，Ｖ＝１５６３．８，Ｄｘ＝１．１８８ｇ／ｃｍ３，Ｆ（０００）＝５９６，Ｍｒ＝５５３．５６，λ＝０．７１０７３μ＝４．５９ｃｍ－１，Ｒ＝０．０５８，Ｒｗ＝０．０６６；（１）的空间群为Ｃ２／ｃ，晶胞参数ａ＝２５．７１３（１），ｂ＝６．６１７（１），ｃ＝１３．５９１（１），β＝９２．７８（２）°，Ｚ＝４，Ｖ＝２３０９．８，Ｄｘ＝１．４３０ｇ／ｃｍ３，Ｍｒ＝４９７．４１，λ＝０．７１０７３，μ＝７．８２２ｃｍ－１，Ｆ（０００）＝１０３２，Ｒ＝０．０５５，Ｒｗ＝０．０７２。茂环上取代基对茂环金属化合物的结构产生较大影响，空间阻碍的增大使得取代基与茂环相连Ｃ－Ｃ单键增长。     

炭载Ir-Co催化剂的制备及其对氨氧化的电催化性能

通过液相化学还原法制备了炭载Ir-Co(Ir-Co/C)催化剂。 X射线衍射测试表明,Co原子进入了金属Ir的晶格中,形成了Ir-Co合金,并导致了Ir晶格收缩。 透射电子显微镜观察表明,Ir-Co纳米颗粒均匀分散在炭载体表面,没有出现Ir/C催化剂中金属Ir严重团聚的现象。 电化学测试表明,与炭载Ir(Ir/C)催化剂相比,NH3在Ir-Co/C催化剂电极上氧化的起始电位负移,峰电流密度增大,增加了检测灵敏度和降低了检出限,表明Ir-Co/C催化剂对NH3氧化的电催化性能明显优于Ir/C催化剂。 Ir-Co/C催化剂在电化学氨气传感器中有良好的应用前景。     

In-situ study of precipitates in Al–Zn–Mg–Cu alloys using anomalous small-angle x-ray scattering

In the present work,the precipitate compositions and precipitate amounts of these elements(including the size distribution,volume fraction,and inter-precipitate distance) on the Cu-containing 7000 series aluminum alloys(7150 and 7085 Al alloys),are investigated by anomalous small-angle x-ray scattering(ASAXS) at various energies.The scattering intensity of 7150 alloy with T6 aging treatment decreases as the incident x-ray energy approaches the Zn absorption edge from the lower energy side,while scattering intensity does not show a noticeable energy dependence near the Cu absorption edge.Similar results are observed in the 7085 alloy in an aging process(120℃) by employing in-situ ASAXS measurements,indicating that the precipitate compositions should include Zn element and should not be strongly related to Cu element at the early stage after 10 min.In the aging process,the precipitate particles with an initial average size of ~ 8 ?A increase with aging time at an energy of 9.60 ke V,while the increase with a slower rate is observed at an energy of 9.65 ke V as near the Zn absorption edge.     

铽-铕共掺杂的SrMoO4荧光体的制备与发光性质

本文以Na2MoO4、Eu2O3 、Tb4O7和SrCl2为主要原料,通过共沉淀法制备了Sro.95 MoO4∶xEu3+∶(0.05-x)Tb3+荧光粉.通过X-射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、荧光光谱分析(PL)对样品进行了表征.XRD分析结果表明产物为纯白钨矿型纯四方相SrMoO4,5;的总掺杂量没有引起基质结构的变化.样品在800℃时,发光性能最好,在223 nm紫外光的激发下,Tb3+在486 nm、543 nm、583 nm、617 nm处有一组发射峰,分别对应于Tb3+的5 D4→+7F6、5D4→7F4、5D4→7F4、5D4→7F3的跃迁.Eu3+、Tb3+共掺杂时,发射光谱中Eu3+主发射峰位于611 nm附近,归属于5D0-7F2能级跃迁发射,而位于583 nm附近的弱发射峰归属于5D0-7 F1跃迁.     

NaYF4∶Yb,Er/氧化石墨烯纳米复合材料的制备、表征及上转换发光性能

采用“一锅”和直接混合两种制备过程,制得了NaYF₄∶Yb, Er/氧化石墨烯（rGO）和SiO₂包覆NaYF₄∶Yb, Er/rGO两系列纳米复合材料。各种测试结果表明,NaYF₄∶Yb, Er是以α型立方结构和纳米粒子形状存在于复合材料中,粒径主要在30～70 nm间,而rGO则较好地分散在其中,但“一锅”法制得的rGO呈现更好的分散性。Raman光谱证实,在这两种纳米材料之间存在表面耦合相互作用,且随着rGO相对含量增大,它们之间接触面积逐渐增多,相互作用也逐渐增强。上转换发光测试结果表明,rGO具有很好的发光猝灭效应和光限幅现象,尤其是对NaYF₄∶Yb, Er的红光带影响更加显著。随着rGO相对含量逐渐增加,红光带发光强度逐渐降低,而绿光带变化不大。对于使用不同方法制备的样品,在具有相似含量情况下,由于团聚rGO具有更强的吸光作用,SiO₂包覆样品的红光带发光强度受到rGO影响更大。