非对称损失函数下Burr Ⅻ型分布可靠性指标的Bayes估计

本文研究了R=P(Y＜X)在两种非对称损失函数下的Bayes估计问题,其中随机变量X和Y相互独立且服从不同的Burr XII型分布.利用Lindley近似方法,获得了Bayes估计的显式近似表达式,通过随机模拟比较了不同损失函数下的Bayes估计的性质.     

整合素αvβ3 靶向PET探针 18 F-c(RGDfK) 在Cu(Ⅰ)催化体系中的点击合成

通过2-叠氮乙基对甲苯磺酸酯的18F-亲核取代反应, 制备了[18F]2-氟叠氮乙烷, 并与丙炔酸修饰的c(RGDfK)反应, 采用常用的CuSO4/NaVc催化体系, 并尝试了CuI(s)和CuI/NH4OH 2种催化体系, 通过点击化学方法合成了整合素αvβ3靶向PET探针[18F]氟乙基-1,4-取代1,2,3-三唑c(RGDfK)[18F-c(RGDfK)]. 在CuSO4/NaVc的催化下, 18F-c(RGDfK)的总合成时间约为60 min, 总收率62%(从[18F]F-起计, 经过衰变校正). 实验结果表明, 点击化学方法高效便捷, 适于多肽的18F标记.     

利用原子干涉仪实现高精度惯性测量

综述了目前国内外正积极研制的原子干涉仪.它是建立在激光冷却、囚禁与操控原子理论基础上,利用原子本身作为自由下落的"测试物体"来测量仪器所受到的惯性力.这种新型惯性敏感器能以前所未有的精度同时测量物体的旋转角速度和线性加速度,并可通过原子对抛技术实现两种量测量的区分,这已为诸多实验所验证.报道了国内外原子干涉仪的最新研制进展.原子干涉仪的紧凑性和长时稳定性将使其在惯性测量领域获得更广泛的工程应用.     

Fe掺杂g-C3N4的制备及其可见光催化性能

以硝酸铁和三聚氰胺为原料制备不同含铁量的Fe 掺杂石墨氮化碳（g-C₃N₄）. 采用X 射线衍射光谱（XRD）、紫外-可见（UV-Vis）光谱、傅里叶变换红外（FT-IR）光谱、电感耦合等离子体-原子发射光谱（ICP-AES）、荧光（PL）光谱、X光电子能谱（XPS）等分析手段对制备的催化剂进行了表征. 结果表明,铁以离子形式镶嵌在g-C₃N₄的结构单元中,影响了g-C₃N₄的能带结构,增加了g-C₃N₄对可见光的吸收,降低了光生电子-空穴对的复合几率. 以染料罗丹明B的降解为探针反应系统研究了不同含铁量对g-C₃N₄在可见光下催化性能的影响. 结果表明,m（Fe）/m（g-C₃N₄）=0.14%时,制备的Fe 掺杂g-C₃N₄表现出最佳的光催化性能,120 min 内罗丹明B的降解率高达99.7%,速率常数达到0.026 min^-1,是纯g-C₃N₄的3.2 倍. 以叔丁醇、对苯醌、乙二胺四乙酸二钠为自由基（·OH）、自由基（O₂^-·）和空穴（h_VB⁺）的捕获剂,研究了光催化反应机理.     

鱼肉中微囊藻毒素的高效液相色谱法分析

应用反相高效液相色谱法分析了鱼肉中藻毒素的含量。用BDS C18色谱柱,以水（含1％三氟乙酸）：甲醇＝30：70（V／V）溶液为流动相,238nm紫外检测。鱼肉样品用甲醇－水和丙酮混合溶剂提取,经正已烷萃取后,将有机相弃去,水相用固相萃取柱净化后进行高效液相色谱分析。该法检测限为10ng/g,峰面积标准曲线在50－250ng范围内有良好线性关系,平均回收率为85．1％－88．2％。     

PPEGMEA-g-PDEAEMA全亲水接枝共聚物的合成及其 包埋甲氨喋呤体外控释的研究

以聚乙二醇丙烯酸酯(PEGMEA)为起始原料, 将原子转移自由基聚合(ATRP)技术和从主干接枝(grafting-from)策略相结合, 合成了结构规整的聚甲基醚聚乙二醇丙烯酸酯-g-聚(N,N’-二乙基胺乙基甲基丙烯酸酯) (PPEGMEA-g- PDEAEMA)接枝共聚物. 这种接枝共聚物通过静电作用形成胶束包埋甲氨喋呤(MTX), 得到具有98.7%高包封率的药物载体, 体外药物释放得到很好的控制.     

First-principles calculations of structure and high pressure phase transition in gallium nitride

The phase transitions of semiconductor GaN from the Wurtzite (WZ) structure and the zinc-blende (ZB) structure to the rocksalt (RS) structure are investigated by using the first-principles plane-wave pseudopotential density functional method combined with the ultrasoft pseudopotential scheme in the generalized gradient approximation (GGA) correction. It is found that the phase transitions from the WZ structure and the ZB structure to the RS structure occur at pressures of 46.1 GPa and 45.2 GPa, respectively. The lattice parameters, bulk moduli and their pressure derivatives of these structures of GaN are also calculated. Our results are consistent with available experimental and other theoretical results. The dependence of the normalized formula-unit volume $V/V_{0 }$ on pressure $P$ is also successfully obtained.     

3英寸6H-SiC单晶的生长

SiC是宽带隙半导体材料的典型代表,具有优良的热学、力学、化学和电学性质,不但可以用作基于GaN的蓝色发光二极管的衬底材料,同时又是制作高温、高频、大功率电子器件的最佳材料之一,因此高质量、大直径SiC单晶的生长一直是材料研究领域的热点课题。目前美国的Cree公司在SiC单晶生长领域研发方面起步早、投入大,SiC单晶的直径达到4英寸,处于领先地位。我国在“十五”期间投入了一定的人力、物力进行了SiC单晶生长的研究,在生长2英寸SiC单晶的工作中取得了一定的成绩[1],但更大直径的SiC单晶生长技术进展缓慢,至今未见国内报道。而对…     

沿[1-100]方向升华法生长6H-SiC单晶

本文采用升华法沿着垂直于c轴方向的[1-100]方向生长6H-SiC单晶.利用光学显微镜对晶体表面及腐蚀后的晶片进行观察,发现沿[1-100]方向生长出的单晶与传统方法沿[0001]方向生长单晶有很多的不同之处,多型对于籽晶的继承性非常强,但是在生长过程中多型夹杂不会发生,该方法生长的晶体中没有发现螺位错(微管)缺陷.     

6H-SiC衬底片的表面处理

相比于蓝宝石,6H-SiC是制作GaN高功率器件更有前途的衬底.本文研究了表面处理如研磨、化学机械抛光对6H-SiC衬底表面特性的影响.用显微镜、原子力显微镜、拉曼光谱、卢瑟福背散射谱表征了衬底表面.结果表明经过两步化学机械抛光后提高了表面质量.经第二步化学机械抛光后的衬底具有优异的表面形貌、高透射率和极小的损伤层,其表面粗糙度RMS是0.12nm.在该衬底上用MOCVD方法长出了高质量的GaN外延膜.