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基于粗粒化分子动力学方法模拟电驱动蛋白质过孔过程,研究纳米孔-水/纳米孔-蛋白质相互作用对电泳迁移率的影响;用操控式分子动力学模拟分析蛋白质在不同相互作用下过孔摩擦系数和摩擦阻力.研究发现:蛋白质黏附纳米孔壁面对其过孔特性影响并不明显,而纳米孔-水相互作用对蛋白质过孔电泳迁移率和摩擦系数影响较大.随纳米孔-水相互作用增强,纳米孔壁面与蛋白质附近水分子运动差异显现,蛋白质过孔摩擦阻力显著增大,过孔摩擦系数随之增大,进而影响蛋白质过孔电泳迁移率.所得结果可为纳米孔材料设计提供理论指导. 相似文献
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宇德明 《数学的实践与认识》2008,38(6):73-79
为了编制和优化施工进度计划,计算构成施工项目的各项工作最早开始时间、最迟开始时间、最早完成时间、最迟完成时间、总时差和自由时差等时间参数十分重要.提出了一种计算工作时间参数新方法.该方法以工作完成时间为决策变量,通过建立和求解线性规划模型来得到各种工作时间参数.其建模思路清晰,不需绘制网络图,能用通用办公软件EXCEL求解.模拟计算表明,用该方法与用标准网络计划技术计算出的工作时间参数完全一致. 相似文献
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碰撞模型下运动物体所受空气阻力的教学 总被引:1,自引:0,他引:1
本文利用简单的碰撞模型,讨论了在空气中运行的物体所受空气阻力与物体的运动速度有关。 相似文献
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Wide-Angle Ultra-Broadband Metamaterial Absorber with Polarization-Insensitive Characteristics 下载免费PDF全文
An ultra-wideband metamaterial absorber is developed,which is polarized-insensitive and angular-stable.Three layers of square resistive films comprise the proposed metamaterial.The optimal values of geometric parameters are obtained,such that the designed absorber can achieve an ultra-broadband absorption response from 4.73 to 39.04 GHz(relative bandwidth of 156.7%)for both transverse electricity and transverse magnetic waves.Moreover,impedance matching theory and an equivalent circuit model are utilized for the absorption mechanism analysis.The compatibility of equivalent circuit calculation results,together with both full-wave simulation and experimental results,demonstrates the excellent performance and applicability of the proposed metamaterial absorber. 相似文献
66.
聚芴类半导体光谱稳定性 总被引:2,自引:0,他引:2
有机半导体的物理和化学性质直接影响其光电器件的性能, 这为物理化学提出了新的研究内容与挑战. 其中, 聚芴类蓝光二极管的光谱稳定性及低能发射带(LEEB)的起源问题是国际上近十年的热点问题之一. 本文系统概述了低能发射带的现象、表征方法以及可能的形成机理, 包括链间作用导致的激基缔合物发射、器件制备或降解过程形成的芴酮缺陷发射、芴酮聚集态发射以及聚芴端羟基界面氧化导致的绿光发射. 本文综述各种物理掺杂和界面调控改善聚芴类二极管蓝光稳定性的策略, 着重论述非平面基团的空间位阻、分子构象与链的拓扑结构以及引入抗氧化受阻胺光稳定剂来提高其光谱稳定性策略. 相似文献
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Identification and elimination of inductively coupled plasma-induced defects in AlxGa1 - xN/GaN heterostructures 下载免费PDF全文
By using temperature-dependent Hall,variable-frequency capacitance-voltage and cathodoluminescence (CL) measurements,the identification of inductively coupled plasma (ICP)-induced defect states around the Al x Ga 1-x N/GaN heterointerface and their elimination by subsequent annealing in Al x Ga 1-x N/GaN heterostructures are systematically investigated.The energy levels of interface states with activation energies in a range from 0.211 to 0.253 eV below the conduction band of GaN are observed.The interface state density after the ICP-etching process is as high as 2.75×10 12 cm 2 ·eV 1.The ICP-induced interface states could be reduced by two orders of magnitude by subsequent annealing in N 2 ambient.The CL studies indicate that the ICP-induced defects should be Ga-vacancy related. 相似文献
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