担载液相催化剂的研究——Ⅴ. 担载液相催化剂的EXAFS表征

本文利用EXAFS(Extended X-ray Absorption Fine Structure)对铑基担载液相催化剂(Supported Liquid Phase Catalyst SLPC)进行了结构表征。采用球面波理论对SLPC的EXAFS结果进行了多参数拟合。结果表明,在新鲜催化剂上,铑络合物以二聚物形式存在,推测其结构为(PPh_3)_2(CO)Rh-Rah(CO)(PPh_3)_2,Rh-C-O偏离共线分布。在经过羰化反应活化的活性SLPC上,铑络合物为单核的HRh(CO)_2(PPh_3)或Rh(CO)_2(PPh_32)_3。文中还讨论了SLPC的XRD谱。     

近表面周期裂纹阵对 SH 波的散射

本文研究了半空间中一近表面、裂纹取向任意的周期裂纹阵对 SH 波的散射场。利用周期性的条件.将问题归结为一个典型条带中含单个裂纹的问题,导出了以裂纹张开位移为未知函数的奇异积分方程。给出了零阶反射系数 R_0,半空间表面位移ωs和裂纹尖端的动态应力强度因子(?)随入射波的波数及问题的几何参数的变化关系。能量平衡关系的符合及低频情况下与一个简化模型的比较结果证明了数值计算的可靠性。     

陶瓷的摩擦学

本文讨论了影响陶瓷摩擦学特性的主要因素。一般而论,环境对陶瓷摩擦和磨损性能的影响大于对金属材料的。靠近陶瓷表面的外层通常受表面吸附层的物理影响,而有时也化学地形成反应产物层。无论是物理性质的还是化学性质的表面层,均以具有高屈服压力,并起到诸如固体润滑层作用的陶瓷固体结构为支撑。     

氨基磺酸类药物作为化学杀雄剂的研究

<正> 前言利用杂种优势提高粮食产量在我国已获经济效果。化学诱导雄性不育即化学杀雄是利用杂种优势的又一种途径,经过多年的农田试验,因其选配自由和操作简便而显示出它特有的优越性。化学杀雄剂是化学诱导雄性不育技术应用的先决条件,一种理想的杀雄剂应是雄性高不育和雌性高可育的高度选择性配子诱杀剂。多少年来,全国各地都希望能研制一种高效低毒的化学杀雄剂,并为此做了大量的工作。1978年以来,我们对多种化学药物进行了筛选和研制,初步评价氨基磺酸类药物是一种有前途的化学杀雄剂。     

用于高分辨率 PET探测器的LSO闪烁晶体的研究

LSO晶体具有密度大光输出量强和衰减时间短的特性使其成为在PET探测器领域的应用潜在的闪烁晶体材料.按照辐射成象系统应用的性能要求我们对LSO晶体的闪烁特性进行了评价.为了获取较高的光输出量,研究和验证了许许多多的晶体表面的状况对光输出量的影响.对于单个LSO晶体和R5900-00-C12位敏管相耦合的系统,钠伽马射线源的511keV的能量峰处的能量分辨率为15%,时间分辨率为0.65ns,最后对三个LSO阵列分别成象验证了其空间分辨本领.     

电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)测定高碳铬铁中的硅、磷、锰

采用氢氟酸和高氯酸的混合酸为溶剂,微波消解法处理高碳铬铁样品,电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)测定溶液中的硅、磷和锰,利用仪器扣背景的功能消除高浓度基体的干扰。结果表明,样品不经基体匹配可以直接测定。方法的线性相关系数大于0.999 94,能够同时测定三种金属元素,具有快速、高效、清洁、污染少等优点,完全能满足分析的要求。     

食品中降解糖的高灵敏、高选择性的检测方法

本文使用岛津公司开发的,以精氨酸为衍生剂的降解糖柱后衍生荧光检测系统,并选择配位体交换色谱法为分离手段,获得了6种降解糖的线性关系和检出限。本法重现性较好。利用该法测定了酱菜汁中的各种糖组分的含量,分析结果满意。     

Plasma-assisted surface treatment for low-temperature annealed ohmic contact on AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors

In this study, a low-temperature annealed ohmic contact process was proposed on Al Ga N/Ga N heterostructure field effect transistors(HFETs) with the assistance of inductively coupled plasma(ICP) surface treatment. The effect of ICP treatment process on the 2DEG channel as well as the formation mechanism of the low annealing temperature ohmic contact was investigated. An appropriate residual Al Ga N thickness and a plasma-induced damage are considered to contribute to the low-temperature annealed ohmic contact. By using a single Al layer to replace the conventional Ti/Al stacks, ohmic contact with a contact resistance of 0.35 ?·mm was obtained when annealed at 575?C for 3 min. Good ohmic contact was also obtained by annealing at 500?C for 20 min.     

注氢铁基二元合金中辐照位错环演化及退火温度影响研究

本文基于注氢纯铁和铁基二元合金(Fe-3%Cr、Fe-1.4%Ni和Fe-1.4%Mn,质量分数)开展常规透射电镜(200 kV)的原位表征观察,揭示了材料中辐照位错环的形态、尺寸演化行为及退火温度影响,并依据辐照损伤演化理论、退火过程中位错环平均尺寸变化推断得到空位型位错环形成温度的范围.注氢纯铁中空位型位错环的形成温度(T_c)约为500℃;添加Ni可使T_c降低至～450℃,添加Cr可使T_c升高至600℃以上,而Mn的作用与Cr相似,亦可使T_c升高.注氘实验和热脱附谱分析进一步表明,纯铁和铁基二元合金中空位型位错环的形成温度受氢同位素与空位结合、释放过程影响.合金元素Ni对氢同位素与空位的结合、释放有促进作用,故导致T_c降低;而Cr和Mn均对氢同位素与空位的结合、释放产生抑制作用,故导致T_c升高.本文展示的有关合金元素对空位型位错环形成温度影响的研究将有助于更深刻理解铁基合金体系中损伤结构演化和辐照肿胀产生机理.