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较为系统地研究了掺碳p型GaAs和InGaAs的金属有机物分子束外延(MOMBE)生长特性和电学特性。结果表明,衬底温度和分子束强度等生长条件对于样品的生长速率、空穴浓度及In组分含量等具有较大的影响,在InGaAs的生长中这种影响更为强烈。根据对实验结果的分析,可以认为,作为分子束源之一的TMGGa(CH3)3,trimethylgallium,三甲基镓的分解状态与生长条件的相关性,是引起生长速率和空穴浓度等变化的主要因素。
关键词: 相似文献
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试谈初中数学中的充要条件问题及其教学处理贺信淳(北京市东城区教研科研中心100010)根据教学大纲的安排,充要条件这一教学内容是在高二解析几何中学习的,但是,由于充要条件的思想是进行逻辑思维的重要的指导思想,所以无不渗透在整个数学活动中,即使在初中的... 相似文献
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本文从理论上研究了半导体非共振透明区光脉冲非线性传输的时域和频域行为,并对应用自由载流子非线性折射效应来构造非线性方向耦合器的可能性进行了分析。 相似文献
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