纳米AgBr/PMMA光致变色杂化材料制备与表征

采用本体聚合法制备了纳米AgBr/PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)光致变色杂化材料. XRD分析表明，纳米AgBr/PMMA杂化材料是无定形的. SEM分析表明， AgBr含量不同，杂化材料的断面形貌明显不同，随AgBr含量的增加，杂化材料由韧性断裂向脆性断裂转变. EDS面分析表明， Ag、Br元素在杂化材料中均匀分布.所制备的纳米AgBr/PMMA杂化材料具有一定的光致变色效应.     

掺Ce3+、Gd3+、Tb3+的CaLaB7O13的光

采用固相反应法合成了接Ce3+、Gd3+、Tb3+的CaLaB7O13,并测定了它们的光谱。在Ce3+的光谱中发现文献中尚未报导的317nm激发峰和293nm发射峰。293发射属于不常见的5d能带中次最低能级向基态的跃迁,并随着Ce3+离子浓度增加而变弱,当掺杂浓度大于0.1mol时,293nm发射峰消失。     

LiMAlF6(M=Ca,Sr)基质中Ce3+、Eu3+、Tb3+的光谱研究

合成了Ce³⁺、Eu³⁺、Tb³⁺激活的LiMAlF₆(M=Ca,Sr)磷光体,研究了它们的光谱特性.观察到稀土离子在LiCaAlF₆和LiSrAlF₆中的光谱十分相似.这与它们所处的晶场环境相同有关.发现Ce³⁺在此基质中有较弱的330nm发射,这一Ce³⁺的发光中心可用于作为材料质量的评价.     

YP1xVxO4∶Eu3+在真空紫外区发光的优化

系统地考查了Eu3 + 在YPO4 YVO4 固溶体中的发光。当V5+ 的浓度低于 0 3 ,出现VO4 3 -离子团的蓝色发射 ;直到V5+ 的浓度等于或大于 0 3时 ,VO4 3 -离子团的蓝色发射才被Eu3 + 离子的红色发射所猝灭 ,发射主波长在 61 9nm。在真空紫外线的激发下 ,Eu3 + 在YPO4 YVO4 固溶体有较强发光 ,并随着P5+ 浓度的增加 ,Eu3 + 离子的发光增强。经过优化的组成为YP0 7V0 3 O4 ∶Eu3 + 的荧光粉在真空紫外激发下既具有较强的发光 ,又具有优良的色纯度 ,将是一种新型的良好的等离子体平板显示用荧光粉。     

阳离子聚氨酯/CeO2纳米复合材料的制备

二氧化铈;阳离子聚氨酯/CeO2纳米复合材料的制备     

(Y,Gd)BO_3∶Eu的真空紫外光谱特性

近年来由于等离子体平板显示 (PDP)技术的需要 ,对真空紫外 (VUV)光激发的荧光粉的研究成为发光材料领域中的一个新方向 [1～ 3] .由于技术和实验仪器等方面的原因 [4 ] ,以往人们对稀土发光材料VUV区的研究很少 ,缺乏对其光谱和能级的完整认识 .另外 ,稀土离子 Gd3+在荧光粉的能量传递中具有特殊作用 ,一些含 Gd3+的发光材料在 VUV区发光效率很高 ,例如 ,(Y,Gd) BO3∶ Eu在 VUV区的发光效率比 YBO3∶ Eu提高了 2 0 % ,比 Y2 O3∶ Eu提高了 1 .8倍 ,与其它红粉相比更具有实际应用价值 [4 ,5] .但目前对于 (Y,Gd) BO3∶ Eu的研…     

激光晶体Nd:KGW晶体的表面缺陷观察

本文采用助熔剂籽晶提拉法生长出了Nd:KGW激光晶体.利用光学显微镜对晶体表面进行观察、并拍摄到晶体裂缝、生长丘、生长条纹和包裹物等缺陷的照片.分析其原因,是由于晶体生长工艺的不稳定,尤其是晶体生长过程中的温度梯度不够合适、提拉速度过快、降温速率偏快等所致.并由于生长体系粘度较大,容易形成包裹,晶体包裹物经XRD分析认为其中主要是熔体.     

BaMgAl_(10)O_(17)∶R~(2+)(R=Eu,Mn)的真空紫外光谱特性

采用高温固相反应法合成了BaMgAl10 O17∶R(R =Eu ,Mn)荧光体 ,测量了荧光体的真空紫外激发光谱和相应的发射光谱 ,观察到基质吸收带位于 16 5nm附近 ,Mn2 + 离子的吸收位于 170～ 2 40nm范围 ,Eu2 + 离子的 4f→ 5d吸收位于 2 10～ 40 0nm范围。真空紫外光谱特性的研究表明基质与激活离子之间存在较好的能量传递。     

PDP用荧光粉的真空紫外辐照特性

利用“等离子体显示用荧光粉光学测试系统”中147nm真空紫外光,对实用的（Y,Gd）BO_3:Eu红粉,Zn_2SiO_4:Mn和（Ba,Sr,Mg）O·nAl_2O_3:Mn绿粉以及（Ba,Mg）O·nAl_2O_3:Eu~(2+)蓝粉进行较长时间的辐照,以观察荧光粉的衰减特性,发现红粉衰减最小,蓝粉初始衰减较快,而绿粉亮度存在一个先升后降的现象。