基于平面四配位碳单元CAl2Si2夹心组装的理论研究

对含Si的ptC单元CAl2Si2进行了夹心组装的理论研究, 发现当CAl2Si2与碱金属及碱土金属(M=Li, Na, K, Be , Mg, Ca)组装成夹心化合物时, 由于CAl2Si2之间强烈的熔合作用, 不能采取传统的“同夹板夹心”方式, 即[(CAl2Si2)M(CAl2Si2)]q+的形式, 而新的“杂夹板夹心”形式([CpM(CAl2Si2)]q+)更适合CAl2Si2的组装. 计算结果表明, 在组装过程中, CAl2Si2的电子和结构特征得到很好的保持. 因此, 平面四配位碳单元CAl2Si2可以作为“建筑单元”构建大尺寸含平面中心碳的化合物.     

免疫亲和色谱-高效液相色谱法测定河水和土壤中克百威、三唑磷和绿磺隆残留量

将河水或土壤样品的丙酮提取液通过串联的分别装有克百威、三唑磷和绿磺隆免疫亲和吸着剂的3支免疫亲和色谱柱(IAC)或同时装有上述3种吸着剂的多抗体IAC,对样品中克百威、三唑磷及绿磺隆3种农药进行分离。采用串联IAC分离时,在样品溶液过柱后,将串联的IAC柱分开,并用不同配比的甲醇-水溶液分别从3支IAC柱上洗脱农药,用ELISA和HPLC分别测得农药的含量。采用多抗体IAC分离时,用甲醇-水溶液洗脱后,用上述两种方法测得洗脱液中3种农药的含量。对2种分离方法作回收和精密度试验,两方法的回收率和重复性基本一致。     

离散流上的不变测度与上同调

讨论一离散流上不变测度的存在性 ,在 (Ω ,m0 )是一般概率测度空间 ,T是Ω上遍历自同构 ,f∈L¹(Ω ,m0 )时 ,建立上同调函数方程 f =h°T -h具有解h∈L²(Ω ,m0 )的一组等价条件 ,进而给出h的表达式 ,即得到关于Kachurovskii猜想的进一步结论     

高压处理种子对西瓜生长发育的影响

以8个汴梁西瓜品种(京引21、花皮88、圳板、郭牟、金玫黑、金小兰、日本瓜和蜜玫绿)为实验材料,采用样本率的显著性检验t、检验及单因素方差分析方法,研究了26~28 MPa的高氮气压及50~150 MPa的高静水压处理种子对西瓜出苗率、叶绿素含量、过氧化物酶活性、单瓜重、含糖量等生长特性的影响。结果表明:高压处理会显著(P0.05)或极显著(P0.01)地降低西瓜的出苗率和幼苗期叶片的类胡萝卜素含量,提高幼苗期叶片的叶绿素a含量和过氧化物酶的活性。高压处理种子对于含糖量和单瓜重这两个农艺性状的影响,品种间存在较大差异。其中,在50~150 MPa高压下处理种子20 min主要影响日本瓜(P0.001)和金小兰(P0.092)的单瓜重以及郭牟的含糖量(P0.064)。     

带强迫项变系数组合kdv方程新的类Jacobi椭圆函数解

通过推广的Jacobi椭圆函数展开法,借助Mathematica软件,求出了带强迫项变系数组合kdv方程一系列新的精确解,部分解在极限情况下退化为类孤立波解和类三角函数解,丰富、简化和发展了已有的结果.     

以代数方法探讨结构系统再设计问题

利用矩阵修改理论探讨结构系统再设计问题,以等惯性转换求解动态劲度矩阵的隐根,并导出将特征值定位的计算方法;继而在隐根为已知下探讨隐向量的特质及解法,并确认修改后结构的振型必须区分成驻留性与非驻留性自然频率等两种状况处理.     

Ti/AIN陶瓷界面反应的光电子能谱研究

用X射线光电子能谱(XPS)研究了在室温和超高真空条件下金属Ti淀积在AlN陶瓷表面上的化学反应过程.在金属Ti淀积之前,从AlN陶瓷的能谱中的Ols和Al2P的结合能可以看到因是样品的主要杂质,而且样品表面部分的Al被氧化.当样品淀积了金属Ti以后,发现刚淀积上去的Ti是氧化状态,还发现在Ti淀积的同时则Nls在高结合能处(402和406eV)出现新峰.随着Ti淀积厚度的增加,Ti低结合能的成份在增加而Al的氧化成份逐渐增加,Nls高结合能处的峰(402和406eV)也逐渐增高,更进一步成为主导地.N在 关键词：     

Crystallographic tilt in GaN layers grown by epitaxial lateral overgrowth

The crystallographic tilt in GaN layers grown by epitaxial lateral overgrowth (ELO) on sapphire (0001) substrates was investigated by using double crystal X-ray diffraction (DC-XRD). It was found that ELO GaN stripes bent towards the SiN_x mask in the direction perpendicular to seeding lines. Each side of GaN (0002) peak in DC-XRD rocking curves was a broad peak related with the crystallographic tilt. This broad peak split into two peaks (denoted as A and B), and peak B disappeared gradually when the mask began to be removed by selective etching. Only narrow peak A remained when the SiN_x mask was removed completely. A model based on these results has been developed to show that there are two factors responsible for the crystallographic tilt: One is the non-uniformity elastic deformation caused by the interphase force between the ELO GaN layer and the SiN_x mask. The other is the plastic deformation, which is attributed to the change of the threading dislocations (TDs)—from vertical in the window regions to the lateral in the regions over the mask.     

英雄一世,学者一生--纪念吴杭生院士

2003年12月9日，伴随着贝多芬英雄交响曲的乐章，吴杭生先生的夫人、儿子、亲友、学生和同事将手中的鲜花放到他面前，向这位同命运抗争一生的英雄，这位视物理学为自己生命、求索一生的学者最后告别．