荧光素与咔唑分子内的光致电子转移反应

合成了以-(CH_2)_4-连接的荧光素,咔唑二元化合物,运用吸收光谱,荧光光谱及荧光寿命研究了咔唑在荧光素不同取代位置上的二元化合物分子内的光致电子转移过程,结果表明:分子内电子转移以动态过程为主.且当咔唑接在荧光素2’羧基端时,荧光素与咔唑的面对面取向较咔唑接在荧光素6位羟基端的肩并肩取向更有利于光致电子转移反应.     

四核铁配合物[Fe_4(NTB)_4(μ_2-O)_2(μ_4-Suc)](ClO_4)_6促进DNA水解

四核铁配合物[Fe4(NTB)4(μ2-O)2(μ4-Suc)](ClO4)6与DNA具有较强的结合作用,结合常数Kb达(5.9±0.4)×105L·mol-1。该多核铁配合物由水解途径促进DNA断裂,在酸性及低离子浓度条件下的促进作用较为显著。动力学分析表明DNA水解没有明显的序列选择性,质粒DNA从超螺旋转变为切口形式符合饱和酶动力学规律,饱和速率常数ksat=0.014min-1。     

Electromagnetic backscattering from freak in （1＋1）-dimensional deep-water

To study the electromagnetic （EM） backscatter characteristics of freak waves at moderate incidence angles, we establish an EM backscattering model for freak waves in （1＋1）-dimensional deep water. The nonlinear interaction between freak waves and Bragg short waves is considered to be the basic hydrodynamic spectra modulation mechanism in the model. Numerical results suggest that the EM backscattering intensities of freak waves are less than those from the background sea surface at moderate incidence angles. The normalised radar cross sections （NRCSs） from freak waves are highly polarisation dependent, even at low incidence angles, which is different from the situation for normal sea waves; moreover, the NRCS of freak waves is more polarisation dependent than the background sea surface. NRCS discrepancies between freak waves and the background sea surface with using horizontal transmitting horizomtal （HH） polarisation are larger than those using vertical transmitting vertical （VV） polarisation, at moderate incident angles. NRCS discrepancies between freak waves and background sea surface decreases with the increase of incidence angle, in both HH and VV polarisation radars. As an application, in the synthetic-aperture radar （SAR） imaging of freak waves, we suggest that freak waves should have extremely low backscatter NRCSs for the freak wave facet with the strongest slope. Compared with the background sea surface, the freak waves should be darker in HH polarisation echo images than in VV echo images, in SAR images. Freak waves can be more easily detected from the background sea surface in HH polarisation images than in VV polarisation images. The possibility of detection of freak waves at low incidence angles is much higher than at high incidence angles.     

基于最小生成树的二维图像深度分配

随着三维视频资源需求的增长,二维转三维(2D-3D)转换技术成为三维(3D)图像处理技术研究的焦点.由于2D视频中没有包含深度信息,2D-3D转换技术的关键在于2D视频中深度信息的提取.提出一种基于最小生成树的二维图像深度分配方法.利用最小生成树的方法对图像进行分割,然后先验理论对分割区域进行深度分配以产生合适的深度图像.最小生成树的方法不需要设置较多参数,对于不同场景的图像有较强的自适应性,而且最小生成树算法具有算法简单,运行速度快的优势.     

曙红酯与紫精的分子内及分子间的电子转移

合成了以—(CH_2)_1O.—相连的曙红和丁基紫精的二元化合物,运用吸收光谱,荧光光谱及荧光寿命,研究了分子间及分子内的光致电子转移过程,及加入β-环糊精或糖淀粉对二元化合物体系的影响.结果表明:分子内比分子间的作用显著增强,加入环糊精或糖淀粉后,其与二元化合物形成包结络合物,使电子转移的过程得到改变.     

荧光素与紫精、咔唑分子内的光致电子转移反应

合成了以-(CH_2)_4连接的荧光素、紫精、咔唑二元及三元化合物,运用吸收光谱,荧光光谱及荧光寿命研究了荧光素-咔唑、紫精-荧光素、紫精-荧光素-咔唑等二元、三元化合物分子内的光致相互作用,结果表明:分子内紫精对荧光素荧光的淬灭主要通过形成不发荧光的络合物,荧光淬灭的效率φ_Q为0.97,荧光寿命淬灭的效率φ_(ET)为0,不发荧光络合物的淬灭的效率φ_C为0.97.咔唑对荧光素荧光的淬灭则以动态的光致电子转移过程为主,荧光淬灭的效率φ_Q为0.63,荧光寿命淬灭的效率φ_(ET)也为0.63,不发荧光络合物的淬灭效率φ_C为0.在三元化合物内紫精-荧光素和荧光素-咔唑对光致相互作用是一种竞争过程,以荧光素-咔唑对间的动态电子转移反应为主,φ_Q为0.97,φ_(ET)为0.65,不发荧光络合物的淬灭效率φ_C为0.32.从反应自由能变化的角度对此进行了讨论.     

学生学习高等数学的动机初探

高等数学(以下简称高数)是工科院校最重要的基础课之一,也是大学一年级学时数最多的一门课程．它不仅是学生学习后继课程的必要基础,而且对学生各种能力的培养有着重要作用．通过高数的教学,对于刚刚结束中学学习的一年级学生掌握大学阶段的学习方法,培养良好的学风,也有着重要的意义．因此,本门课程的教学质量、教学效果不仅关系到学生对该门课程的学习,而且将直接或间接地影响到后继课程的教学,最终影响到高质量人才的培养．     

荧光素蒽醌甲酯分子内光诱导电子转移及电荷分离态的检测

合成了以荧光素为光敏剂的电子给体-受体二元化合物荧光素蒽醌甲酯(FL-AQ),用吸收光谱、荧光光谱、荧光寿命研究了该化合物在乙醇溶液中的光物理性质,并首次用纳秒级瞬态吸收光谱检测了此化合物分子内光诱导电子转移所形成的电荷分离态.在溶液中激发FL,电子可从FL有效地转移到AQ,其速率常数为3.95×10⁹s^-1,效率为95%.但由于电荷分离态寿命较短,瞬态吸收信号弱,若在此溶液中加入二氧化钛(TiO₂)纳米胶体,使FL-AQ吸附在胶体上,电荷分离态信号明显增强.480nm处FL^+·的寿命为11.1μs;560nm处AQ^-·的寿命为8.93μs.     

温度对空间光-单模光纤耦合的影响研究

环境的温度是影响运行于轨道中的光学天线系统性能的主要因素。当温度变化时,透镜和反射镜的曲率和镜组间隔会产生相应的变化,从而导致空间光-单模光纤耦合效率的下降。假设温度只改变天线系统焦距,而不改变光束成像质量,针对反射式光学天线,建立了温度影响空间光-单模光纤耦合效率的理论模型,并对其进行了理论仿真和实验研究。结果表明:实验和仿真结果相吻合,相对于理想情况下(离焦量为零),当温差增大2℃时,离焦量增大约52μm,耦合效率下降约10%。此研究结果可为光学天线温控精度的提出提供理论依据。     

单层MoS_2分子掺杂的第一性原理研究

基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法的计算,研究了通过吸附不同有机分子对单层MoS2进行化学掺杂.计算结果表明有机分子与MoS2单层衬底间的相互作用主要是范德瓦尔斯作用力.吸附不同有机分子的单层MoS2结构均表现出间接带隙的特征,还表明吸附TTF分子的单层MoS2结构表现出n型半导体的特质,而吸附TCNQ,TCNE两种分子的单层MoS2结构均表现出p型半导体的性质,这些结果表明可以通过改变吸附的分子来实现对单层MoS2的掺杂类型的调控.本文的研究结果将对单层MoS2在晶体管中的应用提供理论基础和指导.