片式消声器的设计及其在环境噪声控制中的应用

本文从应用角度，对片式消声器的结构，消声机理，设计原则等作了较为全面的阐述，介绍了应用实例，结合工程实践，提出了一个估算存在气流时消声系数的经验公式。     

热处理对富硅氧化硅薄膜中硅纳米晶形成的影响

采用磁控溅射法制备了富硅氧化硅薄膜, 然后分别经过一步热处理、两步热处理和快速热处理制备了镶嵌有硅纳米晶的氧化硅薄膜. 实验结果表明, 在硅含量为～ 42.63 at.%的富硅氧化硅薄膜中, 三种热处理均能形成10¹²/cm²量级的硅纳米晶. 其中在两步热处理中, 硅纳米晶的密度最高, 达到2.2× 10¹²/cm², 并且尺寸均匀、结晶完整性好; 一步热处理后的样品中, 硅纳米晶密度较低, 并且部分纳米晶结晶不充分; 快速热处理后的样品中, 硅纳米晶密度最低、尺寸分布不均匀, 并且存在孪晶结构. 分析认为, 热处理初始阶段的形核过程对纳米晶的密度及微观结构有着重要的影响, 两步热处理中的低温段促进了纳米晶的成核, 有助于形成高密度高质量硅纳米晶.     

1.06μm连续激光辐照TiO_2/SiO_2/K_9薄膜元件温升规律研究

利用1.06μm连续激光在不同强度下辐照TiO2/SiO2/K9薄膜元件,实验中用红外热像仪测量激光辐照在TiO2/SiO2/K9元件表面引起的温升随时间的变化,通过数据处理,获得激光辐照区域最高温度随辐照时间的增加而增加。同时,给出材料温升随材料发射率的变化关系。并用程序模拟不同激光强度下薄膜温度场的分布,通过实验测量数据校正数值模拟计算结果,给出TiO2/SiO2/K9薄膜元件温度随激光辐照强度和辐照时间的变化规律。并且获得在薄膜厚度方向:薄膜表面温度最高,基底与薄膜接触处温度最低;沿径向:激光辐照中心温度最高,边沿温度最低。     

Release Behaviour of Shock Loaded LY12 Aluminium Alloy

By making use of a light gas gun, a specially designed target is impacted by the LY12 flyer, and the pressure is taken in the range of 0.6-3 GPa. Based on the stress profiles measured in the buffer materials by manganese gauges, the Hugoniot curve and release curves of LY12 aluminium alloy are obtained. Meanwhile, the release curves from different initial shocked states are described in both the pressure-particle velocity plane and the pressure-specific volume plane.     

A≈80区奇–奇核80,82Rb的晕带能谱计算

在A≈80区奇-奇核旋称反转问题上已提出几种机制,但没有一种理论推断是结论性的.在本工作中将角动量投影壳模型应用到^80,82Rb核,对组态为πg_9/2⊙νg_9/2的正宇称晕带和组态为π(p_1/2,p_3/2,f_5/2)⊙νg_9/2 的负宇称晕带理论计算和实验结果进行了比较,特别是对正宇称晕带中的signature反转机制进行了探讨.角动量投影壳模型计算显示正宇称晕带中的signature反转是原子核随自旋增加形状发生变化的信号,其间原子核从低自旋的长椭球变到高自旋的扁椭球.此外,还确定了此两带的原子核形状     

188Pb形变和形状共存的研究

用角动量投影壳模型研究了188Pb核素的形状共存. 实验数据经过计算结果的分析,指出188Pb的低能激发态存在着对应于不同内部粒子组态的球形基态、扁椭球和长椭球三种形状的共存;预言了质子h9/2两粒子-两空穴扁椭球带;指出长椭球带是两种多粒子-空穴激发组态的混杂,并导出了混合系数. 由这些系数,可以说明中子i13/2破对引起的顺排对长椭球带的影响是一个渐进过程;并指出了2+态的能量范围在804-880keV.