Sol-gel法制备Bi0.85Nd0.15FeO3多铁性薄膜

利用sol-gel法在Pt/Ti/SiO₂/Si衬底上制备出Bi_0.85Nd_0.15FeO₃薄膜.研究退火温度对其晶相形成的影响,发现在450 ℃退火时,Bi_0.85Nd_0.15FeO₃晶相开始形成,但是结晶较差,而且存在杂相;在500—600 ℃退火可以获得单相Bi_0.85Nd_0.15FeO₃薄膜,退火温度升高有利于其结晶.对600 ℃退火的Bi_0.85Nd_0.15FeO₃薄膜的介电、铁电和电磁性能进行了测试.在测试频率为1 MHz时,其介电常数和介电损耗分别为145,0.032;饱和磁化强度大约为44.8 emu/cm³;剩余极化值(2P_r)大约是16.6 μC/cm². 关键词： sol-gel法 0.85Nd_0.15FeO₃薄膜')" href="#">Bi_0.85Nd_0.15FeO₃薄膜 铁电性能 铁磁性能     

ZrB_2-B_4C复相陶瓷的SPS烧结过程研究

采用碳化硼还原法,利用SPS烧结技术烧结制备了ZrB2-B4C复相陶瓷。采用热力学计算、示差扫描量热分析,结合不同温度下产物的物相分析,探讨了两个体系的SPS反应过程;对烧结过程中样品收缩数据进行分析,探讨了ZrB2-B4C体系的烧结机理。结果表明,原位制备ZrB2-B4C复相陶瓷过程中,反应温度与热力学理论计算的结果基本一致;在烧结初期收缩符合粘性流动传质方程,其烧结是表面熔融烧结机制。     

用于MEMS陀螺阵列信号处理的OBE平滑算法

为提高MEMS陀螺的精度,提出了一种基于最优定界椭球(OBE)的平滑算法,并将其用于陀螺阵列信号的处理.首先,利用多个相同型号的MEMS陀螺构成阵列,测量同一角速率信号,并建立数据融合模型.对于融合问题而言,噪声统计特性的不确定会导致传统融合方法精度下降.为解决该问题,引入仅要求噪声未知但有界的集员估计理论,结合RTS平滑思想,提出一种新的平滑算法作为融合方法,它由前向滤波和反向平滑两个过程构成:前者采用集员估计理论中的OBE滤波估计角速率,后者则逆序执行OBE算法进一步提高估计精度.实验表明:该方法能够将陀螺的静态漂移由0.5130(°)/s降低到0.1368(°)/s;动态条件下,在有效跟踪载体角度变化的同时,将漂移由0.5343(°)/s降低到0.1704(°)/s,显著提高了陀螺的使用精度.     

基于D-最优的惯性平台自标定方案设计

惯性平台自标定的标定方案设计目前多是依靠经验人为设计,而没有比较系统的标定方案设计方法,为解决此问题,提出了一种基于D-最优理论的惯性平台自标定方案设计方法。首先分析给出了包含36个待估计参数的平台系统误差模型;然后以陀螺仪和加速度计的输出模型为回归模型,将惯性平台自标定看作一个广义的多元回归问题,以D-最优理论为优化准则,提出了并行设计和串行设计两种标定方案设计思路。将得到的优化方案与传统的十六位置标定方案进行了仿真对比分析,仿真结果表明:优化方案的陀螺仪误差系数、加速度计误差系数和加速度计安装误差系数标定相对误差都在1%以下,与传统十六位置标定方案的标定精度相当;但优化方案的陀螺仪安装误差标定相对误差在5%左右,远远优于传统十六位置标定方案25%的相对误差;而且优化方案的标定位置更少,能够减少标定时间,验证了标定方案设计思路的正确性。     

碳化硼陶瓷的放电等离子烧结及其力学性能

以硼粉和石墨粉为原料,采用放电等离子烧结技术(SPS)反应烧结碳化硼陶瓷,使碳化硼的合成和致密化一次完成.研究结果表明:碳化硼的SPS反应烧结过程可以分为5个阶段,碳化硼合成的起始温度在1100 ℃左右,致密化的起始温度则在1650 ℃左右;在1800 ℃烧结得到了致密度为98.2;的碳化硼陶瓷,其维氏硬度和杨氏模量分别达到48.8 GPa和264.5 GPa.     

放电等离子烧结硼-碳系陶瓷

采用高纯硼粉和碳粉放电等离子烧结工艺(Spark Plasma Sintering technique)烧结了三种不同化学计量比的硼-碳系陶瓷,分别为:B3.5C, B4.0C和B4.5C.用X 射线衍射分析了烧结体的物相.结果表明:原始粉末在1300～1600℃合成富硼碳化硼陶瓷(B4C1-x),致密化过程则发生在1700℃～1900℃.用放电等离子烧结成功地在1900℃获得了相对致密度大于95;的碳化硼陶瓷.     

放电等离子烧结碳化硼陶瓷的工艺研究

以单质硼粉和石墨粉为原料,采用放电等离子烧结技术(Spark Plasma Sintering,SPS)制备了碳化硼陶瓷,使碳化硼的合成和致密化一次完成。系统研究了烧结温度、烧结压力、保温时间和升温制度等SPS工艺条件对碳化硼陶瓷烧结性能的影响。结果表明:碳化硼合成的起始温度在1100℃左右;较高的烧结温度和烧结压力、适中的保温时间和升温速率,以及两步保温的升温制度有利于碳化硼陶瓷的烧结致密化;确定了适宜的SPS工艺条件为烧结温度1800℃、烧结压力40 MPa、保温时间6 min,升温速率100℃/min、两步保温,在此条件下得到了致密度较高的碳化硼陶瓷。     

十二烷基氧丙基-β-羟基三甲基溴化铵与阴离子聚电解质的缔合作用

运用电势滴定和表面张力法研究了阳离子表面活性剂十二烷基氧丙基－β－羟基三甲基溴化铵(C12NBr)与疏水修饰的丙烯酸类聚合物AMB，AMBA及柔性阴离子聚合物HPAM的结合等温线。结果表明，C12NBr与HPAM缔合过程中有明显的协同特征，即结合量突然上升，并且在很窄的表面活性剂浓度范围内达到饱和。C12NBr与AMB或ANBA的相互作用是非协同性的，结合等温线经历了较宽的浓度范围，没有明显的临界聚集浓度，结合量较小，此现象归结为这类聚合物具有较高的疏水性。     

碳氟表面活性剂复配体系的中相微乳液研究

全氟辛酸钠(OBS)/十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)-正丁醇/正丙醇-油-盐水体系能形成多相微乳液, 本文应用正交试验设计寻找了最佳中相微乳液体系组成, 然后系统地研究了含盐量、表面活性剂总浓度, 醇总浓度, 油的种类对该体系中相微乳液的形成, 相态和其特性参数的影响。并且应用红外光谱对微乳液的微观结构进行了测定。最后还对碳氢表面活性剂和碳氢/碳氟表面活性剂复配体系进行了比较。本文结果对三次采油和日用化工等领域的应用以及对理论研究都具有重要的意义。     

计算机图形学反走样技术及实现

介绍了在计算机图形学中存在的走样问题，从频域的角度剖析了其产生的机理，阐明了反走样技术实现的基本原理和常见的实现方法，并对二维滤波的反走样技术作了细致的分析．通过对取样体积数值积分的数学推导，提出了二维圆锥形滤波器的关键参数的提取方法，并将此参数运用于消除显示直线时产生的锯齿现象，结合直线的中点画线法，在微机上用程序实现了直线的反走样图形算法，结果表明，此算法取得了令人满意的效果