7-α甲基-17-乙炔基-β-羟基雌甾-5-(10)-烯-3酮重排反应的NMR研究

甾体药物(LIVIAL)1在微酸性条件下发生重排反应得另一化合物2.对化合物1,2应用NMR梯度场反相实验(GCOSY,GNOESY,GHMQC和GHMBC)进行深入的NMR研究,归属了化合物1,2的¹H,¹³C NMR的化学位移.讨论了它们的立体化学及反应历程,并对其进行了计算机分子模拟.     

分子组装体的谱学研究

红外光谱、拉曼光谱、荧光光谱、紫外可见吸收光谱等是研究结构的主要手段。由于振动光谱得到的是力常数的信息 ,因而可以直接获得分子内、分子间键的信息 ,电子光谱则可以获取体系电子结构的信息 ,因而是分子组装体研究的重要方法手段。然而分子光谱也有其自身的限制 ,由于需要了解单层膜、单层膜与基底、单层膜与多层膜之间相互作用的信息 ,这些体系由于样品量小、信号弱 ,因此需要建立相应的适用于分子组装体的高灵敏度的特殊检测方法和实验技术 ,并发展分析分子间弱相互作用的光谱分析理论。本文综述了吉林大学超分子结构与谱学开放实验室近几年在超薄膜谱学方面的研究工作和进展。     

基于ARM的激光式大坝水平位移监测系统

针对大坝安全监测的技术要求,设计并研制了一套基于铅垂线原理的大坝水平位移测量系统。该系统以光栅尺、激光发射和接收器、减速电机为主要运动部件,以性能强大的ARM内核芯片为主控制器,采用大屏幕LCD为人机交互界面,实现对大坝水平横向和纵向的精确测量。该系统还具有人工手动实时测量、定时自动测量的功能,可以通过485总线上传测试结果到总控制中心进行显示和分析。实验结果表明,该系统具有精度高、成本低、误差小的优点。     

温度对图形化蓝宝石透过率性能影响研究

蓝宝石单晶表面图形化作为一种全新的减反增透手段而受到广泛关注,然而在服役过程中其透过率将会由于温度的改变而发生变化,影响使用性能.本文通过高温红外光谱测试系统测试了图形化蓝宝石在25℃,300℃,400℃,500℃,600℃时3～6 μm波段范围内的透过率,分析了温度对图形化蓝宝石透过率性能的影响.分析表明,表面图形化使室温条件下蓝宝石透过率在一定波段范围内上升且伴随有明显的光谱红移效应;温度上升使图形化蓝宝石透过率下降且红移现象加剧,随着温度不断升高蓝宝石透过率有一定程度回升;高温条件下表面图形化对蓝宝石透过率的影响不是十分明显.     

阻尼受击板的时域建模及声音合成

为满足声源辨识中对合成冲击声的迫切需求,建立了球-板撞击的时域模型,提出一种时域快速求解方法,并进行了实验验证.首先给出一种将时域有限差分法(FDTD)和模态展开法(MEM)相结合的时域混合方法,求解板的振动方程,并解决了混合方法中MEM的模态截断和初值问题,及两种方法中阻尼的一致性问题;随后,给出了简支矩形板的冲击声计算结果,通过与FDTD方法的运算量进行对比,验证了混合方法的高效性;最后,针对自由边界下的L形板进行了实验验证.结果表明,与传统FDTD方法相比,时域混合方法在保证合成冲击声精度的前提下可将计算效率提高100至1200倍。      

AOTF光谱相机前置变焦光学系统设计

基于声光可调谐（AOTF）光谱相机的技术指标和性能要求,采用机械正组补偿方式,实现了10可见光波段连续变焦光学系统的设计。详细介绍各组元的光焦度分配和初始结构的计算过程,并用Zemax光学软件进行设计,对设计结果进行了像质评价和像差分析,并对凸轮曲线进行求解。设计和分析结果表明:该系统在0.38 m~0.7 m波段实现了30 mm~300 mm连续变焦,在空间频率50 lp/mm处调制传递函数（MTF）值最大达到0.7。该系统可工作在可见光波段,具有变倍比大、变焦曲线平滑的特点,能够满足光谱相机的成像要求。     

月尘静电浮扬现象的理论模拟

对月球上的月尘静电浮扬现象进行了理论研究,对比分析了影响月球表面静电浮扬强弱的主要因素．研究过程分为两个步骤:首先采用一维PIC（particle in cell）模拟计算了月尘和月球表面的充电过程,然后基于这一结果引进试验粒子,对月尘的静电浮扬现象进行了分析研究．结果表明月尘的静电浮扬主要受两个因素的影响:太阳角和月尘颗粒的大小．月尘静电浮扬现象在日出日落时分更容易发生,即太阳角越小越容易引起剧烈的月尘浮扬现象;并且月尘粒径越小,其浮扬高度越高．     

对某惯性设备随动系统参数改进设计及性能分析

某惯性设备随动系统刚度偏低,控制精度较差,同时在使用过程中常会由于系统的个性差异导致系统稳定性变差,直接影响系统的使用。为此对控制系统进行了数学建模,用Matlab对系统进行了仿真和幅频/相频特性的分析,对系统进行了改进设计,大大提高了系统刚度和控制精度;并通过大量的仿真、实验和数据分析,对实际工作中由于系统个性差异引起的系统稳定性变差、稳定时间变长等问题提出了切实可行的解决方法。试验结果表明：系统的精度由原来的1.2°提高到0.3°,超调量由原来的50%降低到30%,满足总体性能要求。     

Temperature dependence of single event transient in 90-nm CMOS dual-well and triple-well NMOSFETs

This paper investigates the temperature dependence of single event transient (SET) in 90-nm complementary metat-oxide semiconductor (CMOS) dual-well and triple-well negative metal-oxide semiconductor field-effect transistors (NMOSFETs). Technology computer-aided design (TCAD) three-dimensional (3D) simulations show that the drain current pulse duration increases from 85 ps to 245 ps for triple-well but only increases from 65 ps to 98 ps for dual-well when the temperature increases from -55℃ to 125℃, which is closely correlated with the source of NMOSFETs. This reveals that the pulse width increases with temperature in dual-well due to the weakening of anti-amplification bipolar effect while increases with temperature in triple-well due to the enhancement of the bipolar amplification.     

二次电子衬度曲线法研究PVC/MBS共混物断面的分形特征

利用二次电子衬度曲线法测定了聚氯乙烯甲基丙烯酸甲酯丁二烯苯乙烯共聚物(PVCMBS)共混物冲击断面的形貌特征及对应的分形维数值.结果表明,材料的断口或微观结构并不是严格的分形结构,这种自相似性仅存在于一定尺码范围内,不同断面形貌特征所对应的分形维数测量值不同,随着MBS用量增加,PVCMBS共混物缺口冲击强度随满足自相似原理的形貌特征所对应的分形维数值增大而增大.本文从理论上讨论了材料断裂韧性与分形维数的关系.