Comparing potential-driven DBI-inspired non-minimal kinetic coupling(Dinkic) inflation with observational data

In our previous work [1], a new kind of inflation model was proposed, which has the interesting property that its perturbation equation of motion gets a correction of k4, due to the non-linearity of the kinetic term.Nonetheless, the scale-invariance of the power spectrum remains valid, both in large-k and small-k limits. In this paper, we investigate in detail the spectral index, the index running and the tensor/scalar ratio in this model, especially in the potential-driven case, and compare the results with the current PLANCK/BICEP observational data.We also discuss the tensor spectrum in this case, which is expected to be tested by future observations of primordial gravitational waves.     

Closed-form breakdown voltage/specific on-resistance model using charge superposition technique for vertical power double-diffused metal–oxide–semiconductor device with high-κ insulator

An improved vertical power double-diffused metal–oxide–semiconductor(DMOS) device with a p-region(P1) and high-κ insulator vertical double-diffusion metal–oxide–semiconductor(HKP-VDMOS) is proposed to achieve a better performance on breakdown voltage(BV)/specific on-resistance(Ron,sp) than conventional VDMOS with a high-κ insulator(CHK-VDMOS).The main mechanism is that with the introduction of the P-region,an extra electric field peak is generated in the drift region of HKP-VDMOS to enhance the breakdown voltage.Due to the assisted depletion effect of this p-region,the specific on-resistance of the device could be reduced because of the high doping density of the N-type drift region.Meanwhile,based on the superposition of the depleted charges,a closed-form model for electric field/breakdown voltage is generally derived,which is in good agreement with the simulation result within 10% of error.An HKP-VDMOS device with a breakdown voltage of 600 V,a reduced specific on-resistance of 11.5 m?·cm~2 and a figure of merit(FOM)(BV~2/Ron,sp)of 31.2 MW·cm~(-2) shows a substantial improvement compared with the CHK-VDMOS device.     

显微红外光谱法研究聚乙烯复合材料光氧化的深度分布

采用显微红外光谱法结合表面形貌分析研究了分别填充碳酸钙、绢英粉、云母、高岭土和硅藻土的高密度聚乙烯(HDPE)的自然光氧化随深度的分布。研究结果表明无机填料对HDPE光氧化的深度分布有很大的影响。填充碳酸钙的HDPE从表面到内部都没有明显氧化发生。而填充绢英粉、云母、高岭土和硅藻土的HDPE从表面到内部羰基指数逐渐减小,氧化深度都在150 μm以上。HDPE复合材料沿深度方向的氧化情况与其断面裂纹的产生情况吻合。结合无机填料的紫外吸收特性讨论了它们对HDPE光氧化的影响机理。     

基于测试线法的风轮近尾迹辐射噪声研究

在风洞开口实验段,针对不同尖速比应用BSWA VS302USB振动噪声采集分析系统对水平轴风力机叶尖下游4个角度的测试线进行噪声测试.叶尖辐射声中的主要成分是叶片的旋转谐波声,其向风轮下游传播的过程中迅速衰减.在各测试线上,随着测点向风轮下游移动,叶轮辐射声迅速衰减,并在一定距离之后低于背景声,尖速比越高,风轮下游辐射...     

低阻抗紧凑型Marx直接驱动高功率微波源北大核心CSCD

研制了一套紧凑型脉冲功率源系统,用于驱动低阻抗磁绝缘线振荡器(MILO)。脉冲功率源采用Marx发生器技术路线,由10级电容和开关组成,单级电容为100nF/100kV电容,开关采用环形轨道气体火花间隙开关,通过紧凑型结构设计,降低系统回路电感,采用电阻作为级间放电的隔离元件,整个Marx发生器系统放置于变压器绝缘油中,以实现高压绝缘。Marx发生器系统充电电压为±50kV,总储能5kJ,在12Ω的水负载上可以获得600kV,50kA的脉冲输出,脉冲上升时间小于100ns。系统尺寸为1.2m×0.5m×0.6m。基于该低阻抗脉冲功率系统,直接驱动低阻抗磁绝缘线振荡器。在二极管电压约450kV,电流约40kA条件下,测得辐射微波功率约400MW,微波脉宽约60ns,微波频率1.23GHz,辐射微波模式为TM01模。     

铝互连线的电迁移问题及超深亚微米技术下的挑战

铝互连线的电迁移问题历来是微电子产业的研究热点，其面临的电迁移可靠性挑战也是芯片制造业最持久和最重要的挑战之一.从20世纪90年代开始，超深亚微米(特征尺寸≤0.18 μm)铝互连技术面临了更加复杂的电迁移可靠性问题.从电迁移理论出发，分析概括了铝互连电迁移问题的研究方法，总结了上世纪至今关于铝互连电迁移问题的主要经验；最后结合已知的结论和目前芯片制造业现状，分析了当前超深亚微米铝互连线电迁移可靠性挑战的原因和表现形式，提出了解决这些问题的总方向. 关键词： 电迁移 铝互连 微结构     

几率量子隐形传态的离子阱方案

本文提出了一个在分别囚禁于不同离子阱中的两个离子间实现几率量子隐形传态的简单方案,Alice对离子1和离子2的内态进行联合测量并通过经典通道告诉Bob测量结果,Bob利用一束经典驻波场激光与离子3相互作用并控制相互作用的时间就能够在离子3上最佳几率地重现离子1的初始内态.     

二项式光场与运动二能级原子相互作用系统的光场压缩效应

本文采用求解Schrodinger方程和数值计算方法,研究了二项式光场与运动二能级原子相互作用过程中的光场压缩效应.结果表明:通过适当选择系统参数,可使光场产生完全压缩效应.     

相干性与2005年诺贝尔物理学奖--我在该领域的研究经历

本刊去年第11期介绍过2005年诺贝尔物理学奖．历次诺贝尔奖宣布后，争议时有发生，本次也如此．应本刊特别邀请，我国留美物理学家励名强教授介绍他在这一领域的首创性研究成果及其经历．本文不仅深入浅出地介绍了量子光学与高精密原子光谱的物理原理和物理图像，而且提出了在研究方法、研究思路上也应创新，即作者提出的要走自己的路．当我们对诺贝尔奖与华人科学家再次擦肩而过感到惋惜的同时，也要思考在物理教学中如何培养学生的首创精神．[编者按]     

演示实验在大学物理教学中的积极作用

本文结合教学工作实际指出演示实验在大学物理教学中的积极作用，并强调在“大学物理讨论课”中引入尝示实验的必要性。