关于Poincaré定理的注记

§1.引言命p,q,n是三个正整数,p+q=n,通常,从考虑n维定向组合同调流形K及其对偶复形K~＊的定向元素之相交指数出发,可以证明(见[2],467-483页).定理1.复形K的p维上同调群~PH~G(K)与复形K~＊的q维同调群~qH_G(K~＊)彼此同构.由于K和K~＊具有同一的重心重分K′,而同调群是重心重分的不变量,所以,从定理     

由前向四波混频产生脉冲压缩态光场

本文提出一个方案,用锁模激光脉冲序列相干泵浦一个具有三阶极化率的非线性介质,经由前向四波混频产生脉冲压缩态光场,采用激光脉冲序列作为本地振荡对压缩态光场进行平衡零差检测。理论结果表明,本方案不但可以获得光强很强的压缩态光场输出,而且可以获得几乎完全压缩的脉冲序列形式的压缩噪声功率谱,其脉冲序列谱形状和输入光脉冲序列谱形状相反。 关键词：     

快速发光二极管的性能与分析

本文叙述了用于光通信快速、高辐射度GaAs/GaAlAs双异质结发光管的性能.其电带宽大于60MHz,光带宽在100MHz以上.在200mA辐射度为1017W/cm2·sr.尾纤输出超过160μw(NA=0.2).分析和讨论了影响辐射输出和调制能力的诸因素,并选取了最佳折衷方案.     

铟及磷化铟中微量硅的高频等离子体光谱法测定

高纯铟及磷化铟中微量硅及金属杂质的测定方法很多。用比色法测定硅时,分离方法复杂,空白值较高。质谱法及中子活化法灵敏度很高,能同时测定多种杂质元素,但由于设备条件的限制,目前还不易普及推广。用普通的化学光谱法测定铟及磷化铟中金属杂质时。通常采用萃取法将基体铟分离.杂质富集浓缩后     

掺Cr半绝缘GaAs中Si离子注入的载流子分布尾研究

本文研究了掺Cr半绝缘GaAs中²⁸Si⁺注入后的载流子浓度分布尾,包括退火温度和时间的影响。应用计算机模拟了分布尾对GaAsMESFET器件输出特性的影响,与实测结果符合,表明分布尾会造成器件输出特性异常。讨论了产生分布尾的原因,认为与GaAs衬底中残留Si等浅施主杂质和高温退火时Cr再分布有关。 关键词：     

球对称无限空间中稀薄气体的一种弛豫

本文把平面对称空间中Boltzmann方程的奇异扰动解法推广到球对称空间,并通过具体模型讨论了初始阶段弛豫过程的一些特点。 关键词：     

投影平面及其拓扑結构

在代数学里,方程式的研究使得数的概念逐漸扩充起来。这种扩充就是把新的元素(新数)添加到原来的数集中去,对于这些新数說来,正演算(加法,乘法,乘方)的一切基本性貭都成立。添加新数的目的,是为了在扩充了的系統中得以施行逆演算。几何学里我們也有类似的东西。这里的基本运算是:通过两个不同的点引直綫,以及通过一条直綫和不在它上面的点引平面;这些运算在几何学里总是可以施行的。然而求(同一平面上的)两条直綫的交点,求直綫和平面的交点,以及求两张平面的交綫,却并不是常常可以施行的。这种情况的出現,使得在陈述关于点,直綫和平面的相互位置的几何定理时,引出許許多多的例外。对于所考虑的問題說来,这种破坏結論普遍性的最重要的典型例子就是透視对应。     

关于转镜扫描误差的分析计算

本文利用平面镜棱镜系统的共轭关系的误差传递矩阵,导出了适用子计算转镜工作在平行光路中和会聚光路中扫描误差的一般性公式。这组通用计算公式的特点是比较简便,而且适于编制计算机程序。     

Nd3+:Gd3Sc2Al3O12 晶场能级及拟合

Nd³⁺ :GSAG是性能优良的942 nm激光晶体.用提拉法成功生长Nd³⁺ :GSAG单晶,研究其室温透射光谱,辨认位置高达29967 cm^-1的68个Nd³⁺晶场能级.对这些能级拟合了自由离子及晶场Hamilton参量,拟合标准偏差为16.7 cm^-1,表明实验与计算能级符合很好.获得的Hamilton参量可用于计算Nd³⁺ :GSAG中Nd³⁺的