Au_(38)团簇上小分子H_2O和O_2共同吸附的第一性原理研究

利用密度泛函理论(DFT)计算的方法,对O_2,H_2O单独吸附和共吸附在Au_(38)团簇上的吸附性质进行了结构,能量和电子分析.计算结果表明,O_2倾向于吸附在edge位,H_2O则倾向于吸附在top位.Au(100)表面较之Au(111)表面更有利于O_2,H_2O的吸附,这与实验结果相符合.H_2O和O_2共吸附研究表明,H_2O的存在促进了O_2的吸附.Mulliken和分态密度(PDOS)分析得出:在共吸附中,H_2O将部分电子转移给了O_2,促进了O_2的活化与解离,并生成了类似H_2O_2的中间态,从而为催化氧化反应提供了O活性物种.     

环状集输水平管内油-气-水三相流流型试验研究

目前我国东部陆上油田大部分已进入特高含水采油期,绝大多数油井综合含水率已超过85%,部分油井已达到95%。油-气-水三相流型是特高含水混输技术界限确定、水力热力计算方法研究及集输系统科学运行管理的基础。为了研究大庆低渗透油田环状集输水平管道内油-气-水三相流型,研制一套流型试验装置,进行了一系列试验研究,获得了1360组油气水三相流型图及相应的流动参数。对采集到的流型及试验数据进行分析,首次总结出水平环状集输管道中油-气-水三相流的五种流型,分别为分层流、三层扰动流、波浪冲击流、气弹掺混流和完全掺混流。同时给出了每种流型对应的参数范围,并对每种流动形态及典型特征进行了解释。     

某型飞机驾驶杆线性位移差分变压器传感器信号调理校正

飞机驾驶杆LVDT(线性位移差分变压器)传感器信号测试校正在航空测控研究领域具有十分重要的意义,提出了一种针对某型飞机驾驶杆LVDT传感器信号精确调理校正方法;介绍了飞机驾驶杆LVDT传感器原理,分析了AD598 LVDT调理芯片的使用局限,利用最小二乘法设计了精确调理校正方法;基于VC++2010开发环境,利用高精度的模拟校正源产生模拟激励校正信号,设计了驾驶杆LVDT多通道软件自校正方法,它可以有效提高解调电路的线性度和对称性,克服了AD598常规调理电路的使用局限,从而实现驾驶杆LVDT信号精确检测;理论分析与数值试验验证了所提方法的正确性和有效性。     

Sr离子自终止和复合激光交替振荡的动力学模型

建立了一个反映高重复率脉冲放电激励的Sr离子自终止激光和复合激光交替振荡的动力学模型，得到了与实测光电脉冲波形相一致的模拟结果.给出了He-Sr放电等离子中长寿命粒子、激光上下能级粒子数密度和电子温度随时间的演化过程.分析了两种激光交替振荡的发射过程、脉冲宽度特性和粒子数反转机理，认为在放电早期和余辉期电子温度的急剧升高和降低是Sr离子自终止和复合激光实现交替振荡的关键所在. 关键词： 自终止激光 复合激光 交替振荡 动力学模型     

直接扣除法测量半导体光放大器频率响应

在光电子器件散射参量定义的基础上建立了基于直接扣除法的半导体光放大器频率响应测量系统,测量中通过扣除激光器和探测器系统的频率响应,得到放大器固有的频率响应。对InGaAsP体材料行波腔半导体光放大器样品进行了测量,得到了放大器在不同注入光功率和不同偏置电流下的频率响应曲线。这些曲线很好地反应了半导体光放大器的增益饱和和噪声特性,进一步分析发现半导体光放大器对低频调制信号的放大能力弱于对高频信号的放大能力,分析认为其原因在于半导体光放大器的载流子寿命有限导致低频信号长时间消耗载流子时,载流子数量无法及时恢复,从而使得增益降低。     

非线性Jaynes-Cummings模型中原子偶极矩的高阶压缩

研究了非线性双光子Jaynes-Cummings(J-C)模型系统中原子偶极矩高阶压缩的时间演化特性及其产生条件。结果表明,在弱场条件下,原子偶极矩色散或吸收分量的二阶和六阶量子涨落可被周期性压缩,非线性修正项或失谐量以及热噪声对压缩程度有显著的影响。     

连续隔振浮筏系统功率流研究

建立了多扰源连续隔振浮筏系统的动力学模型,并考虑基础及浮筏弹性,推导了此类复杂耦合系统的动态特性方程及功率流表达式,从能量的观点揭示了连续隔振浮筏系统的隔振机理,并编制了相应计算软件,进行了数值计算及理论分析,揭示了连续隔振系统结构参数对其隔振性能的影响。     

依赖强度耦合的级联三能级原子系统中双模压缩真空初态场的非经典性质

运用全量子理论研究了依赖强度耦合的级联三能级原子系统中双模压缩真空初态场的压缩及量子统计性质,并讨论了初始光场的压缩参量以及原子—光场单光子失谐量对光场非经典性质的影响.     

语言声学的最新应用

本文对语言声学研究的最新进展进行综述。首先介绍了人类的言语的产生和感知以及声学分析方面的近期发展,接着重点阐述了计算机处理人类语音(包括语音识别和合成,发音评估以及演唱评价)的最新研究、成果。同时提及了这些研究成果的相关应用。最后是总结与展望。     

Effect of high temperature band gap of GaN annealing on strain and nanoparticles

<正>Black-coloured GaN nanoparticles with an average grain size of 50 nm have been obtained by annealing GaN nanoparticles under flowing nitrogen at 1200℃for 30 min.XRD measurement result indicates an increase in the lattice parameter of the GaN nanoparticles annealed at 1200℃,and HRTEM image shows that the increase cannot be ascribed to other ions in the interstitial positions.If the as-synthesised GaN nanoparticles at 950℃are regarded as standard,the thermal expansion changes nonlinearly with temperature and is anisotropic;the expansion below 1000℃is smaller than that above 1000℃.This study provides an experimental demonstration for selecting the proper annealing temperature of GaN.In addition,a large blueshift in optical bandgap of the annealed GaN nanoparticles at 1200℃is observed,which can be ascribed to the dominant transitions from the C（Γ₇） with the peak energy at 3.532 eV.