首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   167篇
  免费   46篇
  国内免费   57篇
化学   95篇
晶体学   5篇
力学   26篇
综合类   5篇
数学   22篇
物理学   117篇
  2024年   2篇
  2023年   11篇
  2022年   19篇
  2021年   6篇
  2020年   6篇
  2019年   14篇
  2018年   8篇
  2017年   6篇
  2016年   12篇
  2015年   11篇
  2014年   18篇
  2013年   5篇
  2012年   10篇
  2011年   7篇
  2010年   8篇
  2009年   6篇
  2008年   10篇
  2007年   12篇
  2006年   2篇
  2005年   7篇
  2004年   8篇
  2003年   10篇
  2002年   4篇
  2001年   7篇
  2000年   4篇
  1999年   4篇
  1998年   4篇
  1997年   7篇
  1996年   3篇
  1995年   8篇
  1994年   2篇
  1993年   1篇
  1992年   3篇
  1991年   6篇
  1990年   2篇
  1989年   5篇
  1987年   1篇
  1986年   4篇
  1985年   1篇
  1984年   2篇
  1965年   2篇
  1956年   1篇
  1955年   1篇
排序方式: 共有270条查询结果,搜索用时 9 毫秒
201.
The kink formation in a vertical vibrated granular layer has been widely studied in three-dimensional systems, but there are few if any experimental reports on bidimensional granular layers. We report the kink formation newly found in a perfect bidimensional granular system. We measure the range of the driving frequencies and dimensionless accelerations for kinks. Furthermore, we observe a heaping process, which is caused by co-operative action of the kink-associated convection and the sidewall=associated convection.  相似文献   
202.
UHV/CVD硅锗膜的Raman光谱分析   总被引:6,自引:0,他引:6  
本文提出一种用Raman光谱测量SiGe合金膜中的锗组分及应变的方法,方法是非破坏的。并用这一方法测量了几种不同锗组分和膜厚度的SiGe合金样品,它们都是用UHV/CVD设备生长的,其中两个样品还与X-射线双晶衍射的结果作了比较,两种方法的结果十分一致,这说明本文提出的方法是准确可靠的,这些样品用于制作SiGe/Si异质结PMOSFET,对0.5um 沟长器件,跨导达112ms.mm^-1。  相似文献   
203.
We report an all-fiber two-stage high power pulsed amplifier, seeded with a 1550nm, 1 kHz repetition rate rectangular pulse, and based on Er/Yb co-doped double clad fiber. All the characteristics are measured in the experiment. The maximal slope efficiency is 22.56%, which is the highest we know of at such a low repetition rate, and the maximal output signal power is 1W. The various factors that affect the pulsed amplifier performance are analyzed. A high output power while keeping high power conversion efficiency can be obtained with careful selection of the input power, pump power and repetition rate. The experimental results show that the crucial parameters should be optimized when designing all-fiber pulsed amplifiers.  相似文献   
204.
Raman scattering measurements were carried out in self-assembled Ge quantum dot superlattices grown bymolecular beam epitaxy. The characteristics of the Ge-Ge, Si-Ge, Si-SiLoc and Si-Si peaks were investigated,especially the Ge-Ge optical phonon frequency shift was emphasized, which was tuned by the phonon confinementand strain effects. The experimentally observed frequency shift values of the Ge-Ge peak frequency caused byoptical phonon confinement and strain in Ge quantum dots were discussed with quantitative calculations.  相似文献   
205.
1概况在工程地质勘探中遥测地下空洞的形状和体积,常用的探测方法有:浅层地震勘探法、电磁波透视法和井中电视法等,在这里我们介绍一个用非常规物探方法——声学方法探测地下空洞的形状和体积的实例.十三陵蓄能电站高压管道倾角50o,全长400多米,文要坐落于安山岩和砾岩中.该区地质情况极为复杂,要穿过几十条断层,其中一条最大的断层破碎带宽度20-40m,开工前对此断层的条件不甚清楚.当压力管道导井上掘时,通该断层,发生大塌方,距地表约180m.当时,估算塌方量约为4000m’,并且对损穴体的形状看法不一.为及时充填断层塌穴,…  相似文献   
206.
以加载衰减器的螺旋线慢波结构作为研究对象,采用螺旋导电面模型,用真空层模拟螺旋带的厚度,用均匀介质层等效分立的介质夹持杆,并考虑到各横向区域横向传播常数的不同,得到了任意次模式的色散方程和耦合阻抗的表达式. 在此基础之上,分析了衰减器对主模和-1次模式的衰减常数、相位常数和耦合阻抗的影响.所得结果对设计衰减器具有理论指导意义,为螺旋线慢波系统高频特性的改善以及反射振荡和返波振荡的抑制提供了理论依据. 关键词: 螺旋线 行波管 衰减 色散  相似文献   
207.
利用宇宙射线进行探测器模型的性能测试是高能物理普遍采用的方法, 其中最重要的步骤之一就是确定宇宙线入射的准确位置和径迹. 多数采用丝室探测器来进行宇宙线的精确定位, 需要很高的造价和复杂的电子学系统. 本文介绍一种简单的定位方法, 采用塑料闪烁体条加波移剂光纤编码读出的方式, 可以实现精度为1cm的定位. 据此建立了一套实验装置, 对BESⅢ电磁量能器CsI(Tl)晶体探测器单元的光输出强度和不均匀性进行了测量.  相似文献   
208.
本文总结了旋转波片法测量偏振光的Stokes参量和偏振元件的Jones矩阵的计算细节,并搭建实验装置对不同电压下液晶盒的Jones矩阵进行了实际测量.  相似文献   
209.
作为一种新型微通道换热器,印刷电路板式换热器(Printed Circuit Heat Exchanger,PCHE)因比表面积大、耐高压和低温、海上适应性强以及便于模块化等特点,近年来逐渐成为浮式LNG接收站和浮式储存及再气化装置的主低温换热器首选.针对改进后的错列S型翅片,对超临界LNG在翅片通道内的流动传热特性展...  相似文献   
210.
衰荡腔复杂模拍效应的实验研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
利用光参量振荡器产生的脉冲光研究了衰荡腔在不同条件下的衰减信号,实验表明,衰荡腔的输出信号会呈现复杂的调制。这些现象,有些可利用在谐振腔本征模理论基础上导出的公式来解释,另外一些可能是由于像散和畸变引起的腔的横膜分裂,从而导致复杂的模拍效应,对实验结果进行了分析和解释。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号