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21.
用纳米结构粉末做喂料进行喷涂,缩短了颗粒熔化时间,在有限的飞行时间内,颗粒熔化效果更好,从而制备的涂层孔隙率更小,表面更平整。用ZrO2纳米结构喂料制备了等离子喷涂层,研究了功率、粒度、氧化钇含量等工艺参数条件下涂层的微观组织、孔隙率、相组成及抗热震性能。经X衍射分析表明,原始粉末由m-ZrO2,t-ZrO2,c-ZrO2构成,单斜相的含量为11%,主要由四方相和立方相构成。 相似文献
22.
提出了基于Karhunen Lo埁ve变换的小波谱特征矢量量化三维谱像数据压缩方法耍幔颍瑁酰睿澹?Lo埁ve变换 /小波变换 /小波谱特征矢量量化方法应用了Karhunen Lo埁ve变换的消除谱相关性优良性能 ,应用二维小波变换消除空间相关性 ,在小波变换域内应用二维集分割嵌入块编码和一维谱特征矢量量化对三维谱像数据压缩 ,获得较高的压缩性能。实验结果表明 :Karhunen Lo埁ve变换 /小波变换 /小波谱特征矢量量化编码比Karhunen Lo埁ve变换 /小波变换 /改进对块零树编码和Karhunen Lo埁ve变换 /小波变换 /快速矢量量化编码方法在同样压缩比条件下 ,峰值信噪比提高 2dB和 1dB以上 ,而速度提高了 1.5和 8倍 ,整体压缩性能有较大的提高 相似文献
23.
针对光学遥感图像目标分布密集、尺度变化范围较大及小目标特征信息过少等造成目标检测精度不高、泛化能力差等问题,本文提出了一种增强小目标特征的多尺度神经网络(ESF-MNet)。首先在骨干网络中引入注意力模块构建出高效层注意力聚合结构,以增强特征提取能力;此外,在浅层特征图与颈部网络融合之前加入感受野增强模块,以捕获不同尺度的上下文信息。其次,使用GSConv构成颈部网络,减少网络层参数量,保持网络的特征提取能力,并通过基于内容感知的特征重组模块提高识别精度。最后,采用下采样率分别为4、8和16倍的三个下采样模块作为头部网络输入,来提高小目标的检测效果。为了证明该方法的有效性,在DOTA数据集和NWPU NHR-10数据集上进行实验,平均检测精度分别达78.6%和94.3%,计算复杂度为94.7 G,整体模型大小为26.2 M。该方法具备检测精度高、计算复杂度低、模型权重小等特点,能有效提高小目标的检测精度,进一步改善光学遥感图像小目标检测性能。 相似文献
25.
Ir是一种重要的真空紫外反射材料,在太阳物理、宇宙物理、生命科学、大气物理、同步辐射等方面有着十分重要的应用.对电子束蒸发沉积Ir膜在真空紫外波段的反射特性进行了系统的理论和实验研究.根据吸收材料基底上单层金属膜数学计算模型,对不同基片上各种厚度的Ir膜真空紫外反射率进行了优化计算.根据计算和前期实验结果,采用电子束蒸发方法,在石英、K9玻璃基片上沉积了不同厚度的Ir膜,在入射波长120 nm处获得了近30%正入射反射率,对应的Ir膜厚度为12 nm.过厚或过薄均不利于Ir膜反射率的提高.经退火处理后,Ir膜中张应力有所释放但并未消除,同时晶粒平均尺寸显著增大,反射率下降. 相似文献
26.
An efficient method for the selective hydrogenation of a series of α,β-epoxyketones to β-hydroxyketones using catalytic amount of two sulfinyl analogues of NAD^+ model compounds is reported. The lack of any diastereoselectivity for the formation of β-hydroxyketones with optically pure sulfinyl analogue of NAD^+ model supports the radical mechanism proposed previously. 相似文献
27.
Bansch空间中全纯映射的若干性质 总被引:2,自引:2,他引:2
本文将全纯映射的若干性质推广到Banach空间,并应用这些性质研究有界域中的凸映射与星形映射。 相似文献
28.
29.
30.
Frequency-dependent capacitance-voltage (C-V) measurements have been performed on modulation-doped Al0.22 Ga0.78N/GaN heterostructures to investigate the characteristics of the surface states in the AlxGa1-xN barrier. Numerical fittings based on the experimental data indicate that there are surface states with high density locating on the AlxGa1-xN barrier. The density of the surface states is about 10^12cm^-2eV^-1, and the time constant is about 1μs. It is found that an insulating layer (Si3N4) between the metal contact and the surface of AlxGa1-xN can passlvate the surface states effectively. 相似文献