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151.
电位 pH 图亦称 Pourbaix 图,是一种表示水溶液体系的热力学平衡和电化学平衡图,既能说明水溶液中某元素在一定电位和 pH 时的稳定状态,又能说明元素不同价态离子的变化倾向。在湿法冶金,金属腐蚀,矿物地质,分析化学等学科领域均有广泛的应用。人们已经绘制了各种各样的元素-H_2O,金属-非金属-H_2O,金属Ⅰ-金属Ⅱ-非金属-H_2O 等体系的电位-pH 图。 相似文献
152.
153.
The structure and magnetic properties of Nd0.5Pb0.5-xSrxMnO3 (0≤x≤0.4) manganites were systematically investigated. Significant changes in Curie temperature and metal-insulator (MI) transition temperature of the samples were observed. All samples exhibited a transition from paramagnetic semiconducting to ferromagnetic metallic state.Curie temperature Tc and the MI transition temperature Tp increased with increasing Sr content. We attributed these behaviours to the enhancing of both the double exchange mechanism and the Jahn-Teller electron-phonon coupling. 相似文献
154.
报道了一种以N-甲基苯肼和3-甲基-2-丁酮为原料一步合成1,3,3-三甲基-2-亚甲基吲哚啉的新工艺。讨论了影响产品收率的各种因素。该新工艺具有原料易得,工艺路线较短,减少环境污染等特点。 相似文献
155.
156.
La0.67Ca0.33MnO3 and La0.67Ca0.33Mn0.96Fe0.04O3单晶的磁性和磁电阻特性。由于缺少晶粒间界,磁场对于自旋涨落的抑制作用更加明显,所以单晶中的磁电阻率比多晶的提高了两个数量级。通过Fe的掺杂,在40×105A/m的磁场下,磁电阻率从3400%进一步提高到了17600%。通过对居里温度以上电阻率的小极化子模型拟和的结果,我们看到随着Fe的掺杂,激活能被提高。磁极化子激活能的增大可以更加局域电子,这可能是在Fe掺杂单晶中本征磁电阻率进一步提高的主要原因。 相似文献
157.
本文提出了Tb3+和Tm3+的交叉弛豫机理,计算了交叉弛豫几率,研究了Tm3+对Tb3+离子发光性质的影响,结果指出Tm3+对Tb3+离子的5D3能级的荧光有很强的猝灭作用,对5D4能级的荧光有增强作用,并且给出Tb的荧光强度和Tb3+,Tm3+离子浓度之间的依赖关系。 相似文献
158.
159.
不同有机化蒙脱土对聚丙烯/蒙脱土纳米复合材料结构和性能的影响 总被引:4,自引:0,他引:4
采用不同的有机改性剂制备了三种含羟基极性基团、环氧基和不含极性基团的有机化蒙脱土, 并与混有少量马来酸酐接枝聚丙烯的聚丙烯基体进行复合, 制备了聚丙烯粘土纳米复合材料. 采用X射线衍射仪、透射电子显微镜、热分析仪、示差扫描热分析仪和力学测试仪对样品进行结构表征和力学性能测试. 探讨和比较了不同有机化蒙脱土对聚丙烯/蒙脱土纳米复合材料结构和性能的影响. 结果表明, 携带极性基团的有机改性剂和马来酸酐接枝聚丙烯的强烈相互作用有利于有机化蒙脱土在复合材料中的插层、剥离和稳定性, 由此形成的聚丙烯粘土纳米复合材料具有更高的结晶度, 其力学性能的提高也更为显著. 相似文献
160.
Yuanjie Chen 《中国物理 B》2021,30(12):128501-128501
We report on the transport study of a double quantum dot (DQD) device made from a freestanding, single crystalline InSb nanosheet. The freestanding nanosheet is grown by molecular beam epitaxy and the DQD is defined by the top gate technique. Through the transport measurements, we demonstrate how a single quantum dot (QD) and a DQD can be defined in an InSb nanosheet by tuning voltages applied to the top gates. We also measure the charge stability diagrams of the DQD and show that the charge states and the inter-dot coupling between the two individual QDs in the DQD can be efficiently regulated by the top gates. Numerical simulations for the potential profile and charge density distribution in the DQD have been performed and the results support the experimental findings and provide a better understanding of fabrication and transport characteristics of the DQD in the InSb nanosheet. The achieved DQD in the two-dimensional InSb nanosheet possesses pronounced benefits in lateral scaling and can thus serve as a new building block for the developments of quantum computation and quantum simulation technologies. 相似文献