大功率微波诱导空气等离子体发射光谱中易电离元素的基体干扰研究

研究了由Okamoto腔产生的大功率微波诱导空气等离子体发射光谱中易电离元素Na和Ca的基体干扰。结果表明,Na和Ca的存在可使电离能较低的元素的原子线的发射强度增强,而使电离能较高的元素的原子线和几乎所有的离子线的发射强度降低。基体干扰随Na和Ca浓度的增大而增强,随等离子体微波功率的增大而减弱。Na和Ca的存在致使等离子体激发温度降低,电子密度增大。基体干扰是由于易电离元素使待测元素在等离子体中的电离平衡移动和激发能力减弱所致。     

簇合物[WOS3Ag3Br(PPh3)3]·(OPPh3)的合成和晶体结构

报道了〖ＷＯＳ３Ａｇ３Ｂｒ（ＰＰｈ３）３〗．（ＯＰＰｈ３）簇合物（Ｃ７２Ｈ６０Ａｇ３ＢｒＯ２Ｓ３Ｐ４Ｗ,Ｍｒ＝１７６４．６１）单晶的合成和结构。该晶体三方晶系,空间各为＄３,晶胞参数,ａ＝１６．１４３（３）,ｃ＝２３．００３（４）Ａ,Ｖ＝５１８９．４（１５）Ａ＾３,μ（ＭｏＫａ）＝３．２９８ｍｍ＾－１,Ｚ＝３,Ｆ（０００（）＝２５９８,Ｄｃ＝１．６９４ｇ／ｃｍ＾３。独立衍射点２１８１,可观察衍射点     

脂润滑条件下激光微精处理零件的抗擦伤性能研究

采用ＳＲＶ试验机和Ｔｉｍｋｅｎ试验机，对脂润滑条件下经激光微精处理的３种铸铁与ＧＣｒ１５钢的抗擦伤性能进行了研究。结果表明：激光微精处理使其抗擦伤性能均大幅度提高，其中合金铸铁经激光微精处理后可在蜗轮摩擦副中代替青铜使用。     

空间高能离子在纳米级SOI SRAM中引起的单粒子翻转特性及物理机理研究

基于蒙特卡罗方法研究空间高能离子在65—32 nm绝缘体上硅静态随机存取存储器(SOI SRAM)中产生的灵敏区沉积能量谱、单粒子翻转截面和空间错误率特性及内在的物理机理.结果表明:单核能为200 MeV/n的空间离子在60—40 nm厚的灵敏区中产生的能损歧离导致纳米级SOI SRAM在亚线性能量转移阈值区域出现单粒子翻转;宽的二次电子分布导致灵敏区仅能部分收集单个高能离子径迹中的电子-空穴对,致使灵敏区最大和平均沉积能量各下降25%和33.3%,进而引起单粒子翻转概率降低,以及在轨错误率下降约80%.发现俘获带质子直接电离作用导致65 nm SOI SRAM的在轨错误率增大一到两个数量级.     

溶胶凝胶法制备透明IZO薄膜晶体管

采用溶胶凝胶法制备了非晶铟锌氧化物(a-IZO)薄膜,并作为薄膜晶体管(TFT)的有源层制备了a-IZO TFT。研究了IZO薄膜中铟锌比对薄膜性质及a-IZO TFT器件性能的影响。结果表明:溶胶凝胶法制备的IZO薄膜经低温(300℃)退火后为非晶结构,薄膜表面均匀平整、致密,颗粒大小为20 nm左右,并具有高透过率(>85%)。IZO薄膜中的铟锌比对薄膜的电学性能和TFT器件特性影响显著,增加In含量有利于提高薄膜和器件的迁移率。当铟锌比为3∶2时,所获得的薄膜适合于作为薄膜晶体管的有源层,制备的IZO-TFT经过相对低温(300℃)退火处理具有较好的器件性能,阈值电压为1.3 V,载流子饱和迁移率为0.24 cm2·V-1·s-1,开关比(Ion∶Ioff)为105。     

Visualizations of Light-induced Refractive Index Changes in Photorefractive Crystals Employing Digital Holography

We propose a novel approach to visualize the light-induced refractive index changes in photorefractive crystals employing digital holography. The holograms formed in a Mach-Zehnder interferometer are recorded by a two-dimensional CCD camera. From these holograms, the phase differences, which contain the information of the index changes in photorefractive crystals, are determined by utilizing digital holographic interferometry. Then the two-dimensional visualizations of index changes in the crystals can be obtained. This method is successfully demonstrated in LiNbO3:Fe, KNSBN:Ce and SBN:Cr crystals.     

Ionizing Dose Effect of Thermal Oxides Implanted with Si^＋ Ions

Total ionizing dose effects of Si^＋ ion implanted thermal oxides are studied by 10keV x-ray irradiation. Photoluminescence （PL） method is engaged to investigate nanostructures of samples. Ar^＋ implanted samples are also studied by the same way to provide a comparison. The results show that Si^＋ implantation following with high temperature annealing can significantly reduce the radiation induced flatband shift, which is caused by net posi- tive charge accumulation in oxides. This reduction is attributed to the formation of Si nanoscale structures. Ar^＋ implantation is also found to reduce the radiation induced flatband shift, while it is different that the reduction with Si^＋ implantation shows little dependence on implant dose of Ar^＋ ions. This is explained by possible increase of recombination centres.     

基于蒙特卡洛方法的四元探测器干扰效果分析

正交四元探测器是第3代红外导引头的核心传感器,为了对该型导引头实施有效干扰,探讨了其探测工作机理,有针对性地提出影响其自动增益控制(AGC)电路工作的干扰策略,对干扰实施过程进行了仿真分析。采用蒙特卡洛方法模拟了在干扰存在频差,干扰占空比改变,干扰相位变化条件下的平均有效干扰率。仿真结果表明:以同频或倍频、0.25占空比、较高功率激光可影响导引头AGC电路正常工作,适时通过调整干扰相位可以影响干扰效果,最终破坏其信号提取逻辑,实现欺骗干扰。分析结果对于激光定向红外对抗系统的研制具有一定理论指导意义。     

随机化应答调查方案的参数估计问题

随机化应答调查是一种特殊的数据采集技术,使得调查者既得到了某个敏感问题的信息又保护了被调查者的隐私,本文研究从两种随机化答调查方案采得数据后的参数估计问题,在应用Ｂａｙｅｓ估计时,给出了便于Ｍａｔｈｅｍａｔｉｃａ软件计算的后验均值和方差的公式,通过模拟实验,比较了两个方案所得估计量的优劣。     

稀土,镁对球墨可锻铸铁石墨化的作用

球墨可锻铸铁是近年来发展的一种新型结构材料。本文研究了稀、镁残留量对球墨可锻铸铁退火石墨球数、第一阶段石墨化时间和铁素体化率的影响，同时，分析了稀土、镁硫化物在石墨化过程中的作用。结果表明，稀土、镁残留量对球墨可锻铸铁退火石墨和第一阶段石墨化时间有显著的影响，而对第二阶段石墨化时间影响不大；在球墨可锻铸铁铸态白口组织存在大量球状稀土镁硫化物，它可以作为第一阶段退火石墨的结晶核心。