基于蒙特卡洛方法的四元探测器干扰效果分析

正交四元探测器是第3代红外导引头的核心传感器,为了对该型导引头实施有效干扰,探讨了其探测工作机理,有针对性地提出影响其自动增益控制(AGC)电路工作的干扰策略,对干扰实施过程进行了仿真分析。采用蒙特卡洛方法模拟了在干扰存在频差,干扰占空比改变,干扰相位变化条件下的平均有效干扰率。仿真结果表明:以同频或倍频、0.25占空比、较高功率激光可影响导引头AGC电路正常工作,适时通过调整干扰相位可以影响干扰效果,最终破坏其信号提取逻辑,实现欺骗干扰。分析结果对于激光定向红外对抗系统的研制具有一定理论指导意义。     

热-电应力下Cu/Ni/SnAg_(1.8)/Cu倒装铜柱凸点界面行为及失效机理

微互连铜柱凸点因其密度高、导电性好、噪声小被广泛应用于存储芯片、高性能计算芯片等封装领域,研究铜柱凸点界面行为对明确其失效机理和组织演变规律、提升倒装封装可靠性具有重要意义.采用热电应力实验、在线电学监测、红外热像测试和微观组织分析等方法,研究Cu/Ni/SnAg_1.8/Cu微互连倒装铜凸点在温度100—150℃、电流密度2×10~4—3×10~4 A/cm~2热电应力下的互连界面行为、寿命分布、失效机理及其影响因素.铜柱凸点在热电应力下的界面行为可分为Cu_6Sn_5生长和Sn焊料消耗、Cu_6Sn_5转化成Cu_3Sn、空洞形成及裂纹扩展3个阶段,Cu_6Sn_5转化为Cu_3Sn的速率与电流密度正相关.热电应力下,铜凸点互连存在Cu焊盘消耗、焊料完全合金化成Cu_3Sn、阴极镍镀层侵蚀和层状空洞4种失效模式.基板侧Cu焊盘和铜柱侧Ni镀层的溶解消耗具有极性效应,当Cu焊盘位于阴极时,电迁移方向与热迁移方向相同,加速Cu焊盘的溶解以及Cu_3Sn生长,当Ni层为阴极时,电迁移促进Ni层的消耗,在150℃,2.5×10~4 A/cm~2下经历2.5h后,Ni阻挡层出现溃口,导致Ni层一侧的铜柱基材迅速转化成(Cu_x,Ni_y)_6Sn_5和Cu_3Sn合金.铜柱凸点互连寿命较好地服从2参数威布尔分布,形状参数为7.78,为典型的累积耗损失效特征.研究结果表明:相比单一高温应力,热电综合应力显著加速并改变了铜柱互连界面金属间化合物的生长行为和失效机制.     

空间高能离子在纳米级SOI SRAM中引起的单粒子翻转特性及物理机理研究

基于蒙特卡罗方法研究空间高能离子在65—32 nm绝缘体上硅静态随机存取存储器(SOI SRAM)中产生的灵敏区沉积能量谱、单粒子翻转截面和空间错误率特性及内在的物理机理.结果表明:单核能为200 MeV/n的空间离子在60—40 nm厚的灵敏区中产生的能损歧离导致纳米级SOI SRAM在亚线性能量转移阈值区域出现单粒子翻转;宽的二次电子分布导致灵敏区仅能部分收集单个高能离子径迹中的电子-空穴对,致使灵敏区最大和平均沉积能量各下降25%和33.3%,进而引起单粒子翻转概率降低,以及在轨错误率下降约80%.发现俘获带质子直接电离作用导致65 nm SOI SRAM的在轨错误率增大一到两个数量级.     

烯丙基缩水甘油醚的合成

烯丙醇和环氧氯丙烷在三氟化硼乙醚络合物的催化作用下进行加成和环化反应制得标题化合物。研究了催化剂用量、反应原料配比及碱用量对产物收率的影响。     

钴(Ⅱ)、锌(Ⅱ)离子选择电极研制

钴(Ⅱ)离子选择电极的研制,国外已有一些报导,但PVC膜钴(Ⅱ)离子选择电极研制较为成功的是Burger和Pethösup[1];锌(Ⅱ)离子选择电极的研制,可达实用的报导不多^[2-4],PVC膜锌(Ⅱ)离子选择电极国外未见报导。     

Ionizing Dose Effect of Thermal Oxides Implanted with Si^＋ Ions

Total ionizing dose effects of Si^＋ ion implanted thermal oxides are studied by 10keV x-ray irradiation. Photoluminescence （PL） method is engaged to investigate nanostructures of samples. Ar^＋ implanted samples are also studied by the same way to provide a comparison. The results show that Si^＋ implantation following with high temperature annealing can significantly reduce the radiation induced flatband shift, which is caused by net posi- tive charge accumulation in oxides. This reduction is attributed to the formation of Si nanoscale structures. Ar^＋ implantation is also found to reduce the radiation induced flatband shift, while it is different that the reduction with Si^＋ implantation shows little dependence on implant dose of Ar^＋ ions. This is explained by possible increase of recombination centres.     

液相微萃取-气相色谱/质谱测定水中硝基苯类化合物

建立了水中硝基苯类化合物(硝基苯、1-硝基甲苯、2-硝基甲苯、3-硝基甲苯和邻氯硝基苯)的液相微萃取-气相色谱/质谱检测方法。实验结果显示:甲苯为最佳的萃取剂。确定最佳实验条件为:甲苯体积2μL,萃取时间15 min,搅拌速度300 r/min,萃取温度45℃,溶液pH=5。在此条件下,各目标物的萃取富集倍数为30~38,线性范围为2~250μg/L,检出限为1~2μg/L,测定的相对标准偏差为5%~7%。     

基于迈克耳孙干涉仪的近场光学实验

介绍了一种以迈克耳孙干涉仪作为操作平台的近场光学实验系统.该系统可以测量棱镜内表面全内反射产生的隐失场,观察两维光栅样品的近场光学结构,还可以用于光子扫描隧穿显微镜(PSTM)的原理性实验,有助于学生深入了解隐失场的结构和近场光学显微镜的基本工作原理.该装置具有结构简单可靠,操作简便等特点,十分适用于物理实验教学.     

高Tc铜基超导体伏安研究

首次用软嵌式粉末电极直接测出了高温超导体 YBa_2Cu_3O_(7-δ)等中的 Cu(Ⅲ),并求得Cu(Ⅲ)的含量.YBa_2Cu_3O_(7-δ)被测样品用固态反应合成后,以不同处理条件制得,经 XRD相分析,碘量法测含氧量,测伏安曲线.用库仑仪测出反应 Cu(Ⅲ)→Cu(Ⅱ)及Cu(Ⅱ)、Cu(Ⅰ)→Cu 的峰电量.在4号及5号样品中检出了 Cu(Ⅲ),其量分别占样品中 Cu 元素的11.7%和14.8%.     

HL—1M装置欧姆等离子体实验的初步分析

从１９９４年１０月２４日开始，对ＨＬ－１Ｍ装置进行欧姆加热等离子体的调试实验，获得了Ｉｐ＝３１０ｋＡ，ｑｎ＜２．５，ｎｃ＝３×１０＾１３ｃｍ＾－３，Ｔｃ（０）＞１ｋｅＶ，Ｔｉ（０）＞０．５ｋｅＶ和τＥ≈１０ｍｓ的平衡稳定等离子体。本文简述了ＨＬ－１Ｍ装置及其诊断等的实验结果进行了初步分析和讨论。