脉冲敲击技术对PI微球表面粗糙度的影响

作为点火靶重要候选靶丸之一, 聚酰亚胺 (PI) 空心微球采用降解芯轴技术结合双单体气相沉积聚合法 (VDP) 制备. 在PI涂层过程中微球碰撞对表面质量影响较大, 为了减小碰撞提高表面质量, 选用筛网盘做样品盘, 激励方式由压电振动模式改为脉冲敲击模式进行对比. 实验数据表明微球运动过程中碰撞是引起表面质量变差的原因, 通过理论分析确认了筛网盘通过减少接触点可以减少微球与微球间、微球与样品盘间的碰撞, 并且将压电振动改为脉冲敲击模式可以减小微球碰撞次数. 脉冲敲击模式与压电振动模式相比, 其可控性、微球弹跳幅度、消除静电等方面均优于压电振动. 对于微球壁厚均匀性而言, 压电振动略好于脉冲敲击, 但相差较小. 单个微球的壁厚最大偏差前者为0.68 μm, 优于后者的0.73 μm; 单个微球壁厚平均值在同一批次内的最大起伏, 前者为0.26 μm, 优于后者0.57 μm. 白光干涉仪数据显示脉冲敲击起到了提高微球表面质量的作用, 其表面粗糙度Rq值由52–93 nm 减小到28–44 nm. 关键词： 脉冲敲击技术 聚酰亚胺靶丸 表面粗糙度 壁厚均匀性     

附面层吸除对带间隙的高负荷压气机叶栅流动特性影响的实验研究

将附面层吸除技术应用于带间隙的高负荷压气机叶栅中,并在低速平面叶栅风洞里,实验研究了附面层吸除对带间隙的高负荷压气机叶栅流动特性的影响。实验采用五孔气动探针测量了叶栅出口截面参数,得到了该截面的二次流速度矢量分布,并对叶栅壁面进行了墨迹流动显示。结果表明,采用恰当的附面层吸除设置可以大幅改善流动,降低损失;在吸力面附近和间隙内采用附面层吸除(本文的方案1、2和4)都将削弱间隙泄漏流动的动能,从而影响吸力面再附线和端壁分离线的长度和位置,达到对相应区域三维流动分离的控制,并大幅降低总损失,其中方案1的损失下降达到20.8%。     

光束成丝的非线性理论

在考虑调制场和本底场之间有能量交换的情况下,研究了小尺度调制场的非线性演化过程,结果表明,受到小尺度调制的光束在传输过程中有可能经历周期性成丝过程,通过与Bespalov-Talanov(B-T)关于成丝的线性理论比较,发现B－T理论给出的最快增长频率和临界频率等结果在非线性演化过程中仍然是适用的,但其给出的调制增长纺只在调制场的初始增长阶段与本文的非线性理论一致,此后,调制场的增长速度低于指数形式的增长速率,达到某个最大值后将经历周期性变化过程。     

附面层抽吸对高负荷扩压叶栅流动及负荷的影响

实验研究了低速条件下附面层吸除对某高负荷扩压叶栅流动及负荷的影响,测量得到了出口二次流速度矢量和型面静压分布,并对壁面做了罹迹流动显示.结果表明,抽吸低能流体有效抑制了分离流动,在分离点后采用较大吸气量时效果更好;吸气量越大,角区低能流体的积聚逐渐减弱,叶栅负荷随之增大,且叶展中部负荷的增加程度大于端部.     

主动力信息足以确定静摩擦力的指向吗?

摩擦力既是教学的重点,更是教学的难点,特别是静摩擦力的指向确定。文章将阐述:首先,就计算而言,静摩擦力指向确定并不重要;第二,对某些动力学问题,主动力信息不足以唯一确定静摩擦力的指向;第三,在某些特殊条件下,比如运动刚体的质心位于接触点法线上(如无质量偏心的圆柱),由主动力向撞击中心简化的主矩可确定静摩擦力的指向;第四,把摩擦面假想成光滑面后,运动刚体在接触点的切向加速度指向与该处静摩擦力的指向相反。     

掺杂ZnSe/BeTe Ⅱ型量子阱结构中带电激子的磁场效应

报道了n型掺杂ZnSe/BeTe/ZnSe Ⅱ型量子阱(type-Ⅱ QW)在极低温 (5—10 K)条件下的各种光学性质. 磁场中(Farada配置)ZnSe层的反射光谱展示了一个典型的负的带电激子(X^-)的跃迁特征. 对于空间间接光致发光(spacially indirect PL)光谱,它的主发光峰显示了一个反玻尔兹曼分布的非对称性,并且在磁场中(Voigt配置)它的峰值能量随磁场的增加而降低. 这些实验结果显示了该掺杂样品的空间间接PL是来自Ⅱ型QW结构所特有的带电激子的跃迁. 关键词： 光致发光 二维电子气 带电激子 Ⅱ型量子阱     

流动流体中单个分子探测技术的基本原理及实验方法

介绍用激光诱发分子荧光法探测流动液体中单个染料分子的基本原理和实验方法。并给出用自行设计和研制的单分子探测谱仪分析Ｒ６Ｇ水溶样品的最新实验结果。     

仪表板黏弹阻尼减振设计

在分析结构阻尼的主要影响因素和过去仪表板减振结构设计特点的基础上，运用Kerwin约束阻尼结构减振理论和振动试验技术开展了仪表板的减振优化设计。采用对称型三弹性层约束阻尼结构板作为本仪表板的减振结构，同时设计了仪表板与固定支架、仪器之间两个连接边界处阻尼层预压量的调整结构。     

β=0.45, f=350 MHz Spoke腔的设计

近几年来,低b超导腔(例如spoke型，re-entrant 型,CH型)作为质子或者离子在中低能段的加速结构成为研究的热点.许多实验结果表明spoke腔在低能段是很好的选择,在中能段跟椭球腔相比也很具有竞争实力,为此,北京大学开展了β=0.45,频率为350MHz的spoke型质子超导加速腔研究. 本文详细阐述了这种腔的结构及电磁场的设计,从射频参数Q,r/Q,最大表面电磁场和加速效率的计算结果来看,它具有很好的加速性能.