尺度小波零树视频压缩编码研究

根据 MPEG- 4对多媒体信息描述的新压缩标准 ,在深入研究尺度小波变换和嵌入式小波零树压缩编码原理的基础上 ,探讨了两种基于小波零树编码的具有连续分辨率的改进视频编码方法 .尺度小波零树编码将低通子带独立编码、其它子带多尺度零树熵编码 ,实现了自然 /合成视频信息的空间 /质量尺度完全可调 .尺度自适应运动补偿小波算法运用自适应步长来减少暂时冗余 ,保证了变码率下的视频传输质量 .     

方波脉冲法制备Cu_2O@Cu/TiO_2三维阵列纳米复合材料及其作为高灵敏无酶型葡萄糖传感器的研究

采用阳极氧化法制备了TiO_2三维阵列纳米管(TiO_2 NTAs),再利用方波脉冲法在TiO_2 NTAs表面电沉积Cu薄膜,经过煅烧处理后得到Cu_2O@Cu/TiO_2 NTAs纳米复合材料。X-射线衍射仪(XRD)测试表明该材料中Cu和Cu_2O共存。扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)分析显示,TiO_2管壁的外表面均匀生长Cu_2O,选区电子衍射结果表明该纳米复合材料为混晶材料。差分脉冲伏安法表明,Cu_2O@Cu/TiO_2 NTAs在+0.56 V处出现明显的葡萄糖氧化峰,表明该纳米复合材料对葡萄糖具有强的电催化作用,可用于葡萄糖的测定。计时电流法得到葡萄糖的线性范围为0.19～3.5 mmol/L,灵敏度为372.0μA·L·mmol~(-1)·cm~(-2),检出限为3μmol/L。交流阻抗测得Cu_2O/TiO_2 NTAs的传荷阻抗为526.2Ω,Cu_2O@Cu/TiO_2 NTAs为1.8Ω,二者相差292倍,说明Cu作为中间过渡层降低了电子传导的传荷阻抗。将该电极用于血清中葡萄糖含量的检测,测试结果与医院测定结果无显著差异。Cu_2O@Cu/TiO_2 NTAs可作为一种灵敏度高、响应速度快、选择性较好的无酶型葡萄糖传感器。     

7K下Ag(100)表面单个卟啉分子的位置依赖针尖增强拉曼光谱研究（英文）

本文在低温条件(～7K)下对吸附在Ag(100)表面上的单个空心卟啉分子·进行了针尖增强拉曼光谱(TERS)研究.TERS光谱的位置依赖特性表明,单个分子内部不同化学组分的局域振动信息是可以区分的;而且进一步的TERS空间成像也表明不同的拉曼谱峰叫以具有不同的空间分布特征,它们与相应的振动模式密切相关,甚至能够在亚纳米层次上识别与卟啉芯N-H键有关的振动模式.这项研究将为深入理解单分子吸附构型的对称性以及单个分子内部的局域振动信息提供有效的手段.     

通过反应性单体法制备聚乙烯-接枝-聚甲基丙烯酸酯和聚乙烯-接枝-聚丙烯酸

茂金属催化剂1,1′-亚乙基双茚基二氯化锆[rac-C2H4(indenyl)2ZrCl2]-MAO催化乙烯和对-烯丙基甲苯共聚合得到的共聚物为底物进行自由基溴化反应,1H-NMR表明所得的溴化聚乙烯共聚物中对-烯丙基甲苯单元两个苄基位上各有一个氢被溴取代.以此溴化聚乙烯共聚物为大分子引发剂,以CuCl/N,N,N′,N′,N″-五甲基二乙基三胺为催化剂,分别进行了甲基丙烯酸甲酯和丙烯酸叔丁酯的原子转移自由基聚合,制备出相应的聚乙烯接枝共聚物.其中,聚乙烯接枝聚丙烯酸叔丁酯共聚物在盐酸作用下可以高效水解为聚乙烯接枝聚丙烯酸共聚物,然后在氢氧化钠作用下可以进一步转化为聚乙烯接枝聚丙烯酸钠共聚物.Mulao试验表明接枝共聚物对聚乙烯的极性具有明显的改善作用.     

含分子内配位键的(MeOCH~2CH~2C~5H~4)~2UCl~2的合成及表征

四氯化铀与 二当量甲氧乙基环戊二烯基钠在THF中于60℃反应, 合成得到新的二(甲氧乙基环戊二烯基)二氯化铀配合物. 产物经红外光谱, ^1H NMR和质谱鉴定 .     

镧系金属有机配合物的研究,XL.双(2-甲氧乙基环戊二烯基)钇和镱的硼氢配合物的合成及晶体结构

双(2-甲氧乙基环戊二烯基)氯化钇和镱, 在THF中, 室温与硼氢化钠发生置换反应, 生成双(2-甲氧乙基环戊二烯基)硼氢化钇(1)和镱(2), 产率分别为70和59%。它们都经红外光谱, 质谱, ^1HNMR和元素分析鉴定。将1和2在THF-己烷中重结晶,得到适用于X射线衍射分析的单品。1的空间群为Pna2~1, 晶胞参数:a=1.2390(3),b=1.1339(2), c=1.1919(2)nm, 晶胞体积,1.6745(6)nm^3,D~c=1.39g.cm^-3, z=4, R=0.061;2的空间群为Pna2~1, 晶胞参数:a=1.2399(6),b=1.1371(5),c=1.1897(2)nm, 晶胞体积, 1.6773(1)nm^3,Dc=1.72g.cm^-3, z=4, R=0.038, 1与2都是含有两个配位键(Ln-O)的双型的单体结构。     

富磷熔体生长InP单晶的均匀性研究

采用原位磷注入合成法在高压单晶炉内合成富磷的磷化铟(InP)熔体,并利用液封直拉法(LEC)生长出了掺硫及掺铁单晶材料.分别用快速扫描光荧光谱技术(PL-Mapping)、扫描电镜和傅里叶红外光谱对富磷单晶样品进行了研究.结果表明,在富磷条件下拉制的InP单晶会出现孔洞,致使在孔洞周围及远离区域晶体结晶质量和晶格常数存在差异,并且孔洞的存在会造成杂质分布的不均匀性.由于孔洞附近区域具有较高浓度的缺陷,而缺陷对杂质的吸引作用致使孔洞附近区域杂质浓度较远离孔洞区域有所增加.     

一种紧凑结构型干涉仪的设计

设计了一种基于立体角镜与固定平面镜组合的紧凑结构型干涉仪系统,分析其光学系统,得到各器件的影响与设计指标。对动镜驱动系统进行设计与分析,并通过PID算法进行调速,确保动镜运动的准直、匀速与平稳。实验表明仪器的波数精度、分辨率、信噪比等关键指标能够满足实际应用的需要。     

塔城盆地石炭系基底的重磁电震联合反演

对塔城盆地布格重力异常数据和航磁异常数据进行处理,以地震剖面数据和电性剖面数据为约束条件以降低重磁反演的多解性,求取了塔城盆地石炭系地层的深度,得到了塔城盆地石炭系地层的分布规律,与其它实测资料对比发现,该结果具有一定的正确性．     

石墨烯场效应晶体管的X射线总剂量效应

本文针对不同结构、尺寸的石墨烯场效应晶体管(graphene field effect transistors, GFET)开展了基于10 keVX射线的总剂量效应研究.结果表明,随累积剂量的增大,不同结构GFET的狄拉克电压V_Dirac和载流子迁移率μ不断退化;相比于背栅型GFET,顶栅型GFET的辐射损伤更加严重;尺寸对GFET器件的总剂量效应决定于器件结构; 200μm×200μm尺寸的顶栅型GFET损伤最严重,而背栅型GFET是50μm×50μm尺寸的器件损伤最严重.研究表明:对于顶栅型GFET,辐照过程中在栅氧层中形成的氧化物陷阱电荷的积累是V_Dirac和μ降低的主要原因.背栅型GFET不仅受到辐射在栅氧化层中产生的陷阱电荷的影响,还受到石墨烯表面的氧吸附的影响.在此基础上,结合TCAD仿真工具实现了顶栅器件氧化层中辐射产生的氧化物陷阱电荷对器件辐射响应规律的仿真.相关研究结果对于石墨烯器件的抗辐照加固研究具有重大意义.