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91.
利用固相反应烧结技术制备La0.1Bi0.9-xEuxFeO3系列化合物.利用X射线粉末衍射进行物相鉴定和结构分析,确定了材料的相关系:x≤0.05,材料为R3c结构相;0.08≤x≤0.12,材料为赝R3c结构相;x≥0.15是Pbnm相,其中0.15≤x≤0.20区域Pbnm相存在畸变.磁测量结果表明,材料具有弱铁磁性,对于x≤0.20材料,磁矩在x=0.12成分存在极值.利用阻抗分析仪测量了室温介电常数随成分的变化关系.讨论了材料的结构与弱铁磁性和室温介电常数间的关系. 相似文献
92.
本文用室温、高温X射线衍射和差热分析等方法,研究了Mg_(x/2)Li_(1-x)IO_3晶体结构及其随成份和温度的变化。 Mg(IO_3)_2·LiIO_3二元系形成一种新型的连续固溶体。 在室温对于富LiIO_3的固溶体,晶体点阵沿x-y,平面产生畸变,其畸变开始随Mg(IO_3)_2含量的增加而加大,晶体的空间群从P6_3转变为P112.当成份为3Mg(IO_3)_2·7LiIO_3时,畸变度达最大,γ=120°22′。随着Mg(IO_3)_2含量的继续增加,畸变度又逐渐减小,当成份为Mg(IO_3)_2·LiIO_3时,晶体点阵的畸变消失,其空间群又转变为P6_3。 对于富Mg(IO_3)_2的固溶休,晶休点阵沿z轴发生畸变,晶体由具有不同c值的单胞所组成。当LiIO_3量为20—30mol%时,这一现象最为明显。随温度升高,晶体逐渐转变为单一c值的单胞。 我们认为:Mg(IO_3)_2·LiIO_3二元系固溶体,晶格发生畸变是与点阵中存在着空位密切相关的。由于空位富集,使得点阵常数c不均匀。也由于空位改变晶格场,引起IO_3~-的移动或转动,使得晶格沿x-y平面发生畸变。 相似文献
93.
94.
本文用差热分析、恒温热处理、X射线衍射等方法,对LiIO3在常压的相变过程做了进一步的研究。对于LiIO3的常压相变机制有了较为详尽的了解。并发现LiIO3在高温可相对稳定存在三个相:β,η和δ,它们可分别自行熔化,其熔点相应为:432℃,421℃和416℃,从它们的热经历和存在的温度范围,表明其稳定性顺序为β>η>δ。在室温干燥空气中,与α相和β相共存的还有ζ相,ζ相升温放热转变为β相。在α相存在的温区里,ζ相经过长时间热处理并不转变为α相,同时,ζ相转变为β相的温度比α相高。与α→β的情况相同,β对ζ→β也有诱导作用。而且的ζ存在对α→β也有促进作用。θ相(θ1与θ2)与γ相一样,是相变过程的中间过渡相。
关键词: 相似文献
95.
本文用差热分析、高温和室温X射线衍射分析等方法研究了Mg(IO3)2·4H2O的相变过程: Mg(IO3)2·4H2O晶体属单斜晶系,空间群为P2或Pm,每个晶胞含有两个化合式量,点阵常数为a=8.307?,b=6.627?,c=8.541?,β=1.00°45′。我们用X射线粉末法测定了α-Mg(IO3)2的晶体结构。α-Mg(IO3)2属六角晶系,其空间群是P63。在14℃的点阵参数为a=5.4777?,c=5.1282?,c/a=0.9362。每个单胞含一个化合式量,6OII占据在6(c)等效位置上,21V占据在2(b)等效位置上,Mg++无序地占据着2(a)等效位置的一半。其原子参数为xc=0.096,yc=0.344,zc=0.162,zb=0,za=0.981。从结构来看,它与α-LiIO3同晶型,所不同的是2(a)位置只有一半被Mg++离子占据着,另一半为空位。
关键词: 相似文献
96.
97.
本文用排水法测量了TiFe+La及TiFe+Mm合金的贮氢量及坪台曲线。研究La及Mm对TiFe合金活化性能的影响。实验结果表明,当TiFe合金中的La或Mm含量大于4wt%时,就可以使合金的活化性能大为改善,使之在室温附近活化。La或Mm并没有进入TiFe晶格,它以第二相出现在合金中。La或Mm主要起纯化TiFe合金的作用。吸氢机制仍取决于TiFe金属间化合物。此外,我们还根据Miedema公式计算了TiFeLayH1.0的形成焓,并与实验值作了比较。
关键词: 相似文献
98.
本文系应用在量热弹中燃烧试样的方法来测量Cr-Si系统化合物的标准生成热;应用“混合”法测定其热焓和热容,及应用“古伊”法测量磁化率;同时初步讨论了该系统各化合物的物理化学性质间的相互联系。 相似文献
99.
100.
本文用X-射线粉末衍射的方法测定了NiGa4的晶体结构.NiGa4属于立方晶系,点阵为体心立方型,空间群为T3—I23,点阵常数a=8.4295,每单胞内含8个化合式量.8Ni和32Ga所占据的等效点系和原子参数为8Ni占据8(c)等效点系,x_(Ni)=0.3345,8Ga(1)占据8(c)等效点系,x1=0.1668,12Ga(2)占据12(d)等效点系,x2=0.3524,12Ga(3)占据12(e)等效点系,x3=0.2518. NiGa4合金相实际成份向Ni方向偏离理想化合式,它是一种由空位控制的新型γ-黄铜的畸变结构.文中还论证了每基本结构单位的平均价电子数是控制γ-黄铜结构的主要因素. 相似文献