闪光二号加速器气体主开关同步触发系统

 设计并调试了闪光二号加速器气体主开关同步触发系统。该系统主要由同步控制部分和高压脉冲形成部分构成。整个触发过程包括同步信号的引出、整形滤波、快速比较电路传输、前级脉冲形成、高压脉冲产生。通过对同步信号的整形处理,解决了发生器电流上的高频信号干扰问题;经过快速比较电路和前级脉冲后,选取了同步信号开始工作的时间点,并形成十几V的触发信号;高压脉冲形成部分主开关采用场畸变结合预电离的方式,该结构的气体开关时间响应为50 ns,抖动小于5 ns,满足使用要求。调试结果表明:该系统输出脉冲电压幅值100 kV,前沿小于10 ns,系统的工作时延440 ns,抖动13.5 ns;可通过增加电缆长度来控制触发信号到达气体开关的时刻,实现气体主开关与Marx发生器的延时同步工作。     

MH-81型状态方程推算制冷剂的容积性质和汽液相平衡

MH-81方程是汽液相平衡计算的通用状态方程之一。现用于制冷剂的二元混合物。 一、纯质容积性质和相平衡的推算 MH-81型状态方程形式见文献[1]。原则上,确定该方程的常数只需要临界点的P_c、V_c、T_c和一个饱和点的P~s、T~s。但用于汽液相平衡计算的MH-81常数需要优化。 对12种制冷剂计算所得容积性质V~v、V~l和逸度f_i~l、f_i~v按下式检验计算精度。     

ZIF-67改性木质素磺酸钠/聚乙烯亚胺层层自组装膜的纳滤性能研究

基于木质素磺酸钠/聚乙烯亚胺纳滤膜的可行性,制备了ZIF-67改性的木质素磺酸钠/聚乙烯亚胺复合纳滤膜。通过层层自组装技术在聚砜基膜上沉积了ZIF-67改性的聚电解质阴/阳离子层,以不同的料液Mg SO_4、CaCl_2和NaCl为分离体系来探究ZIF-67改性木质素磺酸钠/聚乙烯亚胺复合膜的分离性能,发现本研究制备的ZIF-67改性木质素磺酸钠/聚乙烯亚胺复合膜在不降低截留率的前提下,渗透通量较木质素磺酸钠/聚乙烯亚胺纳滤膜可提高到约原来的两倍。本文运用层层自组装技术制备的ZIF-67改性的新型纳滤膜,可应用于水软化领域且简便可行。     

腺嘌呤的表面增强喇曼散射研究

本文是利用表面增强喇曼光谱研究腺嘌呤在银表面的吸附情况。为了避免外加阴离子产生的共吸附对SERS谱的影响,我们采用化学粗糙法(COR)进行银电极的表面处理。测量了不同电位时腺嘌呤的SERS谱,发现电位从正向负变化时腺嘌呤会以竖立武吸附变成接近平躺吸附。     

部分线性模型中估计的收敛速度

考虑回归模型（Ⅰ）：其中（ｘ＿ｉ，ｔ＿ｉ）是固定非随机设计点列，ｘ＿ｉ＝（ｘ＿（ｉｌ），…，ｘ＿（ｉｐ））＇β＝（β＿１，…，β＿ｐ）＇（ｐ＞１），ｇ是定义在［０，１］上的未知函数，β是未知待估参数，０＜ｔ＿ｉ＜１，ｅ＿ｉ是ｉ．ｉ．ｄ．随机误差，且Ｅｅ＿ｉ＝０，Ｅｅ＝σ￣２＜∞。基于ｇ的估计取一类非参数权估计（包括常见的核估计和近邻估计），我们讨论了β的最小二乘估计及ｇ的估计的最优强弱收敛速度。     

On Bahadur asymptotic efficiency in a semiparametric regression model

ＯＮＢＡＨＡＤＵＲＡＳＹＭＰＴＯＴＩＣＥＦＦＩＣＩＥＮＣＹＩＮＡＳＥＭＩＰＡＲＡＭＥＴＲＩＣＲＥＧＲＥＳＳＩＯＮＭＯＤＥＬＬＩＡＮＧＨＵＡ（梁华）;ＣＨＥＮＧＰＩＮＧ（成平）（ＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＳｙｓｔｅｍｓＳｃｉｅｎｃｅ,ｔｈｅＣｈｉｎｅｓｅＡ...     

具有周期振荡系数二阶椭圆型方程的双尺度高精度算法

本文考虑了一类具有周期振荡系数二阶椭圆型方程边值问题,提出了基于双尺度渐近展开式的高精度有限元算法,并给出严格的证明。     

等差数列，等比数列

等差数列，等比数列湖南隆回一中李锡定【基本概念】１．一般地，如果一个数列从第二项起，每一项与它前一项的差（或比）等于同一个常数，这个数列就叫做等差（或等比）数列．即ａ２－ａ１＝ａ３－ａ２＝…＝ｄ（常数）（或ａ２／ａ１＝ａ３／ａ２＝…＝ｑ（常数））．２...     

聚酯薄膜复合材料带状脉冲形成线传输介质

介绍了一种电气绝缘柔软复合材料——DMD膜,通过对膜结构的分析,设计了一种串联等效电路模型对其进行分析。运用该模型,对DMD膜在浸渍前和浸渍后两种情况下的介电常数和介电强度进行了求解并给出计算公式。从公式可以看出:DMD膜的介电常数在浸渍前后有明显的变化,浸渍后的介电常数得到了显著的提高,并且变化率较小;浸渍后DMD膜的介电强度高于未浸渍DMD膜的介电强度。当浸渍料介电常数愈大,聚酯材料上承受的电场强度愈大,浸渍料上承受的电场强度愈小,由于聚酯材料的耐压强度很高,所以整个传输线的介电强度得到提高。     

孔洞和空位对单晶铝力学性能影响的分子动力学研究

采用分子动力学方法模拟含孔洞的单晶铝单轴拉伸过程,研究晶向、孔洞体积分数、空位体积分数等对孔洞生长的影响.结果表明：对于不同的晶向,决定孔洞生长变形的微观机制不同.[010]晶向单轴拉伸情况下,形变机制主要是｛111｝面位错引起的堆垛层错;[111]晶向单轴拉伸情况下,形变机制主要是位错的移动、堆积与发射.此外,孔洞及空位的体积分数对[010]、[111]晶向的孔洞生长过程也有着明显的影响.总的来说,随着孔洞或者空位体积分数的增加,材料的杨氏模量变小,屈服强度、屈服应变下降.