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11.
原子和分子在某些特定的條件下可以發射出各种不同波長的電磁波,这些電磁波的波長範圍是很廣阔的,光学光譜所討論的範圍是紅外線、可見光及紫外線。波長从幾個毫米到7.5×10~(-4)毫米的間隔內属於紅外線;从7.5×10~(-4)毫米到4×10~(-4)毫米是可見光;波長比可見光短的就是紫外線,紫外線的波長可以短到2×10~(-6)毫米。如果使各個區域內的電磁波通过適当的光譜儀器,我們就可以得到各個区域的光譜。假如我們是在可見光区域內工作,便可以直接用眼睛观察到光譜,例如使一個金属电弧所发出來的光通过一個稜鏡攝譜仪之后,在一個距離放得合適的屏上,我們就 相似文献
12.
13.
HgCdTe是一种有广泛应用前景的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体光电材料。从投资上看,它已为仅次于Si和GaAs的第三种最重要的半导体。HgCdTe是制作红外探测器的最佳材料。本文简要地介绍了HsCdTe材料的性质以及它的应用和制备进展,着重描述了在红外探测器上的应用。对制备HgCdTe单晶的各种工艺方法作了比较说明,较详细地介绍了滑动液相外延(LPE)制备HgCdTe单晶薄膜技术。 相似文献
15.
16.
In this paper we try to show how a reasonable equation for crack propagation in brittle materials naturally leads to self-affine or statistically self-similar failure structures. We argue that the fractal behaviours of crack propagation in brittle mate-rials are in essence determined by the scale-invariance of the Fokker-Planck equation. This approach provides a good illustration for understanding the microscopic origin of fractal behaviour in real materials. 相似文献
17.
18.
为了获得较高的空间分辩率,设计了一种新型小束斑驻波电子直线加速器,该加速器取消了加速腔中的鼻锥结构,而在耦合腔中设置鼻锥结构。用狭缝法代替小孔法测得X射线源的焦斑尺寸为1.4mm。讨论了射线源焦点对成像质量的影响,分析了在高能条件下小孔法不适合用于焦点测量的物理原因,用4种测量方法测量了该高能X射线源的参数,测得该系统的成像极限分辩率为2.5 lp/mm,最后对实验结果进行了分析。 相似文献
19.
本文描述了甩升华法生长ZnSe单晶的生长情况和晶体品质。为了获得高纯高完整性单晶,由高纯Zn和Se反应合成了ZnSe,设计了特殊形状的成核室,保证了在一个晶核上单晶的生长;同时在生长过程中控制组分分压,减小了化学计量比的偏差。通过偏光显微镜的观察和He-Ne激光散射的形貌分析表明,在生长速率小于0.5(毫米/天)情况下,在块状单晶体中观察不到生长带纹的条纹,但观察到位错缺陷。在液氦温度的光致发光光谱中首次观察到强的自由激子光谱和激子激发态的光谱;观察到典型的反射光谱和精细的束缚激子谱线,没有观察到2.4eV以下的深能级发光谱带。这些结果表明单晶的纯度和完整性是良好的。 相似文献
20.
讨论了金属穿晶脆性断裂统计理论.根据穿晶裂纹和晶界作用的界面能模型及断裂非平衡统计理论框架,推导出了裂纹扩展速率、断裂强度、断裂韧性、脆性—韧性转变温度及其统计分布函数随晶粒尺度和界面能变化的公式.
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