含氢硅油-三氯化钌催化酰胺的还原反应研究

以原位形成的膦钌络合物为催化剂,研究了含氢硅油对酰胺的还原反应,考察了酰胺的结构、反应溶剂、配体等条件对催化反应的催化效率及产物结构的影响.仲胺基及伯胺的酰胺化合物被还原成相应的叔胺及仲胺;丙烯酰胺与含氢硅油反应时,选择性较差,得到丙烯腈、丙腈及与硅烷基相连的聚丙烯酰胺与聚丙烯腈.     

乙酰二茂铁修饰碳糊电极测定废水中对氨基苯酚

利用线性扫描溶出伏安法研究了对氨基苯酚(PAP)在乙酰二茂铁修饰碳糊电极电化学行为。结果表明:在磷酸盐缓冲溶液(pH3.2)中,该修饰电极对PAP具有较好的催化活性,其峰电流与PAP浓度在7.0×10-7～3.0×10-5mol/L范围内呈线性关系,检出限为1.0×10-7mol/L(S/N=3)。利用该法测定了模拟水样中PAP的含量。     

机载多框架光电吊舱两级隔振设计

在分析了目前常用的机载光电设备隔振系统的基础上,针对两轴四框架的结构特点,提出了一种基于多框架的两级隔振方案,克服了目前隔振系统体积、重量大,加工装配要求高的缺点。基于隔振模型的理论计算表明,根据系统给定的质量比和频率比,优化选择内外框架的刚度比,即选择合适的内外框隔振器可达到理想的隔振效果。通过某型光电吊舱的扫频实验...     

Radiation induced inter-device leakage degradation

The evolution of inter-device leakage current with total ionizing dose in transistors in 180 nm generation technologies is studied with an N-type poly-gate field device (PFD) that uses the shallow trench isolation as an effective gate oxide. The overall radiation response of these structures is determined by the trapped charge in the oxide. The impacts of different bias conditions during irradiation on the inter-device leakage current are studied for the first time in this work, which demonstrates that the worst condition is the same as traditional NMOS transistors. Moreover, the two-dimensional technology computer-aided design simulation is used to understand the bias dependence.     

航天器中精密器件布局的保结构优化

航天器中精密器件的稳定性和工作精度决定于器件布置位置的局部结构振动特性,而航天器局部振动特性又受到精密器件布局的影响.因此,航天器中精密器件的布局优化是确保其稳定高效工作的前提条件.该文建立了粘接精密器件的航天器局部柔性薄板结构的动力学模型,发展保结构分析方法模拟了薄板结构的局部振动特性.考虑精密器件形状和尺寸、散热间...     

一类“关-开”型Cu(Ⅱ)离子HNO荧光探针的设计、合成与表征（英文）

作为NO的单电子质子化还原产物，亚硝酰氢(HNO)具有的生物和药理作用特征与NO迥然不同。因此，实时检测生物体内HNO的浓度具有十分重要的生物医学意义。一类基于Cu (Ⅱ)离子荧光探针被广泛应用于HNO检测。为探讨不同荧光基团对HNO检测效率的影响，利用9-AC、BODIPY和香豆素作为荧光基团，我们设计并合成了三种“关-开”型Cu(Ⅱ)离子HNO探针Cu^Ⅱ[AD1]、Cu^Ⅱ[BD1]、Cu^Ⅱ[CD1]。通过研究表明，在生理条件下，Cu^Ⅱ[AD1]、Cu^Ⅱ[BD1]、Cu^Ⅱ[CD1]在5 min内对HNO响应，荧光增强倍数分别为7.13、14.48和329.04。上述探针检测限较低，分别为24.49、 10.79和0.15μmol/L。此外，这些探针对HNO的检测选择性优于其他活性氧和活性氮。因此，这些探针有望为研究亚细胞、细胞、器官乃及活体中HNO的生理病理功能提供重要的实验依据。     

限制性核酸内切酶PstⅠ星号活力的研究

研究了温度、酶浓度、反应时间、几种有机溶剂等因素对PstⅠ星号活力的影响,并在有利于星号活力的反应条件下测定了星号活力及原活力的Km 分别为1.46×10- 7 m ol/L和1.02×10- 8 m ol/L,Vm ax 分别为2.86×10- 16 m ol/s和3.06×10- 15 m ol/s.     

P2+和P+注入硅固相外延过程时间分辨的反射率研究

本文以时间分辨的反射率测量结合背散射和沟道分析、透射电子显微镜分析,比较和研究了在77K温度下180keV,1×10¹⁴/cm²P₂⁺和90KeV,2×10¹⁴/cm²P⁺注入硅于550℃退火时的固相外延过程。发现了P₂⁺,P⁺注入硅样品的固相外延过程具有不同的特征。这种差异是由于P₂⁺和P⁺在硅中引入不同的损伤造成的。P⁺注入的硅样品测量得到的时间分辨的反射谱是反常的。这种反常谱可用样品退火时从表面层到非晶硅层与从衬底到非晶硅层的双向外延的过程给出满意的解释。 关键词：     

Influences of SiO2 laser-induced protective layers and damage threshold of annealing on the Ta2O5 films

Ta2O5 films are prepared on BK7 substrates with conventional electron beam evaporation deposition. The effects of SiO2 protective layers and annealing on the laser-induced damage threshold （LIDT） of the films are investigated. The results show that SiO2 protective layers exert little influence on the electric field intensity （EFI） distribution, microstructure and microdefect density but increase the absorption slightly. Annealing is effective on decreasing the microdefect density and the absorption of the films. Both SiO2 protective layers and annealing are beneficial to the damage resistance of the films and the latter is more effective to improve the LIDT. Moreover, the maximal LIDT of Ta2O5 films is achieved by the combination of SiO2 protective layers and annealing.     

外延生长YBa2Cu3O7-x超导薄膜的TEM和SEM研究

本文利用高分辨率透射电子显微镜(TEM)和扫描电子显微镜(SEM)对高J_c外延生长YBa₂Cu₃O_7-x超导薄膜的微观结构进行了观察分析.研究发现,薄膜外延程度的好坏与生长工艺和衬底表面的完整性有直接的关系.实验结果表明(100)SrTiO₃单晶衬底上外延生长YBa₂Cu₃O_7-x超导薄膜中影响临界电流密度J_c的因素主要有界面过渡区、缺陷和不同的外延取代等.