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81.
扭转冷作硬化的试验研究及分析 总被引:14,自引:2,他引:14
扭转冷作硬化技术,能产生充分的塑性变形,从而使试件后继屈服极限和极限载荷比拉伸冷作硬化有大幅度提高。本文从试验研究和理论分析两个方面深入研究了这一问题,引出了有益的结果。 相似文献
82.
通过高温固相反应合成了N掺杂的SrTiO3和(SrTiO3)1-x(SrTaO2N)x固溶体,对其进行了X射线衍射,紫外可见吸收光谱,X射线光电子能谱分析和比表面积的表征。随x由0增大至0.4,固溶体带隙变窄,由3.2eV降至2.3eV,吸收光谱由紫外光区扩展到可见光区。在甲醇溶液(50mLCH3OH+220mLH2O)中进行了光催化分解水产生氢气的反应,在硝酸银溶液(270mL,0.01mol·L-1)中进行了光催化分解水产生氧气的反应,在可见光(λ420nm)照射下,实现了可见光响应的光催化分解水。 相似文献
83.
84.
85.
在分析了目前常用的机载光电设备隔振系统的基础上,针对两轴四框架的结构特点,提出了一种基于多框架的两级隔振方案,克服了目前隔振系统体积、重量大,加工装配要求高的缺点。基于隔振模型的理论计算表明,根据系统给定的质量比和频率比,优化选择内外框架的刚度比,即选择合适的内外框隔振器可达到理想的隔振效果。通过某型光电吊舱的扫频实验... 相似文献
86.
The evolution of inter-device leakage current with total ionizing dose in transistors in 180 nm generation technologies is studied with an N-type poly-gate field device (PFD) that uses the shallow trench isolation as an effective gate oxide. The overall radiation response of these structures is determined by the trapped charge in the oxide. The impacts of different bias conditions during irradiation on the inter-device leakage current are studied for the first time in this work, which demonstrates that the worst condition is the same as traditional NMOS transistors. Moreover, the two-dimensional technology computer-aided design simulation is used to understand the bias dependence. 相似文献
87.
88.
作为NO的单电子质子化还原产物,亚硝酰氢(HNO)具有的生物和药理作用特征与NO迥然不同。因此,实时检测生物体内HNO的浓度具有十分重要的生物医学意义。一类基于Cu (Ⅱ)离子荧光探针被广泛应用于HNO检测。为探讨不同荧光基团对HNO检测效率的影响,利用9-AC、BODIPY和香豆素作为荧光基团,我们设计并合成了三种“关-开”型Cu(Ⅱ)离子HNO探针CuⅡ[AD1]、CuⅡ[BD1]、CuⅡ[CD1]。通过研究表明,在生理条件下,CuⅡ[AD1]、CuⅡ[BD1]、CuⅡ[CD1]在5 min内对HNO响应,荧光增强倍数分别为7.13、14.48和329.04。上述探针检测限较低,分别为24.49、 10.79和0.15μmol/L。此外,这些探针对HNO的检测选择性优于其他活性氧和活性氮。因此,这些探针有望为研究亚细胞、细胞、器官乃及活体中HNO的生理病理功能提供重要的实验依据。 相似文献
89.
研究了温度、酶浓度、反应时间、几种有机溶剂等因素对PstⅠ星号活力的影响,并在有利于星号活力的反应条件下测定了星号活力及原活力的Km 分别为1.46×10- 7 m ol/L和1.02×10- 8 m ol/L,Vm ax 分别为2.86×10- 16 m ol/s和3.06×10- 15 m ol/s. 相似文献
90.
本文以时间分辨的反射率测量结合背散射和沟道分析、透射电子显微镜分析,比较和研究了在77K温度下180keV,1×1014/cm2P2+和90KeV,2×1014/cm2P+注入硅于550℃退火时的固相外延过程。发现了P2+,P+注入硅样品的固相外延过程具有不同的特征。这种差异是由于P2+和P+在硅中引入不同的损伤造成的。P+注入的硅样品测量得到的时间分辨的反射谱是反常的。这种反常谱可用样品退火时从表面层到非晶硅层与从衬底到非晶硅层的双向外延的过程给出满意的解释。
关键词: 相似文献