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11.
12.
以聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为高分子模板剂,乙酰丙酮钒(C_(15)H_(21)O_6V)和三水合硝酸铜[Cu(NO_3)_2·3H_2O]为原料,导电玻璃(FTO)为载体,结合溶胶-凝胶法和静电纺丝技术制备了前驱体纤维,经高温焙烧后得到分布均匀、具有纤维结构的导电玻璃负载的CuO/V_2O_5复合光电极(CuO/V_2O_5/FTO).采用热重-差热分析仪(TG-DTA)、X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和X射线光电子能谱仪(XPS)等对材料的结构进行表征,以亚甲基蓝(MB)为目标降解物,探讨了合成产物的光电催化性能.结果表明,CuO与V_2O_5能有效形成异质结构,其光电催化活性均比纯V_2O_5有明显提高,并且改变CuO与V_2O_5的比例对光电催化性能有较大影响,其中n(Cu)∶n(V)=1∶1时降解效率最高,达到96%. 相似文献
13.
14.
利用直流辉光等离子体化学气相沉积(DC-GD CVD)设备在碳化硅(SiC)密封材料上沉积复合金刚石薄膜(ICD).实验通过两步工艺,先在SiC上沉积一层微米金刚石薄膜(MCD),然后再沉积一层纳米金刚石薄膜(NCD)形成复合金刚石薄膜(ICD).通过场发射扫面电镜和拉曼测试,研究了MCD、NCD和ICD薄膜的表面形貌和材料结构.各种金刚石薄膜利用轮廓仪、划痕测试和摩擦磨损测试其力学性能.结果显示ICD薄膜既有较强的结合力,其摩擦系数也较低.ICD薄膜涂层的SiC密封环的摩擦系数为0.08 ~0.1. 相似文献
15.
16.
研究了微波场中T型分子筛的结晶过程。考察了微波加热体系中合成参数如合成时间、溶胶组成、反应压力和模板剂用量对分子筛晶化的影响。微波加热的主要优点是减少合成时间,无模板剂的溶胶在普通加热条件下的晶化时间需要120 h,而在微波场中则仅需要20~25 h。另一方面,由于微波的快速加热特性促进了稳定相钙十字沸石的生成,从而减小了次稳定相T型分子筛的结晶区间。在未添加模板剂条件时,100 ℃下微波水热合成T型分子筛的结晶区间为:20≤nSiO2/nAl2O3≤22和0.31≤ nM2O/nSiO2≤0.33(其中M2O=Na2O+K2O, nNa/nK=3和nM2O/nSiO2=11.70)。在普通加热和微波加热合成体系中,添加模板剂均能扩大结晶区间,同时还可以进一步减少合成时间。 相似文献
17.
DDR (Deca-dodecasil 3R) zeolite was synthesized hydrothermally in fluoride medium. The effects of synthesis conditions including the amount of KF, different fluoride sources and seeds on crystallization of DDR zeolite were investigated. The as-synthesized DDR zeolite samples were characterized by X-ray diffraction (XRD) and scanning electron microscope (SEM). The results demonstrated that DDR crystallization was strongly affected by nKF/nSiO2, fluoride sources and seeds. Pure DDR zeolite could be successfully obtained in nKF/nSiO2 range of 0.5~1 after 9 days of hydrothermal synthesis. The synthesis time was reduced to 1 day by adding small amount of seeds with yield approaching 100%. 相似文献
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Na2MnPO4F材料是一种很有发展前景的钠离子电池正极材料,本文通过非原位XRD和固体核磁共振技术研究该材料充放电结构变化(晶体结构与局域Na位). 非原位XRD测试发现,充电过程在2θ为31o和36o左右出现新的衍射峰,表明钠脱出后电极上有中间相物质生成. 23Na MAS NMR谱图的-209 ppm、-258 ppm和-295 ppm三个谱峰分别对应于该材料结构中Na1 + Na2位、Na3位和Na4位. 非原位23Na MAS NMR谱研究发现,充电过程中-209 ppm处信号峰面积比例减小,表明Na1和Na2位的Na比Na3和Na4位先脱出. 充电至4.2 V,-132 ppm和-330 ppm处出现中间相物质的信号峰;而放电过程则相反. 相似文献
19.
石墨烯作为一种新型二维材料,因其优异的性质,在科学和应用领域具有非常重要的意义.而其超高的载流子迁移率、室温量子霍尔效应等,使其在信息器件领域备受关注.如何获得高质量并且与当代硅基工艺兼容的石墨烯功能器件,是未来将石墨烯应用于电子学领域的关键.近年来,研究人员发展了一种在外延石墨烯和金属衬底之间实现硅插层的技术,将金属表面外延石墨烯高质量、大面积的特点与当代硅基工艺结合起来,实现了无需转移且无损地将高质量石墨烯置于半导体之上.通过系统的实验研究并结合理论计算,揭示了插层过程包含四个主要阶段:诱导产生缺陷、异质原子插层、石墨烯自我修复和异质原子扩散成膜,并证实了这一插层机制的普适性.拉曼和角分辨光电子能谱实验结果表明,插层后的石墨烯恢复了本征特性,接近自由状态.此外,还实现了多种单质元素的插层.不同种类的原子形成不同的插层结构,从而构成了多种石墨烯/插层异质结.这为调控石墨烯的性质提供了实验基础,也展现了该插层技术的普适性. 相似文献
20.
We report a facile phase conversion method that can locally convert n-type SnSe2 into p-type SnSe by direct laser irradiation. Raman spectra of SnSe2 flakes before and after laser irradiation confirm the phase conversion of SnSe2 to SnSe. By performing the laser irradiation on SnSe2 flakes at different temperatures, it is found that laser heating effect induces the removal of Se atoms from SnSe2 and results in the phase conversion of SnSe2 to SnSe. Lattice-revolved transmission electron microscope images of SnSe2 flakes before and after laser irradiation further confirm such conversion. By selective laser irradiation on SnSe2 flakes, a pattern with SnSe2/SnSe heteostructures is created. This indicates that the laser induced phase conversion technique has relatively high spatial resolution and enables the creation of micron-sized in-plane p-n junction at predefined region. 相似文献