压力膨化后的热处理温度对PP蜂窝膜驻极体机电性质的影响

研究了经压力膨化后的热处理温度对聚丙烯蜂窝膜(cellular PP)驻极体机电性能的影响.结果表明，在从常温至PP熔融温区内，压力膨化工艺处理后PP蜂窝膜的厚度随着热处理温度的升高而逐渐增大；然而热处理温度对PP蜂窝膜的压电活性及其相关性质的影响具有显著不同的规律，在90℃时，PP蜂窝膜的弹性模量和机电耦合系数分别出现谷值和峰值，同时压电d₃₃系数达到377pC/N的最大值.随着热处理温度的升高，它们的谐振频率的变化范围约为794到371kHz. 关键词： 热处理温度 PP蜂窝膜 压电性 压力膨化工艺     

米索前列醇结合宫颈插管对宫颈扩张的影响——46例钳刮术分析

对孕 1 2～ 1 4周患者行钳刮术其关键在于宫颈口扩张的程度 ,由于受宫颈扩张的影响 ,给钳刮术带来一定的限制 .我院采用了阴道放置米索前列醇结合宫颈插管行钳刮术 ,并与单纯宫颈插管行钳刮术结果进行比较 ,分析 .1　临床资料1 .1一般资料1 999年 6月～ 2 0 0 1年 6月 ,在我院门诊因停经 1 2～ 1 4周 ,阴道检查子宫增大 ,如孕 3月左右 ,经Ｂ超检查符合妊娠诊断 ,要求终止妊娠而行钳刮术 46例 .年龄 2 1～ 2 8岁 ,平均 2 4.6岁 ,孕期 1 2～ 1 4周 ,胎次 1～ 3次 .所有病例均无心、肺、肾疾病、血常规、出凝血检查均无异 .1 .2分组随机分为阴…     

2×2阶上三角算子矩阵的谱扰动

研究了Hilbert空间H⊕K上的2×2阶上三角算子矩阵MC=(A O C B)当A,B给定,C为任意有界线性算子时,对MC的点谱、剩余谱、连续谱的扰动分别给出了描述.     

PbMoO4晶体生长基元和生长习性的高温拉曼光谱研究

应用高温拉曼光谱研究了PbMoO4熔体中的生长基元.通过对不同温度下PbMoO4晶体拉曼光谱和熔点温度附近熔体高温拉曼光谱的研究,发现PbMoO4熔体中存在Pb2 阳离子和[MoO4]2-阴离子生长基元.进一步讨论了PbMoO4晶体生长基元和各个低指数晶面间的相互作用,解释了晶体的生长习性和枝晶生长的原因,并指出:PbMoO4晶体生长的最佳籽晶取向是平行于其{101}面所围成的棱锥表面的方向.     

可圈的一个充分条件

本文我们证明如下结果:设G=(V,E)是一个n(n≥3)阶k-连通(k≥2)图,记X1,X2,…,Xk为V的子集,X=X1∪X2∪…∪Xk.若对每个I,I=1,2,…,k,满足:对任意的u,v∈Xi,有d(u) d(v)≥n或|N(u)∪N(v)|≥n-δ或|N(u)∩N(v)|≥α,这里δ是G的最小度,α是G的独立数,则G是X-可圈的.     

“化二为一”在最值问题中的应用

“化二为一”法本质上是一种化归思想,常常用于一些与不等式有关的最值问题,本文结合实例介绍“化二为一”在解题中的应用     

低温液氢储存的现状及存在问题

储氢是氢能发展中的一个重要方面。低温液化储氢由于其储氢密度大、能量密度高等特点,具有很大的优势。首先分析了三种主流储氢方式的优缺点与发展现状,并针对低温液态储氢技术进一步展开,从被动绝热与主动绝热两个方面介绍了当前已广泛应用,以及新发展的绝热技术,指出其各自不足与未来的发展方向。另外还从低温容器设计的角度,对低温液氢容器的结构设计、选材以及安全性保障等方面进行了描述。     

固相萃取-高效液相色谱法测定土壤中19种农药残留

土壤样品（5.000g）用乙腈-水（80＋20）混合溶液超声波提取2次,每次用20mL,提取时间为20min。提取液滤入已盛有氯化钠3g的100mL具塞量筒中,剧烈振摇1min,并静置10min,待乙腈与水分相后,移取上层乙腈溶液10.0mL,于40℃吹氮蒸至0.5mL,加水4mL。将溶液通过已活化的C18固相萃取小柱...     

Improved power simulation of AlGaN/GaN HEMT at class-AB operation via an RF drain–source current correction method

A new modified Angelov current–voltage characteristic model equation is proposed to improve the drain–source current（Ids） simulation of an Al Ga N/Ga N-based（gallium nitride） high electron mobility transistor（Al Ga N/Ga N-based HEMT） at high power operation. Since an accurate radio frequency（RF） current simulation is critical for a correct power simulation of the device, in this paper we propose a method of Al Ga N/Ga N high electron mobility transistor（HEMT）nonlinear large-signal model extraction with a supplemental modeling of RF drain–source current as a function of RF input power. The improved results of simulated output power, gain, and power added efficiency（PAE） at class-AB quiescent bias of Vgs =-3.5 V, Vds= 30 V with a frequency of 9.6 GHz are presented.