等离子体喷涂层的正电子湮没研究

本文用正电子湮没技术对等离子体喷涂铜基合金压缩形变的微观缺陷进行了测量。对等离子体喷涂合金，随着压缩量的增加，正电子寿命变短，这一现象与常规合金中观察到的情况相反。     

TOPO－TBP萃淋树脂在盐酸、硝酸溶液中萃取铀、钍平衡常数的测定

本文测定了在盐酸、硝酸溶液中，ＴＯＰＯ－ＴＢＰ萃淋树脂萃取铀、钍的平衡常数，结果表明，在相同酸性溶液中，ＴＯＰＯ－ＴＢＰ萃淋树脂萃取铀、钍平衡常数与液－液体系基本一致。     

瞬态功率光限幅实验

应用单脉冲时间分辨技术测量了富勒烯溶液瞬态功率光限幅特性。在激发波长为532nm,脉冲宽度为8ns,峰值功率密度达到180MW/cm²的条件下,其瞬态功率光限幅的开关速度约为5ns.     

快速床动力学统一模型Ⅱ:上部稀相与下部浓相固含率的预报

在前文建立的分相共存快速床动力学模型的基础上,对分相模型中存在颗粒团聚物时的上升稀相进行了受力分析。以有限直径提升管中颗粒终端速度的修正,导出了上升稀相受力关于等效管径与浓稀相滑移速度的修正表达式。将本模型预报的上部稀相固含率与已有的实验数据经验关联式进行了对比,并根据所得结果初步优化了模型参数(k=8,n=6)。进而,根据所得模型参数计算了下部浓相固含率随曳力函数f(ε)的变化规律;与李佑楚经验关联式相比,同样具有合理的一致性。本文工作进一步验证了快速床动力学统一模型的整体合理性。     

对四类泻流问题的深入研究

对热学中的4类泻流问题进行了详细的计算,并对结果进行了分析讨论.恒温的泻流问题有解析的解,而绝热泻流问题往往受限于数学知识只能得到数值的结果;同时本文也对泻流的近平衡态条件进行了大致的分析.这些将有助于广大师生对于泻流问题的全面认识.     

新型动磁式直线压缩机电机的改进设计

研制了一种新型直线压缩机驱动用动磁式直线振动电动机。建立了电动机磁路物理模型,并对电动机动子动力学模型进行了求解,得到了电磁驱动力的基本要求,分析了电动机参数对动子运动特性和电动机性能的影响。运用电磁场有限元方法对动磁式直线电动机电磁场模型求解,磁通分布揭示了电磁力产生机理,分析并优化了不同于传统直线电机的设计方式。数据分析揭示了动磁式直线电动机力-位移-电流之间的关系,为压缩机和电动机控制系统设计奠定了基础。     

高场强下金属化膜电容器绝缘电阻特性

分析了高电场强度下金属化膜电容器绝缘电阻的特点,得出高电场强度下金属化膜电容器绝缘电阻是电容器介质膜泄漏和自愈过程的综合反映。针对高场强下的应用条件提出一种金属化膜电容器绝缘电阻的测试方法,并对高场强下电容器的绝缘电阻进行测试。测试结果表明:在300~400 V/m工作场强范围内金属化膜电容器绝缘电阻随工作场强增大会急剧减小,由于自愈的作用,绝缘电阻下降幅度随场强增加会逐渐变缓;在20~50 ℃工作温度范围内,金属化膜电容器绝缘电阻随温度升高会急剧减小,同样由于自愈的作用,绝缘电阻下降幅度随温度增高会逐渐变缓。分析得出,高温高场强下金属化膜电容器介质膜泄漏将会导致电容器电压出现明显下降,影响电容器和脉冲功率系统的储能效率。     

2维全自动亥姆霍兹线圈磁块测量方法

在波荡器和扭摆器的研制过程中,为提高磁块的测量效率和精度,提出了2维全自动亥姆霍兹线圈磁块测量方法。通过理论推导得到仅采用2维全自动旋转而不需要3维旋转就可以实现磁块的全自动测量,降低了磁块全自动测量的实现难度。根据该方法的理论,已成功研制出一台2维全自动亥姆霍兹线圈测量装备,并在上海光源的磁块测量中使用。系统地给出2维全自动亥姆霍兹线圈磁块的测量理论和方法,并对测量误差进行了分析,该系统实现了磁块剩磁测量的高效率、高精度和高重复性,可以在30 s内完成单磁块的测量,重复性和精度均好于510-4。     

Effect of Ag Doping on Optical and Electrical Properties of ZnO Thin Films

ZnO thin films were prepared on p-type Si (100) substrates by the sol-gel process. The influence of Ag doping at a content of 0.002% on the photoluminescence and current-voltage (I - V) characteristics of ZnO thin films has been investigated. It is found that Ag doping leads to a pronounced increase in the intensity of near band edge emission at 3.23eV and a remarkable red shift of the visible broadband at room temperature. The I - V characteristics of ZnO/p-Si heterojunctions are also changed. These results could be explained by Ag substituting for Zn in Ag doped ZnO thin films.     

Dielectric Properties of Multilayered Ba0.5Sr0.5TiO3 Thin Films Deposited on ITO-Coated Corning 1737 Glass by rf Magnetron Sputtering

A new stacking method via variation ofsubstrate temperature in rfmagnetron sputter is used to fabricate polycrystalline/polycrystalline Ba0.5Sr0.5TiO3 thin films with higher dielectric constant, higher breakdown strength and lower leakage current densities than those prepared by a conventionM deposition method. The improved figure of merit G （ε0εrEb） of the Ba0.5Sr0.5TiO3 thin films implies that they are a feasible insulation layer for thin film electroluminescent devices.