Investigation on threshold voltage of p-channel GaN MOSFETs based on p-GaN/AlGaN/GaN heterostructure

The threshold voltage (V_th) of the p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) is investigated via Silvaco-Atlas simulations. The main factors which influence the threshold voltage of p-channel GaN MOSFETs are barrier height Φ_1,p, polarization charge density σ_b, and equivalent unite capacitance C_oc. It is found that the thinner thickness of p-GaN layer and oxide layer will acquire the more negative threshold voltage V_th, and threshold voltage |V_th| increases with the reduction in p-GaN doping concentration and the work-function of gate metal. Meanwhile, the increase in gate dielectric relative permittivity may cause the increase in threshold voltage |V_th|. Additionally, the parameter influencing output current most is the p-GaN doping concentration, and the maximum current density is 9.5 mA/mm with p-type doping concentration of 9.5×10¹⁶ cm^-3 at V_GS = -12 V and V_DS = -10 V.     

声源追踪训练对语音型噪声中语音识别的影响

听觉训练可以提升人在噪声环境中语音识别的绩效.首先设计了一种以稳定声源为刺激的听觉追踪任务,在20个训练单元后,采用由干扰语音类型和信噪比两个因素构成3×5语音型噪声掩蔽下的语音识别测试验证了该训练方法的有效性.结果发现,训练组的语音识别率显著高于对照组,证明听觉注意力可以通过声源追踪任务的训练得到提高。实验结果表明,声源追踪训练可以使人在语音型噪声掩蔽下的听觉注意力水平趋于稳定。     

含奇异材料的掺杂一维光子晶体色散关系和空间局域度理论

给出了描述掺杂的一维光子晶体结构缺陷态的变化规律及其空间局域度特性的理论表达式.该式对由具有任意色散关系材料组成的、中间掺杂、两边对称的一维光子晶体结构均成立.通过研究含奇异材料的光子晶体组态发现，当缺陷层材料为右手材料时，光子带隙中缺陷态的频移方向随缺陷层厚度的增大而红移；当缺陷层材料是左手材料时，频移方向刚好相反，表现为蓝移.该缺陷态的空间局域度只与两边对称结构有关.两边对称结构含奇异材料的光子晶体的缺陷态比传统右手材料的结构具有更强的空间局域度.     

新型窗帘式WO3基电致变色器件设计与制备

采用磁控溅射法制备氧化钨(WO₃),基于电流驱动模型设计制备无需对电极层的新型窗帘式电致变色器件,并对器件的边框、WO₃薄膜的最佳厚度和离子储存区尺寸进行了系统优化。结果表明,制备得到的WO₃薄膜在550 nm波长处的调制率高达78%,1000圈循环伏安曲线测试后电荷储量衰减率仅为3.5%;设计的窗帘式器件显色区域高度可控,且消除了对电极对器件性能的影响。该研究为电致变色器件结构创新提供了新思路。     

硒补充：防治艾滋病的有效新策略

从以下四方面：（1）低硒——引发艾滋病的基础性因素,（2）病毒复制——进一步消耗体内的硒,（3）硒水平——艾滋病结局的独立预测指标,（4）硒补充——防治艾滋病的有效新策略,详细论述了硒在艾滋病发生、发展和结局中的作用,列举了硒剂防艾滋病干预试验的某些初步结果。如能采用理想的“硒”,并在随机化、大样本量的对照试验中得到进一步证实,则硒补充作为一种简单易行、消费得起的干预措施,可能具有公共健康效益。     

磁性纳米粒定量检测技术研究进展EI北大核心CSCD

磁性纳米粒(MNPs)具有独特的超顺磁性和磁操控性,在生物医学领域得到了日益广泛的应用。而磁性纳米粒定量检测技术因其在单分子检测、即时检测等方面展现出的独特优势,也日益为人们所关注。本文重点围绕磁传感器检测技术、磁感应检测技术以及间接检测技术3大类检测方法的原理以及研究进展,结合其生物医学定量检测应用进行了综述。最后展望了磁性定量检测在即时检测领域的应用前景。     

新型5H-茚[1,2-b]吡啶和11H-茚[1,2-b]喹啉三氟甲磺酸盐衍生物的合成其及抗肿瘤活性

以1-茚酮为原料,设计并合成了新化合物1-甲基-5-(4-二甲氨基苄烯)-5H-茚[1,2-b]吡啶三氟甲磺酸盐(5a)和5-甲基-11-(4-二甲氨基苄烯)-11H-茚[1,2-b]喹啉三氟甲磺酸盐(5b),其结构经NMR,IR和MS表征。采用MTT法,以HEP-2和K562为测试肿瘤细胞株对5a和5b进行抗肿瘤活性检测,结果显示其有良好的抗肿瘤活性。     

A colloidal crystal double-heterostructure fabricated with the angle controlled inclined deposition method

A self-assembly method, named the angle controlled inclined deposition method, is developed for fabricating well-ordered silica and polystyrene colloidal crystals. A high-quality colloidal crystal with a flat and uniform surface over a large area can be produced rapidly using a minute quantity of suspension and without any additional equipment. By controlling the inclined angle, we can fabricate colloidal crystals with diverse numbers of layers. A colloidal crystal double-heterostructure (composed of three different colloidal photonic crystals) can be rapidly fabricated with this method. Both experimental and simulation results show that the photonic band gap of the double-heterostructure is not a simple superposition of that of the compositional colloidal crystals along the stacking direction.     

表面效应对Li掺杂的ZnO薄膜材料p型电导的影响

利用第一性原理的方法研究了在ZnO非极性表面和极性表面的不同原子层中, 分别用Li原子去替位Zn原子(记为Li_Zn)后的相对稳定性和热离化能. 计算结果表明Li_Zn处于ZnO表面区域时的稳定性优于在ZnO体中时的稳定性, 并且Li_Zn在表面区域的热离化能要比它在体结构中的热离化能大很多, 于是, ZnO表面效应的存在会使Li掺杂的ZnO薄膜材料的p型导电能力大幅度降低. 这个结果对低维ZnO体系p型掺杂有着重要的指导意义. 我们进一步发现, 在不同的ZnO表面区域里Li_Zn的热离化能会表现出很大的差异是源于不同的表面具有不同的静电势分布.