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IntroductionPendulum_likesystemsareatypicalclassofnonlinearsystemswithmultipleequilibriumpoints.Suchsystemsarewidelyappliedinvariousfieldsofmechanicsandengineering ,forexample,pendulumsystems,pendulumsystemswithoscillationsuspensionpost,systemsofphasesynchronizationandsoon[1,2 ].Theglobalpropertiesofsolutionsofsuchsystemsaremuchmorecomplicatedthanthatwithsingleequilibriumpoint.Thestudyofthesecond_orderpendulum_likesystemswasinitiallyintroducedbyF .Tricomi[3].Thenmotivatedbypracticalconsidera… 相似文献
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1引言为落实“立德树人”的教育宗旨,2017年教育部在实践层面颁发了纲领性文件《中小学德育工作指南》,强调充分发挥课堂教学的渠道,将德育内容落实到各科教学中,对各科目的育人目标提出具体的要求,明确指出学生在学习学科知识的同时,也要培养学生应具备的品格和能力. 相似文献
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对于一类具有状态和有限自动机输出时滞的离散混合系统,研究基于混合时滞观测器的混合反馈控制问题.通过系统线性部分和离散事件部分的Lyapunov函数构造了整个时滞系统的混合Lyapunov函数,进一步,给出混合反馈控制的设计方法且证明了闭环系统的稳定性.仿真例子说明该方法的有效性. 相似文献
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N2-Ar射频放电等离子体广泛应用于微电子工业的刻蚀、氮化物薄膜的制备及金属表面氮化等技术领域。开发了N2-Ar混合气体容性耦合射频放电PIC/MC自洽模型,模型主要描述了e-,N2+,N+,Ar+等主要带电粒子的行为分布。等离子体的碰撞过程分别考虑了带电粒子(e-,N2+,N+,Ar+)与基态中性N2分子和Ar原子的21种碰撞反应过程。模拟结果表明,在纯N2及N2-Ar混合气体容性耦合射频放电中,各种带电粒子的数密度都在等离子体区达到最大值,且氮分子离子为主要粒子;在N2容性耦合射频放电中,加入10%氩气时,N+平均能量有所增加,在射频电极处两种氮离子(N2+,N+)高能粒子所占比例增加。本研究对认识N2-Ar射频放电等离子体过程微观机理具重要意义。 相似文献
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稀土元素掺杂对TiO2薄膜光催化性能的影响 总被引:26,自引:5,他引:26
采用Sol-Gel法、浸渍-提拉法制备了RE(Sm, Dy, Lu) 掺杂TiO2的锐钛矿晶型薄膜. 用X射线衍射分析、 UV-Vis透射光谱及电化学实验对其进行了表征, 通过对紫外光照射下甲基橙溶液的光催化降解评价了其光催化性能. 结果表明, RE掺杂的TiO2薄膜的吸收光向长波方向移动; 掺杂浓度是影响光催化活性的重要因素; 适量RE掺杂可以明显提高TiO2薄膜的光催化性能; 最佳掺杂浓度是0.5%. 其中掺杂Sm样品的光催化活性最好. 分别讨论了RE不同浓度及不同元素掺杂对TiO2光催化性能的影响机制. 相似文献
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将苯乙烯(St)接枝聚合在微米级硅胶表面,制备了接枝微粒PSt/SiO2;使用新型氯甲基化试剂1,4-二氯甲氧基丁烷,对接枝在硅胶表面的聚苯乙烯进行了氯甲基化(CM)反应,制得了氯甲基聚苯乙烯/硅胶(CMPS/SiO2)接枝微粒;使三乙胺与CMPS分子链上的苄氯基团发生季铵化反应,制得了固载有季铵盐(Quaternary salt)的接枝微粒QPSt/SiO2,即制得了接枝型三相相转移催化剂.将此相转移催化剂用于氯化苄与乙酸钠合成乙酸苄酯的相转移催化反应,考察了催化活性、各种因素对相转移催化反应的影响及催化剂的重复使用性能.实验结果表明,接枝型三相相转移催化剂QPSt/SiO2对乙酸苄酯的合成具有较高的催化活性,在液-固-液之间即可有效地实现反应物种乙酸根的转移,在60℃的较低温度下反应7 h,氯化苄的转化率可达66.1%;研究发现,固体催化剂QPSt/SiO2表面接枝聚合物PSt的季铵化程度对其催化活性有很大的影响,季铵化程度过大与过小催化活性都较低,当季铵化程度为20%左右时,催化剂的活性最高. 相似文献
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针对一类以有限齐次马氏链δ(k)作为切换信号的随机混合系统,首先,通过构造随机混合Lyapunov函数,得到整个随机混合系统渐近稳定的充分条件.然后,引入可调转移概率等相关概念,通过对有限齐次马氏链δ(k)及各子系统加入控制,以实现状态反馈控制.进一步,得到随机混合闭环系统渐近稳定的充分条件. 相似文献
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Spectroscopic ellipsometric measurements in infrared region (2.5 - 12.5 μm) are carried out to characterize the structure and quality of diamond films grown by microwave plasma chemical vapor deposition (MPCVD) and hot filament chemical vapor deposition (HFCVD), respectively. It is found that the establishment of appropriate models has the strongest influence on the fit of ellipsometric spectra. The best fit is achieved for MPCVD film with a 77.5-nm middle layer of SiO2, and for HFCVD film with an 879-nm rough surface layer included by Bruggeman effective medium approtimation (EMA). Finally the refractive index and the extinction coefficient are calculated for both films, the results show that the film grown by MPCVD is optically much better than that grown by HFCVD at infrared wavelengths. 相似文献