金刚石中氦、氢含量的变化及在金刚石生长中的意义

天然金刚石自中心至边缘的显微傅里叶变换红外光谱研究表明:氮和氢在金刚石中的分布是不均匀的,这说明金刚石在整个生长过程中的物质环境是有差异的;中心至边缘的含氮总量、C-H键含量的总体降低趋势表明金刚石的生长过程是一个氮、氢的消耗过程,而中部的升高变化说明金刚石生长环境中存在氮、氢的补充,但氮补充得比氢更早一些.据此,可以将金刚石的生长过程划分为早期成核与长大、中期长大及末期长大三个阶段,其中早期和末期是氮和氢的消耗阶段,中期需要进行氮和氢的补充,且氮应该更早补充.氢对金刚石的生长是有利的,氢和氮不是以氮氢化合物的形式存在于金刚石生长的物质环境中,这暗示着在高温高压合成金刚石中欲引入氢,应当避免氮氢化合物的形成.     

常压微波等离子体光谱法的研究

改进了传统的Beennakker谐振腔和Surfatron使其更易调谐,工作得更加稳定。在此基础上,又研究成功了一种全新的可获得常压氦或氩等离子体的微波等离子体炬装置(MPT)。经过改进的Beennakker谐振腔和Surfatron已被用于微波等离子体发射光谱法对环境样品中痕量汞的测定中。与还原气化—金丝富集技术相结合此法的检出限可达10~(-13)g数量级。动态线性范围为5×10~(-12)—1×10~(-7)g。     

光纤面板数值孔径的测量

本文在介绍几种光纤元件数值孔径测量方法的基础上,着重证明了用角透过率法测量数值孔径的不合理性,强调了应用三环效应测量数值孔径的优越性和可靠性,理论和实验进行了比较。     

第一讲光电隐身武器与红外隐身技术

光电隐身一般包括红外隐身、激光隐身、可见光隐身、雷达隐身和声波隐身.本讲座较系统地介绍了红外隐身、激光隐身、可见光隐身的技术内涵,光电隐身技术的应用和国内外发展现状,隐身原理和隐身措施.重点介绍了光电隐身的性能评估,包括性能评价方法和模型,隐身性能测试,隐身性能测试仪器的计量检定和校准等.     

第三讲:红外隐身性能测试与计量

光电隐身一般包括红外隐身、激光隐身、可见光隐身、雷达隐身和声波隐身.本讲座较系统地介绍红外隐身、激光隐身、可见光隐身的技术内涵,光电隐身技术的应用和国内外发展现状,隐身原理和隐身措施.重点介绍光电隐身的性能评估,包括性能评价方法和模型,隐身性能测试,隐身性能测试仪器的计量检定和校准等.     

第四讲:激光隐身技术及其隐身效果评估(1)

光电隐身一般包括红外隐身、激光隐身、可见光隐身、雷达隐身和声波隐身.本讲座较系统地介绍红外隐身、激光隐身、可见光隐身的技术内涵,光电隐身技术的应用和国内外发展现状,隐身原理和隐身措施.重点介绍光电隐身的性能评估,包括性能评价方法和模型,隐身性能测试,隐身性能测试仪器的计量检定和校准等.     

不同气体环境下532nm激光诱导硅表面形貌的研究

研究了在不同气体环境下,利用532 nm Nd∶YAG纳秒脉冲激光累积辐照单晶硅表面形成的微结构,结果表明,在其他条件相同,背景气体不同的情况下,背景气体对硅表面形貌的形成起着重要的作用。具体分析了真空、N2和SF6 3种环境气氛下形成的微结构,结果显示,在SF6中形成的锥形微结构的数密度比在N2和真空中的大,并且锥形具有更大的纵横比;在N2、真空和SF6中形成的微结构尺寸依次减小。SF6气氛下,激光辅助化学刻蚀的效率比在真空和N2气氛中的高。另外,辐照区域边缘有波纹微结构形成,分析认为,该微结构的形成是由表面张力波的冷却导致的。     

关于一个核含参数且-2齐次的Hilbert型不等式

通过估算权系数,建立一个核含2-参数且-2齐次的Hilbert型不等式及其等价式,并考虑了逆向不等式的情形．     

宏观经济对股市波动的影响——基于GARCH-MIDAS-RTSRV模型的证据

本文对GARCH-MIDAS模型进行了拓展。首先,在估计GARCH-MIDAS模型的长期波动成分时,采用同时考虑噪声和跳跃影响的稳健双频已实现波动估计量RTSRV来代替传统的已实现波动估计量RV。其次,选取了经济变量并从中提取出主成分,从其水平值和波动率两个层面研究不同主成分对股市波动的影响。研究发现：本文构造的GARCH-MIDAS-RTSRV模型优于传统的GARCH-MIDAS模型,其预测精度更高并且可使投资者获得更高的经济价值;经济变量的主成分和已实现波动率均对股市的波动有显著的影响,并且相较于其水平值,波动率对股市波动的影响更为显著。     

磁过滤器电流对非晶碳薄膜摩擦学特性影响的研究

研究了过滤阴极真空电弧技术中,不同的磁过滤器电流下(5—13 A),制备的四面体非晶碳(ta-C)薄膜对摩擦学特性的影响.通过对薄膜厚度,薄膜结构以及薄膜表面粗糙度随磁过滤电流的变化结果进行了测试,结果表明,随着磁过滤器电流的增大,薄膜的sp³键含量逐渐减少,表面粗糙度从0.13增大到0.38.磁过滤器电流在5 A时,薄膜的摩擦系数最小约为0.08,当电流增大到7 A时,摩擦系数显著增大,磁过滤器电流从7 A增大到13 A时,薄膜的摩擦系数再次减小约为0.1. 关键词： 四面体非晶碳 过滤阴极真空电弧 磁过滤器电流 摩擦系数