α-Si：H/SiNx叠层薄膜对晶体硅太阳电池的钝化

利用等离子增强化学气相沉积法在硅衬底上制备了 α-Si:H/SiN_x叠层薄膜用来钝化晶体硅太阳电池. 用有效少子寿命表征薄膜的钝化效果, 通过模拟高频电容-电压测试结果分析薄膜钝化的机理. 将α-Si:H/SiN_x薄膜的钝化效果与使用相同方法制备的 α-Si:H薄膜进行对比, 发现 α-Si:H/SiN_x 薄膜的钝化效果明显优于 α-Si:H薄膜. 不同温度下热处理后, α-Si:H/SiN_x薄膜的钝化效果随着温度的上升先提高后降低. 在最佳热处理温度300 ℃下进行热处理, α-Si:H/SiN_x 薄膜的钝化效果能在90 min内始终保持优于 α-Si:H薄膜. 模拟计算结果表明, α-Si:H/SiN_x薄膜的钝化效果与 α-Si:H/Si界面处的态密度有关. 关键词： 太阳电池 钝化 α-Si：H/SiN_x薄膜')" href="#">α-Si：H/SiN_x薄膜 热处理     

基于柔性玻璃衬底ZnO∶B薄膜的非晶硅太阳能电池的制备及其光电性能研究

采用低压化学气相沉积法(LPCVD)在大面积(40 cm ×40 cm)超薄柔性玻璃和硬质玻璃衬底上分别制备了B掺杂的ZnO(BZO)透明导电薄膜及非晶硅薄膜太阳能电池,对比了两种衬底上BZO薄膜的形貌、光学和导电性能及其非晶硅薄膜电池的性能.结果表明,在相同LPCVD工艺下,超薄柔性玻璃衬底上BZO薄膜的生长速率相对减小;当生长相同厚度BZO薄膜时,超薄柔性玻璃衬底的透光率相对于硬质玻璃衬底提高约2;,同时并具有相同的导电能力.在柔性玻璃衬底上制备的非晶硅薄膜电池的初始和稳定转化效率也相对提高,分别达到9.16;和7.82;.     

Si82笼状分子的第一性原理研究

本文构建了Si82笼状分子的具有C2v对称性的初始原子结构模型.采用基于密度泛函的第一性原理方法对其结构进行优化计算.研究发现:经过结构驰豫,Si82分子对称性从C2v下降为Cs,部分硅原子从顶点位置向内凹陷,导致键长和键角均发生变化.对Si82笼状分子的稳定性、轨道分布和电荷分布等性质进行了分析和讨论.     

硅基光源的研究进展

随着人们对大容量、高速和低成本的信息传播的要求越来越迫切, 近年来硅基光电子学得以蓬勃发展, 但硅基光源一直没有得到真正的解决, 成为制约硅基光电子学发展的瓶颈. 硅的间接带隙本质给高效硅基光源的实现带来很大困难, 实用化的硅基激光是半导体科学家长期奋斗的目标. 本文分别介绍了硅基发光材料、硅基发光二极管和硅基激光的研究进展, 最后总结了目前各种硅基光源面临的问题和未来的发展方向.     

中子辐照直拉硅中的本征吸除效应

对经中子辐照的直拉硅中的本征吸除效应进行了研究.结果表明:经中子辐照后,直拉硅片经一步短时退火就可以在硅片表面形成完整的清洁区.清洁区宽度受辐照剂量和退火温度所控制,清洁区一旦形成,就不随退火时间变化.大量的缺陷在中子辐照时产生,并同硅中氧相互作用,加速了硅片体内氧的沉淀,是快速形成本征吸除效果的主要因素,从而把热历史的影响降到次要地位 关键词： 本征吸除 中子辐照 直拉硅     

微氮直拉硅单晶中氧化诱生层错透射电镜研究

利用透射电镜研究了热氧化过程中含氮（NCZ）和不含氮（CZ）直拉硅单晶的氧化诱生缺陷.研究表明，NCZ中的氧化诱生层错的尺寸随着湿氧氧化时间的延长而减小，并有冲出型位错产生.而在CZ中，生成了大量的多面体氧沉淀，并且随着热氧化时间的延长，层错的尺寸逐渐增大. 关键词： 直拉硅 透射电镜 氧化诱生层错     

Si80笼状分子的结构研究

采用基于密度泛函的第一性原理计算方法,构建了Si80笼状分子的模型,并对其结构和电学特性进行了考察. 研究发现,经过结构优化计算,Si80分子从Ih高对称性下降为Th,但仍然保持较好的笼状结构. 对Si80笼状分子的稳定性、轨道分布和电荷分布等性质进行了分析和讨论.     

背位核-卫星状银颗粒增强硅薄层光吸收研究

近年来,利用纳米颗粒增强薄膜太阳电池效率受到了广泛关注。本文研究了核-卫星状复合结构银颗粒背位增强1#m厚的硅薄层光吸收。采用了有限差分时域(Finite-difference Time-domain,FDTD)方法对所设计模型进行仿真模拟。结果发现,这种处在硅背面位置的复合结构银颗粒在很宽的光谱范围内具有很强的散射能力,同时,相比没有背位银颗粒阵列的1#m硅薄层,有颗粒阵列的硅薄层对光的吸收有着明显的增加。     

超声喷雾法制备In2S3薄膜及后续快速热处理对薄膜性能的影响

采用超声喷雾法制备了硫化铟(In2S3)薄膜,并考察了后续快速热处理(rapid thermal process,RTP)对硫化铟薄膜性能的影响.采用扫描电镜(SEM),X射线衍射(XRD)等手段对薄膜的形貌、结构、透射率等性质进行了表征.结果表明:超声喷雾法制备的In2S3,薄膜均匀致密,采用RTP热处理可提高薄膜的结晶性能,但对薄膜的透光性影响较小.通过计算可以得出薄膜的禁带宽度约为2.25～2.38 eV.     

Giant magnetoresistance in Y0.9La0.1Mn6Sn6 compound

Magnetic transitions and magnetoresistance effect of the HfFe_6Ge_6-type Y_{0.9}La_{0.1}Mn_6Sn_6 compound have been investigated in the temperature range of 5－380K. The sample displays antiferromagnetic behaviour in the whole temperature range below Néel temperature T_N=309K. The metamagnetic transition from antiferromagnetism to ferromagnetism can be induced by an applied field. The metamagnetic transition field decreases monotonically from 2T at 5K to 0.4T at 300K. The giant magnetoresistance effect is observed with the metamagnetic behaviour, such as -10.4% at 245K under a field of 5T.