聚合物体系拉伸流变行为的表征及研究进展

聚合物的拉伸流动在吹膜、纺丝、热成型等加工中扮演着支配的角色,因此掌握聚合物熔体在拉伸条件下的流动行为对于控制和预测其加工性能具有重要意义。相对于剪切流动,拉伸粘度对于大分子的结构、填充粒子的各向异性、共混物中两相的结构等更加敏感。本文简要介绍了当前用于拉伸流变研究的常用装置及其原理,并举例描述了单一组分聚合物、聚合物纳米复合材料和聚合物共混物等体系拉伸流变研究的现状和成果,最后指出了当前拉伸流变研究领域存在的一些不足之处并进行了展望。     

简单剪切对聚合物溶液PS/DINP相分离行为的影响

通过剪切-光学显微装置在线研究了聚合物溶液聚苯乙烯(PS)/邻苯二甲酸二异壬酯(DINP)体系在静态和简单剪切场下的浊点变化及其相结构的实时演变过程,结果发现在单向剪切场下,当PS/DINP体系中PS含量在15%以下时该体系的剪切浊点基本不随剪切速率的变化而变化;当PS含量在15%以上时该体系的剪切浊点随剪切速率的增大而先增大后减小,并且不同配比下都出现一个最高相界移动,该最高相界移动随着PS含量的增加移向更高的剪切速率。此外,还发现PS/DINP近临界组成的静态相分离过程是典型的粘弹相分离。低剪切速率下的相分离过程与静态下有些相似,初期形成网络结构,并且该结构沿流动方向变形取向,但是网络结构直至实验结束也没有发生破裂,可见低剪切速率对网络结构具有一定的稳定作用。     

流动致结晶建模方法的研究进展

自上个世纪60年代以来,人们对聚合物熔体的流动致结晶进行了大量实验研究并提出了相关的理论模型。但是基于应变诱导结晶的传统模型存在着一定的局限性,理论预测值和实验结果也有出入。近年来,人们又提出了一些全新的流动致结晶理论,比如分子模型和唯象模型。本文综述了这些理论模型的理论背景,建模思想以及适用范围等,对比了各个模型的优势和不足,展望了流动致结晶理论研究领域的研究趋势和前景。     

振荡剪切流场下PS/PVME/SiO2复合物的相行为

利用光学显微镜-剪切台联用系统研究了振荡剪切流场下聚苯乙烯（PS）/聚甲基乙烯基醚（PVME）/二氧化硅（SiO₂）纳米粒子复合物的热力学稳定性. 结果表明,小振幅振荡剪切可导致PS/PVME共混物出现类似在稳态流场下的剪切诱导相容及剪切诱导相分离现象. 共混体系存在临界振荡频率ω_c,当振荡频率低于ω_c时,发生剪切诱导相分离（SID）行为,反之发生剪切诱导相容（SIM）行为. SiO₂纳米粒子的加入使复合体系的相容性提高. 存在一个临界SiO₂纳米粒子含量φ_c,当SiO₂纳米粒子含量高于φ_c时,复合体系中不存在临界振荡频率ω_c,低振荡频率下的剪切诱导相分离得到抑制. 此外,复合体系的上述行为与升温速率和共混物组成密切相关.     

SiO2纳米粒子对受限流场下聚异丁烯/聚二甲基硅氧烷共混物相形态的影响

利用显微-光学剪切联用系统构造受限剪切环境,探讨了少量不同表面性质的SiO2纳米粒子的加入对聚异丁烯(PIB)/聚二甲基硅氧烷(PDMS)不相容共混体系分散相形态演变过程的影响.研究结果表明,少量疏水性SiO2纳米粒子的加入可抑制分散相液滴的凝聚,从而抑制珍珠链状及纤维状等超级相形态的形成,使共混物表现为近似本体流体的...     

光散射在高分子溶液和聚集态研究中的应用

本文较为详细的综述了光散射在聚合物研究中某些领域内的应用，并着重介绍了光散射在聚合物凝胶领域、聚合物稀溶液中、聚合物相行为领域以及聚合物加工领域中的发展历史和研究现状。     

分子量分布对聚合物体系相行为影响的研究进展

聚合物合成工艺往往会使聚合物原料的分子链链长呈现出长短不一的状态,这就使得该聚合物的分子量分布呈现出多分散性。而这种多分散性的分子量分布会对不同性质的聚合物共混体系的相行为产生不同的影响。本文阐述了研究分子量分布对多相多组分聚合物体系的相行为影响的重要性,并分别从高分子溶液体系、嵌段共聚物、聚合物一聚合物共混体系、胶体...     

环氧树脂在热塑性树脂改性中的应用

本文综述了国内外有关利用环氧树脂改性热塑性树脂共混体系研究的最新进展。着重阐述了环氧树脂在热塑性树脂之间的增容作用,如尼龙6(PA6)合金体系,改性聚苯乙烯塑料(ABS)合金体系,以及聚对苯二甲酸丙二醇酯(PTT)合金体系等。同时,介绍了利用环氧树脂的反应活性提高无机填料在聚合物中分散性研究的情况,如二氧化硅纳米粒子在聚醚砜(PES)中,以及滑石粉在聚丙烯(PP)中分散性的提高。最后,简介了环氧树脂改性热塑性树脂提高热塑性树脂物理机械性能方面的研究方向和成果并展望了环氧树脂在热塑性树脂改性研究中的前景。     

用于光致抗蚀剂的聚对羟基苯乙烯的合成及其进展

随着集成电路芯片的发展,生产物理和化学性质均一的高分子光阻剂得到了各信息产业国的重视.到目前为止,含对羟基苯乙烯基的高分子光阻剂已成为光刻蚀0.11μm线宽芯片的关键技术.本文综述了目前合成窄分布的含对羟基苯乙烯基的高分子光阻剂的各种方法,在此基础上比较了各种合成方法的优缺点,为合成窄分布的含对羟基苯乙烯基的高分子光阻剂提供了必要的指导.     

剪切流动对聚合物共混物相行为影响的研究进展

剪切流动对聚合物共混物相行为影响的研究进展;综述