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71.
72.
根据XPS的强度测量和作者先前确定的原子灵敏度因子,测定了InP(100)表面的In/P原子比。实验结果表明氩离子轰击有择优溅射作用,在1keV刻蚀能量下,In/P浓度比为2.2,随氩离子能量增加而单调上升。样品在超高真空中300℃附近退火30分钟后,表面In/P比降为1.2,接近于体内化学计量比的值。从XPS强度的角度关系和In3d5/2结合能的化学位移中可以推测,离子轰击造成In—P化学键的破裂,在退火后又重新键合,使得表面成为有序结构,而最外层原子是富铟的。
关键词: 相似文献
73.
固体高分辨核磁共振研究聚氧乙烯/纳米二氧化硅复合物的界面相互作用 总被引:4,自引:0,他引:4
采用固体高分辨核磁共振碳谱对聚氧乙烯(PEO)/纳米二氧化硅(Nano-SiO2)复合物体系的相态结构、分子间相互作用和分子运动进行了研究,发现随着复合物中SiO2含量增加,PEO结晶度明显降低,且PEO非晶区的分子运动受到明显约束,基于对PEO非晶区及SiO2颗粒表面羟基质子的自旋-自旋弛豫行为的分析,提出了复合物的界面模型以及SiO2与PEO之间的界面相互作用机制. 相似文献
74.
75.
氢化物发生-原子荧光光谱法测定铅锭中砷锑铋 总被引:30,自引:0,他引:30
用硝酸溶样,盐酸定量沉淀铅,在不分离大量铅基体沉淀的情况下,加硫脲和抗坏血酸掩蔽干扰元素,采用氢化物发生-原子荧光光谱测定铅定中的砷、锑、铋。 相似文献
77.
探讨一个复变量热方程的Cauchy问题,其中的非线性项是倒数型的.先提出一些全局解的存在性与不存在性的判定准则,然后采用解平面的不变子集的变换,证明了当初始值渐近于常数时,解是否会在无穷远处消失或在任意时间内全局存在,均依赖于初始值的渐近极限值. 相似文献
78.
以数值模拟和实验验证相结合的方法研究了三维动态混合对流过程中的温度场发展规律,并定量地分析了在Re=1×10~5,Cr=±3.36×10~(12),Pr=0.7,L/H=3/4条件下矩形腔体内温度均匀性的动态变化特性。研究结果表明,对于相同大小的Grashof数和Reynolds数,当Gr0时,腔体内有着更高的升/降温速率,而其升/降温过程中的整体温度不均度则高于Gr0时的换热过程。当Gr0时,竖直方向的温度不均匀度是影响腔体内温度均匀性的主导因素(σ_(竖直)》σ_(水平));而当Gr0时,竖直方向和水平方向上的温度不均匀度共同影响腔体内的温度均匀性(σ_(竖直)≈σ_(水平))。 相似文献
79.
针对GaN基LED空穴注入效率低的问题,在量子阱与电子阻挡层之间插入低温空穴注入层(LT-HIL),实验研究了MOCVD生长LT-HIL时二茂镁(Cp2Mg)流量和生长温度的影响。结果表明:随着Cp2Mg流量的增加,外延薄膜晶体质量下降,外延片表面平整度和均匀性降低;而受Mg掺杂时补偿效应的影响,主波长先红移后蓝移,芯片的输出光功率先升高后降低,正向电压先降低后升高。相比于无LT-HIL的样品,在20 mA工作电流下,Cp2Mg流量为1.94 μmol/min时制备的芯片的输出光功率提升20.3%,而正向电压降低0.1 V。在Cp2Mg流量较大时,LT-HIL的渐变式生长温度对外延质量有所改善,但不是主要影响因素。 相似文献
80.
针对BT20钛合金锻件当量孔损伤进行激光沉积修复试验,考察了修复试样的组织和力学特点。修复区与基材之间形成了致密冶金结合,Al,Zr,Mo,V合金元素由锻件基体到激光修复区均匀分布,无宏观偏析,硬度分布从基材到修复区依次提高。热影响区组织是由基材的双态组织过渡到网篮组织;修复区组织为粗大的原始柱状β晶,晶粒内为α/β网篮组织,晶内α片层取向随机,宽0.4~0.5μm。修复过程中发现,激光加工工艺参数选择不当、坡度过大等原因会造成修复区组织形成气孔和熔合不良等缺陷,但是通过优化工艺参数可以获得无缺陷修复试样。修复试样的室温静拉伸结果表明,试样的抗拉强度接近锻件基体强度,但修复件的韧性比锻件稍有提高。 相似文献