新型电磷光咔唑-co-吡啶共聚物的合成与发光性能

用Suzuki缩聚反应制备了一系列新型咔唑-吡啶共轭主链上含有金属铱配合物单元的共聚物. 共聚物发光器件结构为ITO/PEDOT:PSS/polymer＋PBD (w＝30%)/CsF/Al [氧化铟锡/苯磺酸掺杂聚乙烯基二氧噻吩/聚合物＋2,4-二苯-5-4-叔丁基苯-1,3,4-恶二唑(w＝30%)/氟化铯/铝]. 基于共聚物PCzPyIrMppy2的器件在电流密度为20.8 mA/cm2时, 最大外量子效率和流明效率分别达到4.1%和6.1 cd/A. 在电流密度200 mA/cm2时, 器件的最大外量子效率和流明效率仍分别达到3.2%和4.8 cd/A, 器件的发光的最大波长位于570 nm, 最大亮度达到13251 cd/m2. 研究结果表明, 在共轭聚合物主链上引入螯合金属铱配合单元是实现高效、稳定的电致磷光器件的有效方法之一.     

一种基于荧光材料的聚合物白光发光二极管

制备了一种基于荧光聚合物共混的单发光层聚合物白光发光二极管.器件结构为铟锡氧化物/苯磺酸掺杂聚乙烯基二氧噻吩/发光层/ 1,3,5-三(N-苯基-2-苯并咪唑-2)苯41/Ba/Al,蓝光材料芴-氟化喹喔啉共聚物(PF-BPFQ5)、绿光材料苯基取代的聚对苯乙炔(P-PPV)和红光材料聚(2-甲氧基-5-(2′-乙基己氧基)-1,4-对苯乙炔)(MEH-PPV)共混为发光层.当PF-BPFQ5,P-PPV,MEH-PPV的质量比例为100∶06∶06时,获得标准的白光,色坐标为（033 关键词： 聚合物发光二极管 白光 共混     

综合化学实验：二苯并噻吩衍生物的合成、结构与性质

介绍了一个综合化学实验,涉及有机化合物的合成、结构以及荧光性质的表征。该实验将大学有机化学的基础知识、基本实验技能与学术研究的前沿相结合。在实验教学中融入荧光发光体的知识,能够引导学生深入理解荧光发光体的相关概念及理论,显著激发学生学习的兴趣,还可以加深学生对有机合成化学基础知识的理解,获取前沿知识,同时熟悉大型仪器,培养学生理论联系实际的能力以及综合实验技能。     

旋涂法制备KDP晶体减反膜

对KDP晶体旋转涂膜过程中的技术问题进行了探讨,包括元件夹持安全性、膜层均匀性、膜层透射比、膜层疏水性能、膜层激光损伤阈值等。分析了晶体元件加速旋转阶段的受力情况,明确了KDP晶体元件在旋涂操作过程中受力状态的安全性。对不同溶剂体系的膜层均匀性进行了判断,在400 mm尺寸的元件上获得了透射比均匀性为0.3%的减反膜。对溶胶进行稳态剪切流变分析得知,在现有的涂膜转速 (对应剪切速率100~200 s-1)范围内,其粘度随着剪切速率的增加几乎不变,近似牛顿流体。在旋涂过程中,处于基底不同位置的溶胶的粘度大致相等,这是影响膜层均匀性的重要原因之一。膜层疏水性能较好,水接触角测试结果大于152。在SiO2基底上制备的减反膜,1053 nm处透射比大于99.8%。在熔石英基片上制备的三倍频减反膜样品的功能性激光损伤阈值约为10 J/cm2（355 nm, 3 ns）。     

AlGaN-Based Deep-Ultraviolet Light Emitting Diodes Fabricated on AlN/sapphire Template

We report on the growth and fabrication of deep ultraviolet （DUV） light emitting diodes （LEDs） on an AIN template which was grown on a pulsed atomic-layer epitaxial buffer layer. Threading dislocation densities in the AlN layer are greatly decreased with the introduction of this buffer layer. The crystalline quality of the AlGaN epilayer is further improved by using a low-temperature GaN interlayer between AlGaN and AlN. Electroluminescences of different DUV-LED devices at a wavelength of between 262 and 317nm are demonstrated. To improve the hole concentration of p-type AlGaN, Mg-doping with trimethylindium assistance approach is performed. It is found that the serial resistance of DUV-LED decreases and the performance of DUV-LED such as EL properties is improved.     

2,3-二氢-3,5-二羟基-6-甲基-4(H)吡喃-4-酮的合成及热裂解行为

以葡萄糖和哌啶为原料，合成、分离并鉴定了2，3－二氢－3，5－二羟基－6－甲基－4－（H）吡喃－4－酮（1），以空气氛下直接热裂解，SPME吸附热裂解挥发生产物的方式，分析鉴定了20个裂解的挥发性化合物，讨论了热裂解的可能过程。     

负泊松比材料研究进展

介绍了近年来材料科学的一大热点——负泊松比材料的研究概况，通过讨论负泊松比材料的微观结构与形变机理，阐述了该材料所具有的特殊物理机械性能，并通过与普通材料的性能的比较，指出了此类材料所具有的巨大应用前景和实用价值。     

固体核磁共振在高分子材料分析中的研究进展

简述固体核磁共振(NMR)技术的特点及其在高分子材料分析中的研究进展,着重介绍其在结构表征与反应进程监视、材料机械性能测定、动力学过程及多组分高分子材料研究中的主要方法。     

smooth群的smooth同态

在smooth群的基础上通过模糊函数给出了smooth群的同态概念,并对它的一些性质进行了讨论,得到了许多漂亮的结果。     

组件计算程序PANDA研发及初步验证

PANDA是上海核工程研究设计院研发的压水堆组件计算程序。该程序采用基于特征线方法（MOC）的一步化计算流程,即在不引入能群压缩和栅元均匀化的情况下直接进行组件层面的两维非均匀输运计算。多群数据库采用基于ENDF/B-VI制作的70群结构中子数据库,基于ENDF/B-VII的新版数据库也正在开发中。共振自屏计算采用了空间相关丹可夫方法（SDDM）,既具备燃料芯块分区计算的能力,又保留了传统Stammler方法的计算效率。多群非均匀输运计算采用二维模块化MOC方法,并辅以双重粗网有限差分(CMFD)加速技术,具有良好的计算精度和效率。对传统线性子链解析（TTA）方法以及多种矩阵指数方法进行了研究,选取了适合PANDA程序燃耗链的燃耗方程求解技术。基于以上基本模型开发了PANDA程序,并从程序模块、总体集成和核设计程序系统确认等三个层面,初步验证了PANDA程序的计算性能,表明了PANDA程序的工程设计计算能力。