一种高折光率发光二极管封装硅树脂的研制

将甲基苯基二氯硅烷(MePhSiCl₂)与二甲基二氯硅烷(Me₂SiCl₂)、 甲基乙烯基二氯硅烷(MeViSiCl₂)和苯基三氯硅烷(PhSiCl₃)等共水解后, 在KOH催化下共缩聚, 以三甲基氯硅烷(Me₃SiCl)为封端剂, 制备了含有甲基苯基硅氧链节的甲基苯基乙烯基硅树脂, 并利用FTIR, ¹H NMR和热重分析(TGA)对产物进行了表征. 将所得甲基苯基乙烯基硅树脂与甲基苯基含氢硅油按一定配比, 在铂络合物催化下硫化成型, 制成发光二极管(LED)封装A/B胶, 用于LED封装. 所得LED封装硅树脂固化后在可见光范围内具有非常高的透光率. 对LED的封装结构进行优化, 获得的LED具有高光效、 高光通量、 窄显色指数和高色温一致性等优点, 可满足功率型LED封装要求.     

Electronic structure of PCBM

We have studied the electronic structure of [6,6]-phenyl-C₆₁-butyric-acid-methyl-ester (PCBM) using synchrotron radiation photoelectron spectroscopy (PES) measurements and first-principles calculations. The PES spectrum of the entire occupied valence band is reported, which exhibits abundant spectral features from the Fermi level to ～24 eV binding energy. All the spectral features are broadened as compared with the cases of C₆₀. The reasons for the broadening are analysed by comparing the experimental data with the calculated energy levels and density of states. Special attention is paid to the analysis of the C₆₀ highest occupied molecular orbital (HOMO)-1 derived states, which can play a crucial role in the bonding at the interfaces of PCBM/polymer blenders or PCBM/electrodes. Besides the well-known energy level splitting of the C₆₀ backbone caused by the lowered symmetry, C 2p states from the side chain mix or hybridize with the molecular orbitals of parent C₆₀. The contribution of the O 2p states can substantially modify the PES spectrum.     

Topological transport in Dirac electronic systems:A concise review

Various novel physical properties have emerged in Dirac electronic systems, especially the topological characters protected by symmetry. Current studies on these systems have been greatly promoted by the intuitive concepts of Berry phase and Berry curvature, which provide precise definitions of the topological phases. In this topical review, transport properties of topological insulator(Bi2Se3), topological Dirac semimetal(Cd3As2), and topological insulator-graphene heterojunction are presented and discussed. Perspectives about transport properties of two-dimensional topological nontrivial systems,including topological edge transport, topological valley transport, and topological Weyl semimetals, are provided.     

核废物桶分层γ扫描点源衰减校正方法北大核心CSCD

采用Matlab数据拟合方法及数值计算方法给出校正后的衰减距离。通过Monte-Carlo模拟密度为1.0 g/cm3的聚乙烯材料均匀填充的放射性废物桶,在7个不同的旋转圆周上每隔30°模拟一次探测器计数,得到137Cs点源在桶内7个不同旋转半径上旋转一周的探测器计数,以贡献率较大的部分区域计算给出校正后的平均衰减距离。实验结果显示,通过此方法得到的活度相对误差在0.6%~25.2%之间,相对于传统以桶半径为固定衰减距离计算的结果(相对误差11.8%~209.9%),误差得到明显降低。说明此方法对提高核废物桶中点源活度估计的准确度是有效的。     

“闪光二号”5 T脉冲强磁场装置

为了满足闪光二号加速器材料热力学效应研究的新需求,设计了一套电容器储能型脉冲强磁场装置。装置主要由储能电容器、半导体放电开关、磁场线圈及高压恒流充电源组成。磁场线圈中心处最大磁感应强度可达5 T,并且可以通过调整磁场线圈与二极管的相对位置实现磁透镜比的调节。通过理论计算和数值模拟相结合的方法对脉冲强磁场的关键参数进行了分析,然后进行了脉冲强磁场的工程设计,最后使用该强磁场装置进行了实验研究。强磁场实验中,当储能电容器充电21 kV时,在磁场线圈中心处获得了5.3 T脉冲强磁场。     

双驱动射频负氢离子源匹配网络设计与实验研究

随着磁约束聚变实验装置对中性束注入器的输出束流强度与脉冲时间的要求越来越高,开展高功率大面积射频离子源的研究迫在眉睫。为了实现大面积、高密度均匀等离子体放电,基于多驱动射频离子源的设计是当前的发展趋势,而阻抗匹配网络是射频功率源将最大功率输送至线圈并耦合至等离子体的关键,故对其结构设计和调谐特性的研究是不可或缺的。基于前期在单驱动射频离子源的研究基础上,结合双驱动射频离子源的放电需求,开展了双驱动阻抗匹配网络优化结构的设计与分析,通过实验中对匹配网络的调谐,成功实现了140 kW高功率和25 kW/1 000 s长脉冲的稳定运行。随后在等离子体稳定放电的基础上研究了两个驱动器之间的功率分配均匀性问题,实验结果表明了该匹配网络的优化设计合理可行,上下驱动器的射频功率分配基本均匀。     

强流RF 离子源研制及初步实验

介绍了RF离子源驱动源的结构设计及RF线圈的热流固耦合分析。RF离子源采用外置天线的感应耦合方式,采用双射频驱动源设计,每个射频驱动源功率约60kW,总体功率为120kW,可产生均匀高密度的等离子体,以满足稳定的长脉冲运行的要求。在完成上述工作的基础上完成了RF离子源样机组装和初步实验测试。     

中国高校教师薪酬心理与管理策略研究:基于心理账户的视角

本文基于心理账户的视角,根据问卷调查资料实证检验了中国高校教师的薪酬心理账户。研究结果表明,高校教师具有稳定的薪酬心理维度和目录编码,对学校各类薪酬激励反映出不同的满意度和重要性。高校教师不仅非常看重学校各种津贴补助、教师住房和绩效工资等货币性薪酬,而且也比较注重学校能够提供进修培训及学术交流的机会、加强实验室建设和改善教学办公环境等非货币性薪酬。此外,高校教师要求提高非货币性薪酬的期望意愿与货币性薪酬水平相关,只是在一定的货币性薪酬水平条件下,高校教师才具有强烈的提高非货币性薪酬的意愿;若货币性薪酬超过一定水平,这种意愿强度会逐渐减弱。     

NaH和AlH分子基态(X^1Σ^+)的结构和解析势能函数北大核心CSCD

根据群论及原子分子反应静力学的有关原理,推导出NaH和AlH分子基态(X^1Σ^+)的合理离解极限.使用密度泛函方法中的B3LYP、B3PW91和MPW1PW91方法,在6-311++G,6-311++G(3df,3pd),cc-pVQZ和aug-cc-pVQZ基组下对NaH和AlH分子的基态进行结构优化计算,使用优选的B3PW91/6-311++G(3df,3pd)对基态单点能扫描计算,然后用最小二乘法拟合Murrell-Sorbie函数,得到对应的势能函数参数及光谱常数.结果表明,采用Murrell-Sorbie函数计算所得的光谱常数与实验结果符合的很好,能精确地描述NaH和AlH分子基态的势能函数.