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991.
992.
基于单脉冲激光诱导击穿光谱(single pulse laser-induced breakdown spectroscopy, SP-LIBS)实验装置,搭建了再加热双脉冲激光诱导击穿光谱(re-heating double pulse laser-induced breakdown spectroscopy, RDPLIBS)系统,实现了黄连中重金属元素Cu和Pb的检测.固定激光脉冲频率为4 Hz,两束激光的总能量为50 mJ,实验优化了增强电荷耦合器件探测延时、脉冲间隔和双激光脉冲能量组合等参数对Cu I (324.46 nm)和Pb I(405.78 nm)光谱强度的影响,得特征谱线Cu I (324.46 nm)的最佳激光能量组为(E_1=15 mJ,E_2=35 mJ),脉冲间隔和探测延时分别为1.4μs和1.5μs; Pb I (405.78 nm)的激光能量组也为(E_1=15 mJ,E_2=35 mJ),脉冲间隔和探测延时分别为1.6μs和1.7μs.为实现RDP-LIBS技术对中药材重金属元素检测性能的评估,在最佳实验参数下,分别对Cu和Pb进行SP-LIBS技术和RDP-LIBS技术定量分析,检测限分别为1.91 mg/kg和3.03 mg/kg,较SP-LIBS技术,检测限均有所降低,满足《药用植物进出口绿色行业标准》的要求,且RDPLIBS的线性曲线拟合度都优于SP-LIBS,说明RDP-LIBS技术在中药材检测中具有更佳的检测性能. 相似文献
993.
为了更简单直观地判断一个公钥加密方案的适应件选择密文安全件,提出了一种基于攻击模式归类的安全性分析方法.首先根据攻击者的目的及其能够得到的信息资源将适应性选择密义攻击分为4种模式,然后分析每一种模式存存的可能性.与早期针对具体攻击的安全性分析不同,新方法分析的是每一种攻击模式存在的可能性,而不是去寻找一个具体的攻击方法.这种安全性分析方法比安全性证明更加简单直观.如何判断随机预言机模型下适应性选择密文安全的方案在真实世界中的安全性,是可证明安伞领域一个有待解决的问题.使用基于攻击模式归类的安全性分析方法可以很好地解决这一问题. 相似文献
994.
应用微分方程定性理论的相关知识研究了生化反应中一类具有二重饱和度的四分子可逆生化反应模型,得到了该系统极限环存在,不存在和唯一的充分条件. 相似文献
995.
996.
设计问题情境是高等数学创新教学的重要方法,具有较强的理论依据.设计时应遵循适宜性、过程性等原则.此处重点探讨了数学问题情境设计的一般途径和方法,旨在促进师生互动,提高教学效果. 相似文献
997.
通过4,4'-二氨基二苯醚与硫氰酸钾、氯甲酸乙酯在乙酸乙酯中反应,合成了4-[(3-乙氧酰基-2-硫代)硫脲]-4'-[(3-乙氧酰基-2-硫代)硫脲]二苯醚,用缓慢蒸发溶剂培养了标题化合物的单晶.并用X射线单晶衍射法测定其晶体结构,晶体属三斜系,空间群P-1,晶胞参数为:a=0.8589(5)nm,b=1.0519(6)nm,c=1.2876(12)nm,α=99.391(10)°,β=91.689(11)°,γ=95.756(11)°,V=1.1407(11)nm3,Z=2,Dc=1.347g·cm-3,F(000)=484,μ=0.272cm-1,R1=0.0490,wR2=0.1032.运用Gaussian03程序,采用HF/6-311G和B3LYP/6-311G两种计算方法对标题化合物进行了几何全优化和自然电荷计算,对其成键情况及自然键轨道(NBO)进行了分析.对化合物进行了热重分析和比热测定,计算了热力学函数,证明该化合物有良好的热稳定性. 相似文献
998.
999.
应用高效液相色谱-二极管阵列联用仪(HPLC-DAD)结合基于交替三线性分解(ATLD)算法的二阶校正方法快速测定了中药葛根样中主要活性成分葛根素、大豆苷和大豆苷元的含量,实现了同时定量分析.色谱条件:甲醇-水(体积比为53∶47),检测波长范围为190~380nm,柱温为30℃,流速为1.0mL/min,进样量为20.0μL.预测的实际样中三种目标分析组分葛根素、大豆苷、大豆苷元的含量分别为(0.465±0.023),(0.553±0.015)和(0.098±0.005)mg/g,它们的加标回收率分别为(101.1±3.2)%,(100.4±6.4)%和(100.1±4.9)%. 相似文献
1000.
梯形化合物具有大的平面π共轭结构, 不会产生构象扭曲, 可以有效增加π共轭长度, 因而表现出非常好的光电性质. 将主族元素引入到梯形化合物骨架中作为桥接单元不仅可以固定其结构而且由于主族元素和π共轭骨架之间的轨道相互作用, 可以实现对这类化合物光电性质的调节. 采用密度泛函理论对一系列主族元素桥的梯形化合物的结构和光电性质进行了理论研究, 从而可更好地理解和预测这类化合物的性质. 研究发现, 这类化合物的电子结构可以通过引入主族元素进行调节. 由于具有更大的π共轭程度, 四主族元素桥化合物的吸收与双主族元素桥化合物相比有明显的红移, 而且荧光寿命较短. 另外, 通过计算离子化势(IPs)、电子亲和能(EAs)和重组能(λ)考察了这类化合物的电子和空穴注入及传输性质. 研究发现, 四主族元素桥化合物表现出更强的电子和空穴注入能力. 相似文献