相干态与压缩态迭加的量子特性

基于量子力学基本理论,构造了一个由相干态与单模压缩态构成的新迭加态:|φ>=N(|α> eiψ|β>g);详细讨论了其压缩效应和光子数反聚束效应,发现该迭加态呈现出多样的量子特性.在按类似奇偶相干态的方式迭加时,迭加态具有奇偶相干态和压缩奇偶相干态的某些特性.作为特例,当压缩因子为0时,可以得到奇偶相干态和相干态.     

稳态平板法测量导热系数的若干影响因素分析

研究发现,热源温度和环境温度等因素通过试样的侧面散热影响平板稳态法测量导热系数的精度,散热铜板的上下表面散热功率不一致也将影响导热系数测量的准确性.用大空间自然对流理论对实验数据处理公式修正后,可有效减小侧面散热对测量的影响.在设计实验时应首先获得散热铜板的散热功率曲线,选择合适的散热铜板温度,而后通过综合考虑试样厚度和热源温度以控制传热温差,使测量时散热铜板温度处于最佳温度附近.     

基于场放大进样富集的微流控芯片-激光诱导荧光法检测奶制品中的β-酪啡肽

基于微流控芯片-激光诱导荧光分析技术,探讨了奶酪中两种β-酪啡肽(β-CM-5和β-CM-7)的场放大进样富集和检测。采用10 mmol/L硼酸-硼砂溶液(pH8.7)作为衍生缓冲液,5 mmol/L硼砂溶液(pH8.9)作为样品缓冲液,进样10s,60 mmol/L硼砂溶液(pH8.9)作为运行缓冲液,分离电压1500V,在120s内成功分离检测了两种β-酪啡肽。实验结果表明,β-CM-5和β-CM-7的富集倍数是16倍和21倍,检出限分别是8.2 nmol/L和3.6 nmol/L,线性范围分别是0.05~2μmol/L和0.02~1μmol/L,加标回收率在86.9%~107.5%,该方法可应用于奶制品中β-CM-5和β-CM-7的含量测定。     

铁磁体的热力学性质

可将自旋算符S~a变换为自旋偏离算符b,如果将b看成玻色算符,可得到与自旋波理论相同的结果,此时由于忽略了自旋偏离不能超过2s的限制条件(因为玻色子的粒子数算符b~+b的本征值是所有的自然数),因而这种理论只适用于比居里点T_c低得多的温度范围。当温度升高,特别是在居里点附近,出现较大自旋偏离的几率增加,这时上述限制条件将起重要作用,自旋偏离算符b不能再看成是玻色算符。由此可见,要利用变换来讨论任意温度下的铁磁理论,首先必须导出自旋偏离算符b的严格对易关系。     

全超导托卡马克中性束注入系统离子吞食器工程设计

结合全超导托卡马克中性束注入系统（EAST NBI）的工作原理,采用水冷热测靶形式的离子吞食器回收和测量未被中性化粒子。根据EAST NBI系统对离子吞食器物理特性、空间限制、测量需求及冷却性能等方面的要求,对靶板材料选择、结构设计及布置等进行了分析,给出了离子吞食器具体设计方案。该方案单侧吸收靶板呈V形结构,单个靶板冷却方式采用内置并联冷却水管结构。根据该方案加工获得了EAST NBI系统离子吞食器装置。仿真和实验校验结果验证了本装置可以满足NBI系统4 MW高功率、10 s长脉冲的运行要求。     

Wey1代数中的消元法与q恒等式（英）

For the algorithmic proof of q-proper-hypergeometric identities, H.Wilf and D.Zeiberg gave a theoretical frame work. In [1], they proved that q-proper-hypergeometric terms satisfy recurrence relations with polynomial coefficients and could obtain quite explicit bounds for the order of such a recurrence. But how can we find the recurrence relations?We consider single-variable q-proper-hypergeometric identities based on Zeilberg's basic idea. To find the recurrence relations, an elimination in the non-commutative Weyl algebra has been developed. Thereby we obtained the algorithm of proving single-variable q-proper-hypergeometric identities.     

考虑自热效应的互连线功耗优化模型

基于互连线的分布式功耗模型,考虑自热效应的同时采用非均匀互连线结构,提出了一种基于延时、带宽、面积、最小线宽和最小线间距约束的互连动态功耗优化模型.分别在90和65 nm互补金属氧化物半导体工艺节点下验证了功耗优化模型的有效性,在工艺约束下同时不牺牲延时、带宽和面积所提模型能够降低高达35％互连线功耗.该模型适用于片上网络构架中大型互连路由结构和时钟网络优化设计.     

定积分在杆秤刻度制定中的应用

文中利用杠杆原理,结合定积分的知识,给出了杆秤的秤杆线密度不均匀而称量刻度却均匀的理论依据,并由此指出计量工程师利用最大称量来检验秤砣是否损坏的原因.     

新型宽温区高热稳定性微波功率SiGe 异质结双极晶体管

宽温区大电流下的热不稳定性严重制约着功率SiGe 异质结双极晶体管 (HBT) 在射频和微波电路中的应用.为改善器件的热不稳定性, 本文利用SILVACO TCAD建立的多指功率SiGe HBT模型, 分析了器件纵向结构中基区Ge组分分布对微波功率SiGe HBT电学特性和热学特性的影响. 研究表明, 对于基区Ge组分为阶梯分布的HBT, 由于Ge组分缓变引入了少子加速电场, 使它与均匀基区Ge组分HBT相比, 具有更高的特征频率f_T, 且电流增益β和f_T随温度变化变弱, 这有利于防止器件在宽温区工作时电学特性的漂移.同时, 器件整体温度有所降低, 但器件各指温度分布均匀性较差.考虑多指HBT各发射极指散热能力存在差异, 在器件纵向结构设计为基区Ge组分阶梯分布的同时, 对其横向版图进行发射极指间距渐变结构设计, 用于改善器件各指温度分布的均匀性, 进而提高HBT的热稳定性.结果表明, 与基区Ge组分为均匀分布的等发射极指间距结构HBT相比, 新器件各指温度分布均匀性明显改善, f_T保持了较高的值, 且β和f_T 随温度变化不敏感, 热不稳定性得到显著改善, 显示了新器件在宽温区大电流下工作的优越性. 关键词： SiGe 异质结双极晶体管 Ge组分分布 发射极指间距渐变技术 热稳定性     

Al组分对MOCVD制备的AlxGa1-xN/AlN/GaN HEMT电学和结构性质的影响

采用金属有机化合物化学气相沉积（MOCVD）方法制备了不同Al组分（x=0.19,0.22,0.25,0.32）的Al_xGa_1-xN/AlN/GaN 结构的高电子迁移率晶体管（HEMT）材料。研究了Al_xGa_1-xN势垒层中Al组分对HEMT材料电学性质和结构性质的影响。研究结果表明,在一定的Al组分范围内,二维电子气（2DEG）浓度和迁移率随着Al组分的升高而增大。然而,过高的Al组分导致HEMT材料表面粗糙度增大,2DEG迁移率降低,该实验现象在另一方面得到了原子力显微镜测试结果的验证。在最佳Al组分（25%）范围内,获得的 HEMT材料的2DEG浓度和室温迁移率分别达到1.2×10¹³ cm^-2和1 680 cm²/（V·s）,方块电阻低至310 Ω/□。