首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   344篇
  免费   125篇
  国内免费   83篇
化学   149篇
晶体学   5篇
力学   33篇
综合类   18篇
数学   76篇
物理学   271篇
  2024年   1篇
  2023年   10篇
  2022年   11篇
  2021年   14篇
  2020年   7篇
  2019年   11篇
  2018年   9篇
  2017年   7篇
  2016年   19篇
  2015年   17篇
  2014年   34篇
  2013年   23篇
  2012年   14篇
  2011年   29篇
  2010年   32篇
  2009年   19篇
  2008年   23篇
  2007年   33篇
  2006年   31篇
  2005年   22篇
  2004年   11篇
  2003年   8篇
  2002年   14篇
  2001年   20篇
  2000年   15篇
  1999年   12篇
  1998年   10篇
  1997年   7篇
  1996年   15篇
  1995年   4篇
  1994年   4篇
  1993年   11篇
  1992年   8篇
  1991年   13篇
  1990年   6篇
  1989年   5篇
  1988年   2篇
  1987年   5篇
  1986年   3篇
  1985年   3篇
  1984年   3篇
  1980年   2篇
  1973年   2篇
  1965年   1篇
  1959年   1篇
  1954年   1篇
排序方式: 共有552条查询结果,搜索用时 15 毫秒
231.
但敏 《应用力学学报》2012,29(6):643-649,770
运用Hamilton正则方程对层合梁的脱层扩张进行了分析。结合弹性材料修正后的Hellinger-Reissner变分原理和插值函数,构建了八节点层合梁每一层的线性方程;考虑到脱层梁连接界面上应力和位移的连续性,将脱层板离散成上下两层,采用"分离合并"技术建立了脱层情况下梁的控制方程;最后应用Griffth准则,导出了固定载荷情况下梁元脱层前缘的能量释放率。数值算例验证了该模型的正确性,并研究了不同边界、不同脱层深度、不同脱层长度、不同角铺层工况下梁的脱层问题。结果表明:层合梁在脱层过程中,固支边界和简支边界情况区别不大,但在同种边界情况下,脱层的深度越深,脱层能量释放率变化越剧烈;层合梁的不同铺层角度会产生不同的能量释放率,为避免层合梁发生脱层,应尽量使层合梁的铺层角度沿着22 11C/C最大处。  相似文献   
232.
从层状化合物获得的纳米片是一类新型纳米结构材料,这种二维各向异性的纳米甚至亚纳米级的材料具有独特的物理化学性能,其中最好的一个例证就是从石墨烯C3N4到石墨烯C3N4纳米片的转变。通过高温氧化热刻蚀方法将体相g-C3N4剥离成g-C3N4纳米片,应用于染料敏化可见光分解水产氢,表现出了较体相g-C3N4高于2.6倍的产氢速率。通过X射线衍射(XRD)、傅里叶变换红外(FTIR)光谱、扫描电子显微镜(SEM)、Brunauer-Emmett-Teller(BET)、荧光光谱和光电化学等表征研究了g-C3N4纳米片的结构及曙红(EY)和g-C3N4纳米片之间的电子迁移过程。热剥离后的g-C3N4纳米片具有较高的比表面积,不仅可以更为有效地吸附染料分子,还因其量子限域效应大大增强了光生电荷的分离效率和电子转移效率,改善了电子沿平面方向的传输能力以及光生载流子的寿命,从而显著提高g-C3N4纳米片的光催化产氢活性。  相似文献   
233.
Anomalous transport properties of 40-nm-thick single-crystal Bi(111) films grown on Si(111)-7 × 7 substrates is investigated. The magnetoresistance (MR) of the films in perpendicular magnetic field shows a regular positive behavior in the temperature range 2–300K, the MR in parallel field (B||) displays a series of interesting features. Specifically, we observe a change of the MR (B||) behavior from positive to negative when the temperature is below 10K. In the range 10–170 K, the MR (B||) is negative in the investigated field of 9T. When T 〉 170 K, a positive MR appears in the high field regime. The low temperature MR(B||) behavior in the parallel field can be understood by the competition between weak localization and weak anti-localization (WAL). Furthermore, our results suggest that the WAL is dominated by the interface carriers.  相似文献   
234.
采用基于量子力学的分子动力学方法,模拟了高能粒子辐照导致钨表面的溅射和结构损伤.结果显示,当PKA能量高于200 eV且入射角度大于65°时开始产生溅射原子,当入射角度在45°-65°之间时,钨表面因受辐照而导致的空位数目最少.因此,当PKA入射角度取在45°-65°之间时,可以有效地降低辐照导致的钨表面的结构损伤.还发现钨表面含有间隙原子时会加剧表面原子溅射,而包含空位原子且PKA取在空位附近时则会抑制表面原子的溅射.  相似文献   
235.
介绍一种矩形反应腔体结构的表面波等离子体源,通过对垫层介质及天线结构的优化设计,产生了大面积均匀的等离子体.采用静电探针测量了等离子体参数(密度,电子温度)在不同运行条件(气压,功率)下的空间分布;采用扩散模型,数值模拟了等离子体密度在垂直方向上的空间分布,并比较好地解释了实验测量结果. 关键词: 表面波等离子体 狭缝天线 数值模拟 探针测量  相似文献   
236.
针对三阶色散对零色散波长附近光脉冲偏振复用技术的破坏作用,提出了使用色散平坦光纤来抑制三阶色散的影响。然而用色散平坦光纤只能在脉冲短距离传输时有效,故提出用正负三阶色散交替的光纤补偿三阶色散对光脉冲偏振复用技术的影响。研究发现该补偿方案能有效地抵消线路的总三阶色散,实现了偏振脉冲长距离稳定传输。  相似文献   
237.
通过对由三个氘原子组成的氘团簇离子(d+3)与三个分立的氘核(3d+)在轰击吸氘固体靶时所发生的DD聚变反应率的差别的研究,进而揭示氘团簇离子在与固体靶中的氘核发生聚变反应时所体现出的团簇效应.实验结果显示,在10—40keV/d能区,每个氘团簇中的氘核(d+3/3)所产生的聚变反应率高于具有相同速度的独立氘核(d+)所产生的聚变反应率.反之,在50—100keV/d能区,独立氘核比之于氘团簇中的单个氘核所产生的聚变反应率要高.两者之间的比值具有非常明显的能量相关性.这种团簇特性与团簇离子本身特性及固体靶环境等多方面因素有关.对其作用过程和实验中观测到的现象的实质做了具体讨论.  相似文献   
238.
色散缓变光纤中超短光脉冲的绝热压缩   总被引:14,自引:3,他引:11  
报道了色散缓变光纤中超短光脉冲压缩效应的实验结果。采用两段长度分别为100m和500m的色散缓变光纤,成功地将分布反馈激光器输出的4.4ps光脉冲压缩到1.1ps和830fs,脉冲压缩比分别为4.0和5.3。研究还发现,色散沿纵向变化较慢的光纤有利于脉冲的进一步压缩,理论分析与实验结果一致。  相似文献   
239.
雷文敏  吴大新 《色谱》1987,5(4):266-267
前人发展起来的变温浓缩色谱法用来分析超纯H_2中的痕量杂质是十分可靠的,他们都是用一根分子筛柱作浓缩杂质用.又用一根两米以上的分子筛柱作分离杂质用。本文取消了色谱分离柱,仅用一根24厘米长的分子筛柱作浓缩柱兼作分离柱,用一个阀门组进样,这样提高了分析灵敏度,降低了最小检知量,缩短了分析周期。  相似文献   
240.
稀土—5—Br—PADAP螯合物的高效液相色谱分离与测定   总被引:1,自引:0,他引:1  
以配合物形式分离金属离子已有报道.胡之德等研究了In、Pt、Pd等金属与5-Br-PADAP螯合物的色谱行为,在硅胶柱上成功地分离了这几种金属元素.林长山等应用反相高效液相色谱法,分离了Fe(Ⅲ)、Co(Ⅱ)和V(Ⅱ)3种金属的5-Br-PADAP螯合物,并做了定量的研究.本文应用高效液相色谱法研究了镧系-5-Br-PADAP螯合物色谱行为,探讨了相关因素对分离和测定的影响,讨论了螯合物的保留值与稀土元素原子半径的关系.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号