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991.
一族新共轭梯度法的全局收敛性 总被引:4,自引:0,他引:4
提出求解无约束优化问题的一族新共轭梯度法,证明了它的一个子族在一种非精确线搜索下的下降性和全局收敛性 相似文献
992.
A new model is proposed to accurately predict the wrinkling and collapse loads of a membrane inflated beam. In this model, the pressure effects are considered and a modified factor is introduced to obtain an accurate prediction. The former is achieved by modifying the pressure-related structural parameters based on elastic small strain considerations, and the modified factor is determined by our test data. Compared with previous models and our test data, the present model, named as shell-membrane model, can accurately predict the wrinkling and collapse loads of membrane inflated beams. 相似文献
993.
994.
995.
采用低温燃烧合成(LCS)法制备出宽频谱红外-可见转换材料CaS∶Ce, Sm,研究了稀土掺杂浓度对产物红外-可见转换发光性能的影响,并对样品进行了结构和性能表征。XRD分析表明样品为立方晶系CaS晶体结构。样品的激发光谱位于200~500 nm之间,紫外或可见光均可有效激发该材料完成“充能”过程,且可见光激发占优势。样品的红外响应光谱范围为800~1 600 nm,说明CaS∶Ce, Sm材料具有宽频谱红外-可见转换效应。样品的红外-可见转换发射光谱是位于450~650 nm的宽带谱,两毗邻发射峰位于513.4和572 nm,分别对应Ce3+的2T2g(5d)→2F5/2(4f)和2T2g(5d)→2F7/2(4f)跃迁。 相似文献
996.
We have investigated the steady-state cavity-field properties of a
single-mode two-photon micromaser when the atoms in a cascade
three-level configuration are initially prepared in a mixture of
the upper and intermediate states. The mean photon number,
trapping state and sub-Poissonian effect are discussed with
upper (intermediate)-state population changing from 1(0) to 0(1).
These properties are very different from those in a pure two- or
one-photon transition process, due to the competition among
different transition processes. In particular, the trapping states
of nonzero photons are discovered in this system under some
conditions, which is contrary to the previous findings. 相似文献
997.
998.
999.
带有不等式约束的非线性规划问题的一个精确增广Lagrange函数 总被引:1,自引:0,他引:1
对求解带有不等式约束的非线性非凸规划问题的一个精确增广Lagrange函数进行了研究.在适当的假设下,给出了原约束问题的局部极小点与增广Lagrange函数,在原问题变量空间上的无约束局部极小点之间的对应关系.进一步地,在对全局解的一定假设下,还提供了原约束问题的全局最优解与增广Lagrange函数,在原问题变量空间的一个紧子集上的全局最优解之间的一些对应关系.因此,从理论上讲,采用该文给出的增广Lagrange函数作为辅助函数的乘子法,可以求得不等式约束非线性规划问题的最优解和对应的Lagrange乘子. 相似文献
1000.
Si基外延GaN中缺陷的腐蚀研究 总被引:2,自引:0,他引:2
本文采用KOH:H2O=3:20~1:25(质量比)的KOH溶液,对Si基外延GaN进行湿法腐蚀.腐蚀后用扫描电子显微镜(SEM)观察,GaN面出现了六角腐蚀坑,它是外延层中的位错露头,密度约108/cm2.腐蚀坑的密度随腐蚀时间延长而增加,说明GaN外延生长过程中位错密度是逐渐降低的,部分位错因相互作用而终止于GaN体内.观察缺陷腐蚀形貌还发现,接近裂纹处腐蚀坑的密度要高于远离裂纹处腐蚀坑的密度,围绕裂纹有许多由裂纹引起的位错.腐蚀坑的密度可以很好地反映GaN晶体的质量.晶体质量较差的GaN片,腐蚀后其六角腐蚀坑的密度高. 相似文献