First-Principles Study of Intrinsic Point Defects of Monolayer GeS

The properties of six kinds of intrinsic point defects in monolayer GeS are systematically investigated using the“transfer to real state”model,based on density functional theory.We find that Ge vacancy is the dominant intrinsic acceptor defect,due to its shallow acceptor transition energy level and lowest formation energy,which is primarily responsible for the intrinsic p-type conductivity of monolayer GeS,and effectively explains the native p-type conductivity of GeS observed in experiment.The shallow acceptor transition level derives from the local structural distortion induced by Coulomb repulsion between the charged vacancy center and its surrounding anions.Furthermore,with respect to growth conditions,Ge vacancies will be compensated by fewer n-type intrinsic defects under Ge-poor growth conditions.Our results have established the physical origin of the intrinsic p-type conductivity in monolayer GeS,as well as expanding the understanding of defect properties in lowdimensional semiconductor materials.     

微分方程非线性边值问题的单调迭代方法

讨论了一类微分方程的非线性边值问题,通过引入两个单调函数和的形式,并借助耦合上下解的方法给出了一类微分方程边值问题的广义单调迭代方法.     

微量滴定热量计的建立和混合表面活性剂囊泡形成的研究

结合LKB-2107微量安瓶热量计和改进的Thermometric微量滴定热量计, 建立一台具有1和3 mL容积的微量滴定热量计, 并用仪器的基线噪声、基线的稳定性、能当量的测量和能量与电压(V)-时间(t)积分面积的线性关系考察了热量计灵敏度和测量精度. 分别用蔗糖的稀释热和十二烷基硫酸钠(SDS)的胶束生成热检验仪器的可靠 性. 测定了SDS和双十二烷基二甲基溴化铵(DDAB)的相互作用能, 并用量热结果讨论其相行为. 从量热实验得到, SDS与DDAB胶束的相互作用焓为?29.53 kJ/mol, SDS与DDAB反应生成盐的反应焓为?125.8 kJ/mol, 混合囊泡生成焓为41.23 kJ/mol, 囊泡再转化为富SDS胶束的焓变为32.10 kJ/mol.     

以两亲性共聚物为模板溶胶-凝胶法制备WO3多孔薄膜及其 氢致变色特性的研究

报道了以六氯化钨为原料, 以两亲性的无规共聚物聚苯乙烯-co-聚烯丙醇(PS-co-PAAL)和三嵌段共聚物聚氧乙烯-b-聚氧丙烯-b-聚氧乙烯(PEO-b-PPO-b-PEO)为模板, 采用溶胶-凝胶法制备了WO3多孔薄膜. 利用热重分析仪(TGA)、粉末X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)等表征手段, 研究了模板和热处理温度对薄膜孔结构的影响; 并通过H2敏测试以及利用紫外可见分光光度计(UV), 研究了薄膜的氢敏性能和着色前后的透射光谱. 结果表明, 以无规共聚物PS-co-PAAL为模板制得的WO3薄膜, 经400 ℃热处理后, 可得到呈交联网状的多孔结构, 并表现出最佳的氢致变色性能.     

近紫外激发Gd2ZnTiO6∶Eu3+,Li+红色荧光粉的制备及荧光性能

采用溶胶-凝胶法成功制备出系列Eu³⁺掺杂和Li⁺、Eu³⁺共掺杂Gd₂ZnTiO₆红色荧光粉,并研究Li⁺、Eu³⁺掺杂对样品的晶体结构、微观形貌及发光性能的影响。结果显示,所制备的Gd₂ZnTiO₆∶Eu³⁺,Li⁺(GZT∶Eu³⁺,Li⁺) 荧光粉为双钙钛矿结构,属于单斜晶系(空间群:P2₁/n),大小为10 μm的无规则形状的颗粒。在395 nm近紫外光的激发下,GZT∶Eu³⁺的发射光谱展示出典型的Eu³⁺线状特征光谱,发射峰中心位于615 nm处,归属于Eu³⁺的⁵D₀→⁷F₂跃迁。Eu³⁺的最佳掺杂浓度为0.07(摩尔分数),样品显示明显的浓度猝灭效应,其机制为电偶极子-电偶极子(d-d)相互作用。此外,研究还发现,Li⁺掺杂对样品的晶体结构、微观形貌没有影响,但是一定量的Li⁺掺杂可以显著增强样品的荧光强度。当Li⁺浓度为0.05时,荧光粉发射主峰强度增强程度最大,提高至原来的4.3倍,说明通过Li⁺、Eu³⁺共掺杂可以获得高亮度的GZT红色荧光粉。GZT∶0.14Eu³⁺,0.05Li⁺荧光粉的CIE色坐标为(0.631 1,0.375 3)与标准红光色坐标(0.670,0.330)较为接近,是一种潜在的LED用红色荧光粉。     

燃烧法制备掺杂Y改性LaMgB5O10粉体及表征

以水合硝酸镧(La(NO3)3·nH2O)、六水硝酸镁(Mg(NO3)2·6H2O)为氧化剂,甘氨酸(C2H5NO2)为还原剂,掺杂氧化钇(Y2O3)粉体,通过燃烧法合成掺杂Y改性的硼酸镁镧(LaMgB5O10)粉体.研究了Y的掺杂量、焙烧温度和时间等工艺参数对合成Y改性LaMgB5O10的影响.通过X射线粉末衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、荧光光谱(PL)、紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis DRS)等手段对产物进行表征.结果表明,当Y的掺杂量为5;,焙烧温度900 ℃,焙烧时间5 h时,Y改性LaMgB5O10效果最佳.Y改性LaMgB5O10在212~317 nm处出现了很强的紫外吸收峰;在280~355 nm和368~435 nm处有很强的发射宽峰.     

恒温下分析合成低碳醇产物

CO加H_2合成低碳醇的产物很复杂,除醇外,还有其他含氧化合物。产物沸点范围较宽。在色谱分析中,通常采用程序升温法。由于设备限制,我们改用恒温法,以1,2,3,三(氰基乙氧基)丙烷为固定液的填充色谱柱。该方法具有操作简便,色谱柱分离效率高,寿命长等优点。 (一)仪器和试剂 100型气相层析仪(上海);SIGMA15色谱数据处理机(美国)。 C_1—C_6醇均为色谱标准样。     

探索·发现

科学的发展,就是人们不断探索,不断发现,不断总结,不断完善的过程.这个过程最重要的就是在不断探索中,不断发现新问题.“探索→发现”的过程,一般是“特殊→一般”的认识过程.本文以《几何》第三册一个例题为例,说明“特殊→一般”的“探索→发现”的认识过程.希望读者能从中得到启示.     

块对偶Toeplitz算子的乘积

本文刻画了向量值Bergman空间上块对偶Toeplitz算子有界性和紧性,给出了块对偶Toeplitz算子的乘积是块对偶Toeplitz算子的充要条件.     

An improvement to computational efficiency of the drain current model for double-gate MOSFET

As a connection between the process and the circuit design, the device model is greatly desired for emerging devices, such as the double-gate MOSFET. Time efficiency is one of the most important requirements for device modeling. In this paper, an improvement to the computational efficiency of the drain current model for double-gate MOSFETs is extended, and different calculation methods are compared and discussed. The results show that the calculation speed of the improved model is substantially enhanced. A two-dimensional device simulation is performed to verify the improved model. Furthermore, the model is implemented into the HSPICE circuit simulator in Verilog-A for practical application.