表面粗糙度测量的磁光位相调制和锁相干涉

提出了一种表面粗糙度测量的新方法，该方法采用了微分偏振干涉的原理，利用由法拉第磁光调制器所组成的调制系统对偏振干涉光路的位相进行调制，利用锁相干涉原理对位相进行探测，该方法可实现无参考面快速非接触测量，在普通实验条件下，也可保持良好的稳定恶性循环 ，实验装置即可给出表面的轮廓又可给出其它统计数据，其横向分辨率为１．２μｍ纵向为２ｎｍ。     

二维刚性边值问题的小波-吉尔解法

本文利用微分方程数值解的离散小波表示，讨论了此类方程在满足一定初始条件和边值条件下，在一个方向上利用小波伽辽金法，另一方向上利用吉尔方法进行求解，提出了一种解二维刚性初，边值问题的小波数值算法，计算结果表明，利用该方法所求得的数值解精度高，而且由小波特有的性质，它特别适用于求解带有奇异摄动的刚性问题。     

分布式配送系统在运输时间均匀分布条件下的性能分析

本文在运输时间不确定的前提下，对分布式配送系统在两个部件和最终产品早到无限制的情形下建立了随机优化模型。我们在极小化库存费用的同时以满足定时送货要求为目标，讨论了如何确定运输提前期，并给出了敏感性分析结果。     

拓扑余维数不超过2的(D4, S1)等变分歧问题的分类

应用奇点理论方法研究参数具有某种对称性的等变分歧问题. 给出了分歧参数具有S¹对称性、状态变量具有D₄对称性的等变分歧问题f:(R²×R²,(0,0)®R² 在拓扑余维数不超过2的条件下的分类, 并建立了相应的识别条件.     

小数乘法位数的取舍对精确度的影响

小数乘法在珠算运算中是常见的，在具体问题中为了运算等诸方面的便利，在不影响大局的前提下往往采用近似计算，只需近似结果就可以了，不然将增添不必要的麻烦。那么珠算运算能否在运算中对某些位数的计算取舍，而又不影响结果的精确度呢?这个问题早已被人们所关注，如果可以做到这一点无疑会提高珠算的运算速度。     

三阶非线性时滞差分方程解的渐近性

研究了一类三阶非线性变滞量差分方程解的渐近性,给出了该类方程的非振动解当n→+∞时渐近趋于零或趋于某有限数值的几个充分条件.     

小波变换及其应用(续三)

两维正交小波基　在许多实际问题中 ,经常会遇到多维的信号 (如图像等 ) ,因此只有一维小波基是不够的。不难证明 (见 [1 ])若φ( t)与Ψ ( t)是小波标准正交基的尺度函数与母函数 ,φjm( x) =2 j2 φ( 2 jx -m) ,Ψjm( x) =2 j2 Ψ ( 2 jx -m) ,则 {Ψjn( x)φjm( y) ,φjn( x)Ψjm( y) ,Ψjn( x)Ψjm( y) }j,m,nz构成两维平方可积函数空间 (即满足∫∞-∞∫∞-∞|f ( x,y) |2 dxdy <∞的全体函数所构成的线性空间 )的一组标准正交基 (见图 1 2 ( a) ( b) )图 1 2(六 )离散小波变换的应用举例( 1 )消除信号中的噪音信号在生成和传输过程…     

动态特性的参数设计在差示光度法测金中的应用

本文提出对动态特性参数设计使用相关系数与信噪比作为内表指标进行分析 ,并使用该分析方法优化了差示光度法测较高浓度金矿样的试验条件。     

新疆区域经济发展特点的实证分析

本文运用主成分分析和聚类分析方法,以新疆行政区域划分为单位,对区域经济的综合实力进行评判,特区域经济发展水平分为4个等级,并对其特点进行了分析,为政策的制定、资金的投向、产业结构的布局等提供7科学的依据.     

Strongly Correlated Effect in TiS2

The thermoelectric compound TiS2 is studied by using the full-potential linearized augmented plane-wave method on the density functional theory with the generalized gradient approximation （GGA） as well as the on-site Coulomb interaction correction （＋U）. The Seebeck coefficient of TiS2 is calculated based on the electronic structure obtained within the GGA under the consideration of the on-site Coulomb interaction. The calculated Seebeck coefficient at 300K shows that Coulomb interaction U in the range of 4.97-5.42eV is important to reproduce the experimental data. The obtained energy gap Eg around 0.05 eV indicates that TiS2 is an indirect narrow-gap semiconductor.