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251.
给出用“闪光二号”加速器高功率离子束轰击19F靶产生6~7MeV准单能脉冲γ射线的实验结果;提出采用离子束传输法分离和降低轫致辐射干扰的方法,利用闪烁体探测器和半导体探测器,测出质子传输不同距离后轰击C2F4靶产生的6~7MeV准单能脉冲γ射线信号以及相比轫致辐射的延迟时间;介绍了模拟材料的软X射线的热 力学效应等方面的高功率离子束的应用,给出一些实验和理论计算结果。 相似文献
252.
提出了基于扩展信源熵值理论的超宽带穿墙成像雷达墙体强杂波抑制方法. 首先将回波信号离散化, 计算离散信源的概率空间并对该离散信源进行扩展, 计算得到扩展后含有墙体强杂波和目标回波的新信源的熵值. 然后根据墙体杂波熵值与目标信号熵值的差异设定门限, 自适应选取最佳门限调节因子, 对回波信号进行杂波抑制处理. 经过墙体强杂波抑制处理后, 利用后向投影方法对目标进行成像. 以基于时域有限差分方法(Finite Difference-Time Domain, FDTD) 的仿真软件GprMax2D/3D所获得的穿墙雷达数据进行仿真实验, 分别通过基于信源熵值的方法与本文所提方法来抑制墙体强杂波并成像, 通过对比结果可知, 前者的目标-杂波比增量为15.51 dB, 后者的目标-杂波比增量为19.74 dB. 因此, 本文所提方法能够在相同测量方式下得到更为精确的成像, 而且可以在保证成像效果的前提下大大减少天线扫描次数. 相似文献
253.
为对炸药爆炸进行测量和监控,出于安全以及测试方便考虑,试验需要在爆炸容器中进行。由于测试任务的需要,试验中使用的传感器的类型及数量较多,包括各种压力传感器、应变传感器以及爆速传感器等,因此构建一个多传感器的测量系统就显得十分重要。文章给出了试验容器的基本结构,介绍了钢筒内化爆试验爆炸冲击波压力测试系统的原理设计与应用,构建了传感器、起爆和同步触发、爆速监测以及数据采集存储几个主要部分组成的测试系统,并对系统几个主要组成部分进行了详细的阐述。压杆测压解决了高压测量中的测量困难以及传感器使用效率低的问题,取得了良好的实际应用效果。 相似文献
254.
255.
通过XRD、XPS、SEM和ICP-MS等表征方法,研究不同掺量下CeO2在铝硼硅玻璃固化体中物相的变化及其对抗浸出性能的影响。结果表明:玻璃网络结构中nCe4+∶nCe3+=9.25∶1,且CeO2质量分数达到或超过7%时,固化体内开始析出方铈矿晶体结构。1 d时随着CeO2掺量的增加,玻璃固化体rCe先降低后升高,28 d时则表现出逐渐降低的趋势。而在同一CeO2掺量下,rCe随浸出时间的延长逐渐降低,其中CeO2质量分数为9%的玻璃样品bE的rCe在7 d后稳定在4×10-6g.m-2.d-1以下,抗浸出性能较为优异。因此控制CeO2在一定范围内过量析出,可获得抗浸出性能优于完全溶于玻璃体的固化体。 相似文献
256.
257.
构建微流蒸发光散射检测器(μELSD)与加压毛细管电色谱(pCEC)联用系统,测定中药提取物注射用血塞通(冻干)中三七皂苷R1、人参皂苷Rg1,Re,Rb1、Rd考察系统的实用性和稳定性。用C18毛细管色谱柱,通过对流动相体系、梯度洗脱条件、雾化载气流速、蒸发温度、施加电压等参数的优化,确定了注射用血塞通(冻干)5种成分含量测定的最佳测定参数。最佳测定参数如下,流动相A为15 mmol/L甲酸-三乙胺乙腈溶液(pH=7.0),流动相B为15 mmol/L甲酸-三乙胺溶液(pH=7.0);梯度洗脱条件:0~10 min,19%A;10~30 min,22%A;30~35 min,36%A;35~45 min,40%A。雾化载气流速2 L/min;蒸发温度120℃;施加电压+8 kV。5种成分线性范围为8.6~146.9 ng(三七皂苷R1)、6.9~189.7 ng(人参皂苷Rg1)、6.8~171.4 ng(人参皂苷Re)、9.4~156.1 ng(人参皂苷Rb1)、7.5~180.5 ng(人参皂苷Rd),5种成分回收率都在95%~105%之间。实验表明,构建的pCEC-μELSD联用系统能用于药物中有效成分的含量测定。μELSD的构建为毛细管液相色谱、毛细管电色谱和毛细管电泳分离技术提供了一种全新的检测手段。 相似文献
258.
芯片级高场非对称波形离子迁移谱技术检测危险品 总被引:1,自引:0,他引:1
建立了吸气法-芯片级高场非对称波形离子迁移谱(FAIMS)技术,设置进样温度为50℃,载气与样品气流量分别为1500和100 mL/min时,测定了10种国家交通部门规定严禁携带的易燃易爆危险品。实验结果表明,利用FAIMS技术可以有效检测多种危险品。实验得到了10种危险品的FAIMS图谱,并对其进行了指纹识别。利用扩散管辅助技术得到10种物质的检测浓度范围约为0.1~20 mg/L。此方法方便快速,灵敏度高,具有很好的应用前景。 相似文献
259.
260.
彩MOCVD技术以Al2O3为衬底在GaN膜上生长了InxGa1-xN薄膜。以卢瑟福背散射/沟道技术和光致发光技术对InxGa1-xN/GaN/Al2O3样品进行了测试。获得了合金层的组分,厚度,结晶品质及发光性能等信息。研究表明:在以N2作主载气的情况下,有机源的载气对InxGa1-xN膜的In组分和生长速率影响很大,生长温度为760℃时,以70ml/min的N2作有机源载气得到的InxGa1-xN膜的In组分为0.10,生长速率为6.0nm/min,而以70ml/min的H2作有机源载气得到的InxGa1-xN薄膜的In组分为0.06,生长速率为10.6nm/min.本文首次报导了载气中含有少量H2能增大InxGa1-xN薄膜的生长速率的现象。 相似文献