邻甲酚醛环氧树脂/聚氨酯互穿聚合物网络的形态与性能

邻甲酚醛环氧树脂/聚氨酯互穿聚合物网络的形态与性能;互穿聚合物网络; 邻甲酚醛环氧树脂; 聚氨酯; 力学性能; 玻璃化转变温度     

周期扰动位相对化学振荡的调制效应

由Rossler反应系统的理论模型出发,构造一种具有外部周期扰动的新动力学系统,并采用逆算符法和数值分析法研究该系统的振荡态在周期扰动调制下的动力学行为.结果表明,在周期扰动的调制下,系统的状态由单周期振荡态(1p)变为周期2(2p)、周期4(4p)等多周期振荡态以及混沌态.扰动位相是系统呈现上述多种演化模式的控制参数,在扰动位相不同的数值区间,系统呈现的演化模式不同,而且扰动位相数值的微小改变,还影响每种演化模式的内部结构.     

一台小型强流脉冲电子束加速器

本文介绍了一台供研究准分子气体激光器用的强流脉冲电子束加速器,其输出电压为500kV,束流50kA,脉冲宽度60ns,运行稳定,控制可靠,是一台小型可移动的电子加速器。文中还给出了它的结构参数,主要特点和调试结果。     

CuSO4·5H2O在用KBr压片法制样时所发生的因相反应的研究

用X射线衍射法和FT－IR法研究了CuSO4·5H2O在用KBr法制样过程中所发生的固相反应，主要产物为：K2Cu(SO4)2·6H2O和CuBr2。     

氟离子对钛硅分子筛合成的影响

将氟离子引入钛硅分子筛合成体系，系统研究了氟离子对钛硅分子筛合成的影响。结果表明，四丙基溴化铵－NH4F体系与四丙基溴化铵－有机铵体系有着类似的合成规律：加入晶种可以降低分子筛晶粒粒度；随着NH4F／SiO2降低，晶粒增居；四丙基溴化铵最低用量在TPABr/SiO2=0.025-0.05之间；随着SiO2/TiO2增大，分子筛相对结晶度增加。将氟离子引入钛硅分子筛合成体系能促进钛硅分子筛晶化，但氯离子不具有同样的效应。     

添加吐温40合成钛硅分子筛TS-1

 以自制的四丙基氢氧化铵（TPAOH）水溶液为模板剂，采用在水热晶化合成体系中添加少量非离子表面活性剂——吐温40的方法,合成了钛硅分子筛TS-1，可以明显减少TPAOH的用量，而且在一天之内，即可得到纳米尺寸的TS-1。运用XRD、TEM、BET、FT-IR及UV-Vis等表征手段考察了TS-1的结构及物理性能，并以丙烯环氧化为探针反应，考察其催化性能，得到的结果表明，用这种方法合成的TS-1样品具有较高的结晶度和较大的比表面积，晶貌呈均匀的立方体状，颗粒尺寸在100 nm左右，并且样品中含有极少量锐钛矿型TiO2，其催化丙烯环氧化反应性能较好。     

钛硅沸石合成中各组分作用研究

1983年Ｔａｒａｍａｓｓｏ等[1]报导了钛硅沸石ＴＳ-1的合成。由于在用稀Ｈ2Ｏ2为氧化剂的低温氧化反应中ＴＳ-1的突出催化性能,所以近年来钛硅沸石的合成、表征及催化应用研究一直是热点课题。经典的钛硅沸石合成需要采用昂贵的模板剂-不含碱金属离子的四丙基氢氧化铵(Ｔ...     

那格列奈的多晶型与溶解度

分别对那格列奈B, H和S三种晶型的溶解度、溶解热进行了测定和计算. 结果表明: 那格列奈的S晶型与临床使用的H晶型溶解度均明显大于B晶型. B, H和S三种晶型的溶解热分别为42.84, 28.44 和29.14 kJ•mol^－1. 此外, 我们还新发现了不同于B, H, S晶型的X2晶型, 并且制备出了无定型的那格列奈.     

基于多Agent系统的项目调度研究

近年来 ,大型项目特别是大型工程项目存在如下的发展趋势 :1 )项目规模越来越大 ;2 )项目的复杂程度不断增加 ;3 )项目必须由多方合作才能完成 .本文针对上述特点 ,提出了基于多 Agent系统 (MAS:Multi-Agent Systems)解决资源约束条件下的项目调度问题 (RCPSP:Resource Constrained ProjectScheduling Problems)的方法 ,并通过实例项目对所提出的算法进行了验证 .     

交错电极介质阻挡放电等离子体弦向特性的研究

在绝缘材料两侧交错布置电极的方式是航空领域所使用的等离子体激励器与众不同之处,因此航空等离子体激励器生成的等离子体具有沿弦向变化特点。利用光谱仪、红外热像仪、激光诱导荧光系统(LIF)对交错电极介质阻挡放电等离子体弦向特性进行了实验研究,并对介质阻挡放电等离子体流动控制机理作了初步的探讨。实验中发现等离子体发光强度和温度沿弦向的分布基本符合高斯分布;发射等离子体光谱强度随着电压升高而增大;等离子体弦向温度随激励电压的增大而增加;通过LIF系统直接检测到放电产生的NO。通过数值模拟得到电极附近的电势和电场强度分布进而对实验现象作了初步的解释,并在以上实验的基础上,将等离子体流动控制机理归纳为撞击效应、温升效应和化学反应效应。